Патенты с меткой «интегральная»

Номер патента: 881833

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Кринчик, Рылов, Филатов, Шаматов

МПК: G11B 5/20

Метки: головка, интегральная, магнитная, тонкопленочная

...1 н 2 н нз обмотки 3, в которую входят плоские витки 4. Позициями 5 н 6 обозначена толщина полусердечннков 1 н 2; познцнямн 7, 8 н 9 - ширина провода каж. дого витка обмотки 3, а позициями 10 н 11 -88833 формула изобретения СоставТехредАТираж бдарственнизобретенЖ - 35,нт, г. У инКорректор Г. ОПодписноеСССРий тель В. Бро. Бойкас8 С. Тимохина /78 Редактор Заказ 99 ВНИИПИ Гос по делам 13035, Москва илиал ППП Патго комитет ий и откр аушская н жгород, ул. д. 4 роектнрасстояние между пересекак)щими магнитопровод соседними витками. Сам магнитопрокол сформирован из полусердечников 1 и 2.В процессе изготовления такой магнитной головки все витки обмотки располагают в одной плоскости, откуда и название кпланарная обмотка. Как и в каждой...

Номер патента: 900454

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Березенко, Вальков, Марков, Струков

МПК: H03K 19/08

Метки: выходе, интегральная, полупроводниковая, состояниями, схема, тремя, цифровая

...5, входной уп равляющий каскад на транзисторе 6, двухэмиттерном транзисторе 7 и резисторе 8, выходной двухтактный каскад на транзисторах 9 -11 и резисторе 12, фазоинвертирующий каскад на транзисторах 3 и 14 и резисторах 15 и 16. 25Цифровая схема с тремя состояниями на выходе работает следующим образом.Если на управляющий вход 4 подать высокий потенциал (И Ъ 2,4),то тран-Зв эистор 7 будет закрыт и схема будет выполнять функцию инвертирующего буфера с информационным входом 3: при подаче нв вход. 3 высокого напряжения, соответствующего логической единице (И в Ъ 2,4 в),на выходе возникает низкое напряжение логического нуля (Иь с 0,3 в) и наоборот, Если теперь на управляющий вход 4 подать низкий потенциал, например 0,3 в, то на базах...

Номер патента: 902060

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Лабунов, Сурганов

МПК: G11B 5/12

Метки: головка, интегральная, магнитная

...5 против третьей магнитной пленки 6 с возможностью формирования совместно с последней рабочего зазора. Магнитная головка содержит также дополнительные магнитные пленки 7, размещенные одна над другой столби902060 формула изобретения 8 8 8 Составитель Е Техред А. Войк Тираж 623 Государственного ком елам изобретений и о сква, Ж - 35, Раушска Патент, г. Ужгород, Роза нос рректор А. Ференцдписное едактор Н. Ковалеаказ 239/61ВНИИПпо113035, МФилиал ППП тета СССР крытий на 6 д 4/5 л. Проектная, ками соответственно между первой и второй магнитными пленками 3 и 4 и между первой и третьей магнитными пленками 3 и 6.Кроме того, интегральная магнитная головка содержит слои 8 анодного пористого оксида алюминия 8, выполненные с отверстиями и вырезами и...

Номер патента: 906396

Опубликовано: 15.02.1982

Автор: Любомир

МПК: G11B 5/27

Метки: головка, интегральная, комбинированная, магнитная

...головка, вариант.Интегральная комбинированная маг-. нитная головка содержит записывающую пленочную обмотку 1, размещенную внутри первого диэлектрического слоя 2, укрепленного между первой и. второй магнитными пленками 3 и 4. При этом между первой и второй магнитными пленками 3 и 4 расположен рабочий зазор записи. Головка содержит, кроме того, магнитный элемент, состоящий иэ первого магнитного слоя 5 и из сопряженного с ним второго магнитного слоя б Второй магнитный слой 6 сопряжен также со второй магнитной пленкой 4 через второй диэлектрический слой 7, внутри которого размещена воспроизводящая магниторезистивная пленка 8. Толщина второго магнитного слоя 6 меньше толщины первого магнитного слоя5. Магнитная проницаемость второго...

Номер патента: 938410

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Бушуев, Шагурин

МПК: H03K 19/091

Метки: интегральная, микропроцессора, микросхема

...(У, У;) каждая группа которых управляет работой соответствующего 1-го узла оперативныхблоков 3. Для узлов оперативных блоков 3, не участвующих в выполненииданной команды, все управляющие сиги нналы имеют значение логического 0(низкий потенциал нземли"): (у,У)=00 При поступлении тактового сигнала С значения всех управляющих сигналов У записываются в со-.ответствующие разряды операционногорегистра 2, и хранятся там в течение всего цикла обработки информации,Управляющие сигналы У с выходов операционного регистра 2 поступают науправляющие входы узлов оперативныхблоков 3, которые в соответствии сэтими сигналами производят необходимые операции для выполнения данной команды. При этом на управляющие входы микропроцессора поступает новая (...

Номер патента: 989764

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Егоров, Яковлев

МПК: H05K 3/30

Метки: гибридная, интегральная, свч-устройства, схема

...его с ТКЛР керамических или ферритовых подложек. Использование в качестве среднего слоя пластины ковара или молибдена объ 40 ясняется следующим образом. ТКЛР керамических (керамика А, поликор) и ферритовых (ферриты СВЧ-диапазона) подложек колеблется в иньтервале 6-9,5 х 10 6 С упри 20-100 С, ТКЛР молибдена меньше ТКЛР ковара.45 Поэтому, выбирая в качестве среднего слоя компенсирующей пластины молибден или ковар и регулируя толщину плакирующих слоев меди в интервале 50-200 мкм, можно создать компенсирующие триметаллические пластины с ТКЛР, изменяющимся в диапазоне 6-9,5 х 10 С ". Так, ТКЛР о триметаллической пластины, йзготовленной из молибдена толщиной 0,6 мм, плакированного слоями меди толщиной0,2, мм, равен 6,0 х 10 6 С ", а ТКЛР 0....

Номер патента: 1001479

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Еремин, Федонин, Черняк

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральная, логическая, схема

...10, включенного по схеме эмиттерного повторителя, При этом в базу транзистора 9 задается избыточный ток, обес-печивающий его быстрое включение, причем величина этого избыточного тока может быть весьма значительной и ограничивается, практически, лишь резистором 15, сопротивление которого выполняется небольшой величины.В начальный момент времени, когда транзистор 9 еще не включился, ток через диод 11 протекать не может и падение напряжейия на резисторах 1 и 12 примерно равны, Напряжение на базе транзистора 5 быстро снижается, что также способствует более быстрому включению выходного транзистора 9. Как только включится выходной транзистор 9, и на его коллекторе напряжение станет равным. падению напряжения на прямосмещенном р-п-переходе,...

Номер патента: 1001480

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Синеокий

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральная, логическая, схема

...которыхподключена база транзистора 13 парафазного каскада, коллектор и эмиттеркоторого соответственно подключенык коллектору транзистора 3 и анодудиода б.Все эмиттеры входного многоэмиттерного транзистора 1, кроме одногодополнительного, подключены к входам14 схемы, дополнительный эмиттер транзистора 1 связан с коллекторами транзисторов 3 и 3 парафазного каскада,Предлагаемое устройство работаетследующим образом.При подаче на входы 14 низкого уровня напряжения логического "0" транзистор 3 парафазного каскада будетзакрыт, При этом буДет также закрыттранзистор 8, в базу которого невтекает ток. На выходе 9 микросхемысоздается высокий уровень напряжения,,а входной транзистор благодаря действию обратной связи с базы на коллектор церез...

Номер патента: 1037363

Опубликовано: 23.08.1983

Автор: Фурсин

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...контактов Шоттки в 25 первой и второй р-областях,п -области которых соединены с контактом Шоттки третьей р-области,п -область которой соединена с п+-областью пятой р-области, и первым выходом интегральной схемы, второй выход интегральной схемы соединен с и -областью четвертой р-области23.Недостатком известного технического решения являются малые функциональные возможности.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей интегральной схемы.Поставленная цель достигается тем, что интегральная схема, включающая 40 общую область п-типа, расположенные в ней первую, вторую, третью и четвертую р-области, в каждо 9 из которых расположено по одной п 1-области и контакту Шоттки, и пятую р-область 45 с расположенными в ней...

Номер патента: 1046972

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Барышников, Бычков, Душкин, Попов, Черепнев

МПК: H04Q 3/00

Метки: интегральная, коммутационная, матрица, полупроводниковая

...шины Г 21Недостатком известного устройства яиляется невозможность достижения высокой 20степени интеграции матрицы иэ-эа необходимости выполнения соединений междуэлементами в виде навесных проводников.Цель изобретения - повышение плотности компановки. 25Поставленная цель достигается тем,что в полупроводниковой интегральнойкоммутационной матрице, содержащейпопупроводниковую подложку, в которойсформированы области ключевых тирис- ЗОторных элементов и области диодов, входные, выходные и управпяющие шины, входные и управляющие шины, соединяющие, соответственно анодные области ключевыхтиристорнык элементов и базовые области Зуправляющих диодов по строкам, расположены над катодными областями ключевыхтиристорных элементов, а выходные...

Номер патента: 1087092

Опубликовано: 15.04.1984

Автор: Николас

МПК: H03K 17/60

Метки: варианты, ее, интегральная, схема

...схема первого варианта интегральной схемы;на фиг,2 - то же, второй вариантинтегральной схемы.Схема содержит входную шину 1,шины 2,3 питания, Функциональныйлогический блок 4, блок 5 управления;блок б формирования импульсов привключении питания, транзистор 7, 20элемент 8 И-НЕ, резистор 9 и конденсатор 10, входы 5-1, 5-2 питанияблока 5 управления, входы 6-1, 6-2питания блока 6 Формирования импульса нри включении питания. 25На фиг,2 обозначено: входная шина 11 общая шина 12, резисторы 13,14, транзистор 15, блок 16 Формирования импульса при включении питания,блок 17 управления, Функциональныйлогический блок 18, элементы 19,20 НЕ и элемент 21 И-НЕ.На фиг, 1 входная шина 1 соединена со входом функционального логического блока 4, с первым...

Номер патента: 820546

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Дубинин, Кружанов, Овчинников, Сафронов

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...содержащей полупроводниковую подложку первого типа55 проводимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем, того же, что и подложка,типа проводимости н совмещенные с локальными областями, того же типа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы приповерхностные области противоположного типа проводимости, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, равную толщине эпитаксиального слоя, по крайней мере в,одной из которых, образованы.приповерхностные области пер-. вого типа проводимости, концентрация примесей в которых не...

Номер патента: 1228260

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Гойденко, Еремин, Федонин

МПК: H03K 19/088

Метки: варианты, ее, интегральная, логическая, схема

...выходного транзистора 10 через транзистор 8, работающий в активном режиме.Если напряжение на выходе схемы 9понижается (например, по причине изменения тока нагрузки), то базовыйток транзистора 8 увеличивается, чтовызывает увеличение его коллекторного тока и, следовательно, уменьшениебазового тока выходного транзистора 10.50Таким образом обеспечивается ограничение нысыщения выходного транзистора 10. Напряжение на выходе схемыопределяется опорным уровнем ЬВ качестве источника опорного уровня 55используются транзисторы 10, 6, 1 сподключенным к эмиттеру транзистора 1делителем, состоящим из резисторов7 и 14 и диода 15. Диод 15 обеспечи 3 1 вает температурную стабильность 1111 и выходного напряжения.Если на базу согласующего транзистора 1...

Номер патента: 1290278

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Андреев, Брискин, Васильев, Грудников

МПК: G05D 19/02

Метки: балансовым, интегральная, осциллятором, схема, часов, электронно-механических

...(кривая 1) и управляющей катушки 2 (кривая 2) . Если колебательная система выведена из состояния равновесия и в катушке 1 освобождения навелась ЭДС, превышающая порог срабатывания компаратора 8 напряжения минимального уровня, то на управляющей катушке 2 формируется импульс напряжения, длительность которого соответствует длительности возбуждения компаратора 8 1 - 1. Энергия механического импульса, формируемого магнитной системой баланса, значительно превосходит энергиб, отбираемую часовым механизмом, и амплитуда колебаний баланса непрерывно возрастает. С возрастанием амплитуды колебаний баланса растет и ЭДС. наводимая в катушке 1 освобождения. Когда ЭДС становится равной уровню срабатывания Умакс компаратора 9, длительность импульса...

Номер патента: 673086

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Лаупмаа, Тийкмаа

МПК: H01L 27/04

Метки: генератора, интегральная, стабильного, схема

...металлизации 10;4 дорожки металлизации 11, 12, 13,14, 1 б, 17, 18, 19 полупроводниковыхэлементов;цорожка металлизации 15 начального источника к отрицательной шиненапряжения питания,На фиг.2 представлен полупроводниковый элемент генератора стабильного тока, где изображены:изолирующий окисел 20,и подконтактная область 21 к базе латерального транзистора (нижнийзатвор полевого тетрода);изолирующий окисел "карман" 22;пф скрытый слой 8;30 35 40 45 50 55 монокристалл полупроводника и-типа, база латерального транзистора 23;и+ верхний затвор полевого тетрода 3;р - канал полевого тетрода 24; р+(р) сток полевого тетрода 5; р+(р) исток полевого тетрода и коллектор латерального транзистора 2,р+(р) эмиттер 7 р-и-р латерального...

Номер патента: 740077

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Власов, Остаповский, Портнягин, Ротман

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, структура

...содержит полупроводниковую подложку 1 р-типа с образованными на ней эпитаксиальными слоями 2 и 3 противоположного типа проводимости, В верхнем эпитаксиальном слое 2 выполнены области/р-и-р-транзистора: эмиттер 4, база 5, коллектор 6 (часть коллектора расположена в эпитаксиапьном слое 3).В эпитаксиальной базе транзистора выполнена дополнительная область 7 того же типа проводимости с поверхностной концентрацией донорной примеси М 1 = 6 10 см . Указанная концент 17 -3рация примеси дополнительной области превышает концентрацию примеси в остальной области базы, которая составляет М р = 5 10 см ; Область 8, выполненнаяна границе эпитаксиального слоя 3 и подложки 1 предотвращает смыкание области коллектора с подложкой. Для получения омических...

Номер патента: 1083858

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Гончаров, Григорьева, Кабузак, Томашпольский, Фролов, Чижик

МПК: H01L 23/12

Метки: интегральная, схема

...в данной конструкции электрически соединен коммутационными.проводниками свнутренними концами выводной рамки, 30контактная поверхность которых покрыта алюминием.Покрытие алюминием обеспечиваетвысокую надежность контакта коммута- .ционного проводника с внутреннимконцом выводной рамки. Однако следуетотметить, что, т.к. монтажная область кристаллодержателя также покрыта алюминием, возникают затрудненияв обеспечении надежного низкоомного 40контакта с полупроводниковым кристаллом.Это объясняется тем, что пайкак алюминию обычно осуществляется специальными припоями с использованием45агрессивных флюсов. Применение жеультразвуковых методов пайки вызывает значительные механические воздействия. на полупроводниковый кристалл,что приводит к его...

Номер патента: 858494

Опубликовано: 07.12.1988

Автор: Познанский

МПК: H01L 27/06

Метки: интегральная, схема

...канала конец этой области соединяется с положительным полюсом источника питания в случае р-канального транзистора,. При этом в качестведиода для отвода тока утечки затворатранзистора используется . р-и переход,образованный между подложкойи областью сопротивления. Входнойомический контакт выполняется на поверхности подложки.Устройство по изобретению может быть использовано, например в миниатюрном электретном микрофоне, для миниатюрного слухового аппарата, а также для усиления слабых электрических сигналов от высокоомных датчиков информации, в качестве высокоомного входа измерительных усилителей и преобразователей переменных электрических сигналов в постоянный ток, в сенсорных системах управления. Изобретение относится к...

Номер патента: 1040983

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Базжин, Фридман

МПК: H01L 23/02

Метки: гибридная, интегральная, микросхема

...а элементы межслойной коммутации выполнены в виДе слоевприпоя, расположенных на контактных площадках. рическое основание, слои пассивныхэлементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы.Недостатком известной конструкцииявляется низкая надежность схемЫ,обусловленная высокими значениями-температурных коэффициентов сопротивления (ТКС) и плохой временнойстабильностью пассивных элементов,а также нарушением элементов межслойной коммутации в виде молибденовыхстолбиков из-за коробления и усадкикерамических подложек в процессетермических операций,Цель изобретения - повышение надежности гибридных интегральных микросхем,Цель достигается тем, что в гибвключающей диэлектрическ ое осн ов ание,...

Номер патента: 1483627

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/00, H03K 19/092

Метки: интегральная, сбис, сверхбольшая, схема

...с несекционированной линией. Изобретение относится к микроэлектронике, вычислитеЛьной и импульснойтехнике и может быть использовано припроектировании линий связи и цепейсинхронизации СВИС, в том числе наКМДП-структурах.Цель изобретения - повышение быстродействия СВИС при одновременномрасширении функциональных возможностей.На чертеже представлена схема парафазного секционированиялиний связиКМДП СБИС.СБИС содержит первый 1 и второй 2 15двухтактные инвертирующие каскады(прямую) 4 и вторую (инверсную) 5линии связи, разделенные соответст ф о р м у л авенно на секции 44 г4;,+1,,4 и 51 ф 5 г, ,5;,5;,ф,5 к причем выходы первого 1 и второго 2двухтактных инвертирующих каскадовкаждой СПЗ 3 (3,3 3;,3; ,, 25,) соединены с входами соответствующих...

Номер патента: 1554150

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Ботнарь, Гречнев

МПК: H01L 23/04, H05K 7/00

Метки: интегральная, микросхема

...кристалла и корпуса, повышаетэксплуатационную надежность ИИС вусловиях механических воздействийза счет сужения диапазона резонансных частот выводов. При этом уменьшение длины диагональных выводовобеспечивает смещение границы диапазона вверх. Испытания показали, что для ИМС с золотыми проволочными выводами нижняя граница диапазона может быть смещена вверх на несколько килогерцПовышение технологичности конструкции корпуса И 11 С определяется обеспечением наиболее благоприятных условий для автоматизированной разварки выводов, Сокращаются ошибки прзиционирования и техпотери в зависимости от оборудования на 0-457., сроки технологической подготовки производства и затраты на усложнение сварного оборудования.Форма монтажной площадки в виде...

Номер патента: 1583995

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Шамардин

МПК: H01L 23/28

Метки: интегральная, микросхема

...выводов металлической рамки.Контактные площадки верхней поверхности соединяют через межслойные металлизировачные переходы с контактными площадками нижней поверхности, предназначенными для припайки выводов,Кристаллодержатель может быть выполнен из оксидированного алюминия с метал- лизированной разводкой на его поверхности.Положительный эфект от использования изобретения достигается за счет упрощения сборки конструкции, так как отпадает необходимость в прецизионной сборке и установке выводной рамки и кристалла.Кроме этого, происходит улучшение отвода тепла от кристалла за счет того, что кристаллодержатель обладает хорошей теплопроводностью и тепло передается во внешнюю среду (в том числе к печатной плате) через металлические выводы,...

Номер патента: 1597874

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Анисимов, Исаков, Капитонов, Соколов, Ясюкевич

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральная, микросхема, постоянного, стабилизатора

...компаратор 19 находится в первом устойчивом состоянии, т.е. на выходе 21 компаратора 19 устанавливается высокий потенциал, а на выходе 20 - низкий. Такое состояние компаратора 19 обеспечивает пребывание транзистора 17 в линейной области своей выходной характеристики и отсечку транзистора 16. При этом на затворе транзистора 3 появляется опорное напряжение положительной полярности, На выводе 11 появляется требуемое выходное напряжение одноименной полярности, Для получения стабилизатора напряжения отрицательной полярности выводы 10 и 11 микросхемы подключаются к отрицательной шине питания, вывод 9 - к общей (положительной шине питания, а вывод 23 - к нагрузке, В этом случае компаратор 19 изменяет свои выходные напряжения так, что на...

Номер патента: 1163776

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Гончаров, Томашпольский

МПК: H01L 31/02

Метки: интегральная, облучением, перепрограммируемая, схема, ультрафиолетовым

...усадка полимерного компаунда при.формировании изнего пропускающего ультрафиолетовыелучи защитного слоя, а также термомеханические воздействия на интеграль. ную схему при ее изготовлении вызывают вследствие разности коэффициентов термического расширения (КТР)защитного слоя и полупроводниковогокристалла разрушение соединений коммутационных проводников с полупроводниковым кристаллом. Это приводитк сниженюо выхода годных интегральньцс. схем; разность КТР защитного слоя иполупроводникового кристалла вызыва",ет на границе защитного слоя, адге зионно связанного.с поверхностью:;кристалла, внутренние напряжения,приводящие к йзменению структуры защитного слоя, что является причинойснижения им пропускной способностиультрафиолетовых лучей, а...

Номер патента: 1615691

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Андриевский, Исаков, Капитонов, Карелин, Соколов, Ясюкевич

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральная, микросхема, постоянного, стабилизатора

...в.первом устойчивомсостоянии, т.е, на первом выходе компаратора 25 устанавливается низкийпотенциал, а на втором выходе - высокий, Такое состояние компаратораобеспечивает насыщение транзисторов21 и 19 и отсечку транзисторов 14 и13,Для создания стабилизатора напряжения отрицательной полярности выводы 11 и 27 подключаются к.источникуотрицательного напряжения, выводы 29и 12 - к общей шине, а выводы 26 и27 соединяются между собой и с выходной шиной для подключения нагрузки,В этом случае компаратор 25 изменяетуровни своих выходных напряжений напротивоположные. При этом включаютсятранзисторы 13 и 14 и выключаютсятранзисторы 19 и 21,Микросхема работает следующим об 1 азом,В режиме формирования положительного напряжения усилитель сигнала...

Номер патента: 1700639

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Бобровников, Рябиков, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 21/52

Метки: герметичном, интегральная, корпусе, схема

...расширения (КТР). Это происходит благодаря тому, что толщина выводов не поевышает 35 мкм, в этом случае предел текучести алюминия меньше напряжений, созн)икающих в контактных слоях при перепадах температур, т,е. меньше величин напряжений, вызванных разностью КТР материалов стеклоприпоя и выводов.(роме этоо, такая толщина выводов позволяет присоединять их к кристаллу ультразвуковой сваркой беэ модификации контактных площадок, Экспериментально Тстан влено. что.при толщине выводов свы ше 35 мкм невозможно получить ненапряженные герметичные спаи с легкоплавким 1",.,Теклом. Толщину меньше 15 мкм получить сложноувеличивается трудоемкость иэготовл 8 ния.1(роме того, с целью повышения надежности интегральной схемы под выводы...

Номер патента: 1725294

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Проценко, Розе, Сергеев

МПК: H01L 23/34

Метки: интегральная, корпусе, матричном, микросхема

...в центреподложки, полупроводниковый кристалл,соединения его со схемой межсоединений и слой отвержденного герметика.Однако в указанных схемах не предусмотрена возможность получения корпуса интегральной микросхемы в од 40ном пакете совместно с теплоотводом,площадь внешней части которого выбрана равной площади монтажных слоев,На фиг.1 представлены составныечасти пакета; на фиг, 2 - интеграль 4ная микросхема в матричном корпусе всборе, разрез,Интегральная микросхема содержитплоский теплоотвод 1 (фиг.1) иэ ме 50 таллицеского, например медного илиалюминиевого, листа с матричной сеткой отверстий 2, диаметр которыхвыбран превышаюшимдиаметр металлизированных отверстий. 3 (фиг,2) под55штырьковые выводы 4, монтажные слои5 фиг.1) с рисунком...

Номер патента: 1589957

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Белоус, Коннов, Сахаров, Силин

МПК: H01L 27/10

Метки: интегральная, схема

...его исток соединен с общей.14 пф-типа вместе с электродами зат- шиной 19, сток соединен со стокомворов 15 и и-областей 17 истоков и р-канального ИОП-транзистора, исток35стоков покрыта пассивирующим диэлект- которого соединен с шиной питания 26.риком 18, на котором вдоль удлиненной . Разделение вторыми охранными облаобласти 7 р-типа размещена общая шина стями 14 и 23 р+- и и+-типов позволя"19 покрывающая вторую охранную об-ет использовать по одной шине питания940пасть 14 р-типа и края электродов зат- .26 и общей шине 19 для каждой парыворов 15 Под шиной 19 в пассивирую- ИОП-транзисторов, размещенных в облащем диэлектрике 18 сФормированы кон- стях 12 и 21, и тем самым уменьшитьтактные окна 20 к второй областп 14их количество в 2 раза,...

Номер патента: 1746439

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Карпов, Кисель, Малый, Силин, Смирнов, Чувелев

МПК: H01L 27/082

Метки: интегральная, схема

...ее одновременное внедрение под область эмиттера по меньшей мере одного иэ транзисторов на глубину превышающую глубину эмиттера,На фиг.1 изображена предлагаемая интегральная схема; на фиг.2 - поперечный разрез активной структуры первого, второго и третьего транзисторов интегральной схемы.Интегральная схема содержит первый транзистор 1, база которого через первый резистор 2 соединена с шиной питания+ Чсс 3, а с входом 4 схемы - через диод 5, включенный в направлении к входу 4 схемы. Коллектор транзистора 1 через второй резистор б соединен с шиной питания 3, а эмиттер - с базой второго транзистора 7. Эмиттер транзистора 7 соединен с базой третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен с общей шиной 9; Интегральная схема выполнена на...

Номер патента: 1746440

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 27/082

Метки: биполярная, интегральная, структура

...она эффективно собирает неосновные носители, инжектированные эмиттером горизонтального р - и - р-транзистора и увеличивает его коэффициент усиления,Возможен случай, когда вторая замкну-, тая область имеет глубину, равную глубине залегания базовых областей, Однако при этом необходимо учесть, что введенные первая замкнутая и эмиттерная области гори- зонтального транзистора имеют степень легирования больше, а глубину залегания меньше, что обеспечивает увеличение собирания носителей, инжектированных эмиттерной областью горизонтального р - и - р-транзистора за счет увеличения параметра (по кольцу) и площади собирающей части (носители собирает как первая замкнутая область. так и более глубоко залегающие участки баз вертикальных и - р -...