Гибридная интегральная микросхема
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
,8010409 СОЮЗ СОВЕТСКИХ,СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1 1.23 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВИДЕТЕЛЬСТВУ АВТОРСКОМ 3879/18-2103.7905,89. Бюл. 11) 19 ль о-исследо рский инс н итут и т н, приборов и средств жин и Е (088.8) Н.Н.Тех тельных1976, оектиро.Фри М.Ба 1,38 аков испи леменноло гиямашин.с.,268вания миПод реское ра М.) 269.кроэлек Высоцио, 1978 к вы пр аппа М,47.ы овет идной тегральнои микросхеме,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(21) 27 (22) 06 (46) 23 (71) На ко истру тельных измерен (72) Ю, (53) 62 (56) Уш тов выч ВысшаяО сно тронной кого В. с. 241 Изобретение относится к электрон ной технике и может быть использова но для создания функционально закон ченных узлов и блоков радиоэлектрон ной аппаратуры.Известна конструкция гибридной интегральной схемы) включающая диэлектрическое основание, тонкопленочные слои пассивных элементов, ра деляющие их диэлектрические слои и навесныеактивные элементы.Недостатками данной конструкции являются невысокая точность и стабильность пленочных пассивных элементов и ограниченное число споев в схеме.Наиболее близкой по технической сущности и достигаемому результату является конструкция гибридной интегральной схемы, включающая диэлек 2(54) (57) ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА) включающая диэлектрическое основание, слои пассивных элементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы, о т л и - ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности, слои пассивных элементов выполнены иэ фольги, боковые поверхности схемы содержат ступени с расположенными на них контактными площадками, а элементы межслойной коммутации выполнены в виДе слоевприпоя, расположенных на контактных площадках. рическое основание, слои пассивныхэлементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы.Недостатком известной конструкцииявляется низкая надежность схемЫ,обусловленная высокими значениями-температурных коэффициентов сопротивления (ТКС) и плохой временнойстабильностью пассивных элементов,а также нарушением элементов межслойной коммутации в виде молибденовыхстолбиков из-за коробления и усадкикерамических подложек в процессетермических операций,Цель изобретения - повышение надежности гибридных интегральных микросхем,Цель достигается тем, что в гибвключающей диэлектрическ ое осн ов ание, слои пассивных элементов, разделяющие их слои диэлектрика, элемен ты м 6 жслойной коммутации и навесные активные элементы, слои пассивных элементов выполнены из фольги, боковые поверхности схемы содержат ступени с расположенными на них контактными площадками, а элементы межслойной коммутации выполнены в. виде слоев припоя, расположенных на контактных площадках.На фиг. 1 представлен общий вид конструкции; на фиг. 2 - отдельный слой схемы.Схема содержит диэлектрическое основание 1, слои пассивных элементов 2, разделяющие их слои диэлектрика 3, ступени 4 на боковых поверхностях схемы, контактные площадки 5, межслойную коммутацию в виде слоя, затвердевшего припоя 6 и активные навесные элементы 7.Для изготовления устройства листы фольги после химической обработки покрывают с одной стороны фоторезистом и производят фотолитографию дляполучения пассивных элементов 2. Затем на вторую сторону фольги наносят.лак для формирования слоя диэлектрика 3, после чего полученные слоиукладывают согласно топологии на основании 1 и подвергают термообработке при Т = 180 - 200 С, при которойобразуется монолитная структура. Далее осуществляют межслойные соединения путем погружения в расплав припоя ступенчатых боковых поверхностейсхемы с расположенными на них контактными площадками 5,Изобретение позволяет существенноповысить надежность гибридных интегральных микросхем за счет того, чтоиспользование фольговых пассивныхэлементов дает возможность на порядок повысить ТКС элементов, в несколько раз улучшить их временнуюстабильность и осуществлять межслойную коммутацию массой припоя без дополнительных родико.
СмотретьЗаявка
2733879, 06.03.1979
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И КОНСТРУКТОРСКИЙ ИНСТИТУТ ИСПЫТАТЕЛЬНЫХ МАШИН, ПРИБОРОВ И СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ МАСС
БАЗЖИН Ю. М, ФРИДМАН Е. М
МПК / Метки
МПК: H01L 23/02
Метки: гибридная, интегральная, микросхема
Опубликовано: 23.05.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1040983-gibridnaya-integralnaya-mikroskhema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Гибридная интегральная микросхема</a>
Устройство для ориентации запирающего слоя заготовок селеновых элементов к автоматусортировки
Номер патента: 155560
Опубликовано: 01.01.1963
Авторы: Бабиков, Бокарев, Депутатов, Парфенов, Сербии, Чарский
МПК: H01L 21/00
Метки: автоматусортировки, заготовок, запирающего, ориентации, селеновых, слоя, элементов
...9, и пружину возврата 10; механизм сбрасыванпя отобранных в момент замера селеновых элементов, состоящий из электромагнитов 11 и выбиваемых упоров 12, которые воздействуют на рычаг 13 заслонки 5 в период сброса элемента при повороте диска.Кроме того, устройство включает механизм вибрационного цилиндрического бункера 14; устройство для ориентации поступающих из вибробункера селеновых элементов, состоящее из подвижных направляющих 15, соединенных шарнирно с электромагнитами 1 б, щупа 17, соединенного шарнирно с электромагнитом 18, и лотка 19 сброса элементов в гнезда диска.При включении автомата элементы, засыпанные в вибробутнкер 14, поднимаясь по винтовой линии, заходят в направляющие 15 механизма ориентации, На этой позиции щуп...
Распределитель импульсов на пассивных элементах
Номер патента: 220312
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Забидаров
МПК: H03K 17/74
Метки: импульсов, пассивных, распределитель, элементах
...ячейке фазосдвигающие мостовые схемы с формирователем, известны.Предлагаемый распределитель на пассивных элементах отличается от известных тем, что формирователи в каждой ячейке включены в диагонали фазосдвигающих мостовых схем, а вторая диагональ, являющаяся общей для всех ячеек, подключена к источнику переменного напряжения. Это повышает надежность работы распределителя.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема распределителя импульсов (РИ).Каждая ячейка РИ, питающаяся переменным напряжением от общего делителя, состоит из фазосдвигающей цепи 1 С, И, совместно с активными сопротивлениями 1 Я и 2 й образующей мост, в диагональ которого включен формирователь импульсов из параллельного двустороннего ограничителя 4 Р, 1...
Измеритель нелинейности пассивных элементов
Номер патента: 721769
Опубликовано: 15.03.1980
Автор: Столяр
МПК: G01R 27/02
Метки: измеритель, нелинейности, пассивных, элементов
...то есть не будет хватать разрешающей способности для егоизмерения, Напряжение третьей гармоники вТираж 10 ИИПИ Заказ 12 дписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 72176резисторах без дефектов определяется температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) икоэффициентом напряжения этих резисторов 31.Для тонкопленочных резисторов напряжениетретьей гармоники определяется в основномТКС и прямо пропорционально ему. Поэтомупо величине напряжения третьей гармоникиможно судить о ТКС. Разрешающая способностьизмерителя нелинейности пассивных элементовв этом случае определяет возможность измеренияоТКС.Целью изобретения является повышение разрешающей способности измерителя нелинейностипассивных элементов.Указанная цель достигается...
Способ определения глубины слоя перераспределения легирующих элементов
Номер патента: 311176
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: G01N 3/42
Метки: глубины, легирующих, перераспределения, слоя, элементов
...может иметь различную форму (пирамида, шарик и т. д.). Исследуемую поверхность подвергают термообработке, а затем внедряют в нее тот же индектор при постепенно возврастающей нагрузке. Определяют параметры отпечатков, соответствующие заданной нагрузке, Точность определения глубины слоя перераспределения легирующих элементов повышается с уменьшением разницы между последующими и предыдущими величинами приложенной нагрузки, Строят зависимость параметров отпечатков от величины нагрузки. По отклонениям полученной зависимости от прямолинейной находят уча,гЙ Пос тмст изобретенияСпособ определения глубины слоя пере 10 О аспределения легирующих элементов, заключагощиР 1 ся в том, по гредварительно подгогазливают исследуемую поверхность образца,...
Способ пуска печи кипящего слоя с теплоотводящими элементами
Номер патента: 1441146
Опубликовано: 30.11.1988
Авторы: Гринберг, Едзиев, Зак, Кучмин, Рожанский, Соловьев, Ходов
МПК: F27B 15/00
Метки: кипящего, печи, пуска, слоя, теплоотводящими, элементами
...теплоизоляции снижает теплоотвод примерно в семь раз, т, е. приводит к увеличению количества тепла, идущего на разогрев собственного слоя и, соответственно, к снижению расхода топлива и сокращению времени пуска печи. Выполнение слоя теплоизоляции из асбеста обусловлено низкой абразивной стойкостью этого материала и его быстрым истиранием огарком при выходе на рабочие технологические параметры.Толщина слоя теплоизоляции 3 - 5 мм обусловлена тем, что теплоотводящие элементы должны иметь теплоизоляцию только до выхода печи на рабочие технологические параметры. После этого теплоотводящие элементы должны начать теплоотвод избыточного тепла кипящего слоя и отходящих газов, т. е. теплоизоляция должна быть разрушена. Выбор толщины слоя...
Предыдущий патент: Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов
Следующий патент: Устройство для коррекции двигательных функций
Случайный патент: Контакт электролизной ванны