Способ изготовления кремниевых p-n-переходов

Номер патента: 1602183

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

Способ определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава по авт. св. N 1543319, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения момента начала кристаллизации раствора-расплава, после первоначального определения момента начала кристаллизации в расплав элемента III группы вводят дополнительное количество соединения AIIIBV для образования насыщенного раствора-расплава при температуре начала кристаллизации раствора-расплава, повторно перемещают раствор-расплав по поверхности кристалла AIIIBV со скоростью , где Vx и V'x скорости перемещения раствора-расплава при первоначальном...

Номер патента: 120330

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Горюнова, Дерябина, Радауцан

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Метки: арсенид, гомогенизации, индия, растворов, селенид, системы, твердых

...изобретения Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид индия - селенид индия (1 пАз - 1 п,Без) методом диффузионного отжига, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью сокращения продолжительности отжига, его осуществляют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением, например, в 200 - 800 кг/слР и при температуре 450 - 700. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Р. Б. Кауфман Гр, 16Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 2188 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.выдержкой один-два часа при этой температуре. После синтеза получают слитки с явно выраженной дендритной кристаллизацией. Для получения...

Номер патента: 1583484

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Барышев, Габрусев, Иванистов, Игнатовская, Ковалевский, Цылин

МПК: D01D 1/10

Метки: полимеров, расплавов, растворов

...из частиц одного размера эти частицы укладываются в устойчивый слой с минимальной пористостью. Для предотвращения истирания частиц и их полной регенерации они выбираются выпол, ненными из износостойкого материала правильной формы с минимально воз О можным соотношением поверхность - объем. Этому соответствует шароваяформа. Для выравнивания теператур по фильтрующему слою с целью вырав нивания расхода полимера по фильтру ющему комплекту и предотвращения разложения (или наоборот -, застывания) полимера по объему слоя, он набирается из материала с высокой теплопроводностью, например из стали,Для предотвращения разложения полимера, кроме того, этот металл должен включать в себя катализатор полимеризации (например, для полиэтилентерефталата...

Номер патента: 1631385

Опубликовано: 28.02.1991

Автор: Лаврентьев

МПК: G01N 25/02

Метки: переходов, полиимидах, температур

...40 мкм и ПМэ толщиной 12 мкм подвешивают за один конец и помещают в печь. Производятнагрев образцов до различных дискретных температур в интервале 20-450 С иоохлаждение до комнатной температуры.Далее пленки освобождают из зажимаи помещают между обкладками динамилаксационных и фазовых переполиимидах. Цель изобретеощение определения и обесозможности проведения бескон змерений без воздействия еского поля при комнатной уре. Образцы полимерной пленют в термостат при различных нных температурах в интерваС, После прогрева образцыдо комнатной температуры.еличину поверхностного заряер, методом динами,ескогора с вибрирующим электродомрафик зависимости величинынки от температуры нагревау определяют температурыв исследуемом материале,ческого...

Номер патента: 1543319

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Абрамов, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

...найти по формуле аЬс 40 2 9где а - ширина канавки, мм;Ь - расстояние от края подложкидо точки перехода травления 45в кристаллизацию, мм;с - глубина канавки у края подложки, мкм.Величина а и Ь измеряют с точностью + О, 1 мкм, а величину С определяют, изучая интерференционную картину на поверхности подложки, с точностью + 0,2 мкм.В данном случае а = 5 мм, Ь= 42 5 мм с = 8 810 мм следоваЬ 9 955тельно, Ч = 0,94 мм.Затем определяют вес растворившейся части по формулеР =7, где- плотность СаАз,= 5,4 г/см = 5,4 мг/мм,Р = 5 4 0 94 = 5,05 м,и пересчитывают его в концентрациюАз по формулеО ХАз 1+2 ХУ - Р, АСа 9где Р - исходный всс Са Р = 500 мг1".4 О 6 а 9А - . атомный вес Са, Аса= 69,72;М - молекулярный вес СаАз5 05 69,72 эХ : г , 9 = 4 9 410...