Интегральная микросхема

Номер патента: 1554150

Авторы: Ботнарь, Гречнев

ZIP архив

Текст

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности, к конструкциям корпусов интегральных микросхем(ИИС) различных типов, в которых5применяется проволочное соединениеконтактных площадок полупроводникового кристалла с внешними выводами.Цель изобретения - повышениеэксплуатационной надежности ИМС итехнологичности конструкции.На фиг.1 изображена И 1 РС; на фиг.2разрез А-А на фиг,1.ИИС содержит корпус, состоящийиз основания с металлическим дном1 и керамической рамки 2 с выводами3. Выводы 3 образуют во внутреннемобъеме корпуса ИИС контактные площадки 4, расположенные по периметрумонтажной площадки 5 для установки 20полупроводникового кристалла 6,проволочные перемычки 7 приваренык контактным площадкам полупроводникового кристалла 6 и контактнымплощадкам 4. Монтажная площадка 5 25имеет форму усеченного эллипса.В зависимости от размеров применяемых кристаллов усеченный эллипс,учитывая необходимые требования поразмещению кристаллов в корпусе, 30строится следующим образом, Точка4пересечения осей симметрии эллипсаразмещается в центре монтажной площадки. Вершины эллипса по малой осии фокусы эллипса располагаются на35рекомендуемом расстоянии с учетомнеобходимого зазора (например,1,25 мм) от соответствующих сторонпрямоугольного кристалла, Строитсязаданный эллипс и отсекается с двух.сторон перпендикулярами к оси нафокусном расстоянии от центра,Обеспечение одинаковой длины иоднородности форм проволочных выводов, соединяющих контактные площадки кристалла и корпуса, повышаетэксплуатационную надежность ИИС вусловиях механических воздействийза счет сужения диапазона резонансных частот выводов. При этом уменьшение длины диагональных выводовобеспечивает смещение границы диапазона вверх. Испытания показали, что для ИМС с золотыми проволочными выводами нижняя граница диапазона может быть смещена вверх на несколько килогерцПовышение технологичности конструкции корпуса И 11 С определяется обеспечением наиболее благоприятных условий для автоматизированной разварки выводов, Сокращаются ошибки прзиционирования и техпотери в зависимости от оборудования на 0-457., сроки технологической подготовки производства и затраты на усложнение сварного оборудования.Форма монтажной площадки в виде усеченного эллипса обеспечивает снижение материалоемкости, в т,чрасхода драгметаллов (золота) за счет уменьшения длины соединений (до 11,7%) и площади золоченых поверхностей рамки выводной и монтажной площадки (до 500 г на млн корпусов),Кроме того, при геометрической однородности выводов обеспечивается возможность повышения достоверности результатов измерения разрушающих и неразрушающих сил при испытании выводов на механическую прочность. Формула изобретенияИнтегральная микросхема, содер" жащая корпус, выполненный в виде герметично соединенных между собой крышки и Основания с монтажной пло" щадкой и контактными площадками, расположенными по периметру монтажной площадки, выводы, размещенные в основании и электрически соединенные внутренними концами с.контактными площадками основания, закрепленный на монтажной площадке основания кристалл, контактные площадки которого электрически соединены с контактными площадками основания посредством перемычек о т л и ч а ю - щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности и технологичности конструкции, монтажная площадка основания выполнена в форме эллипса, усеченного в направлении большей оси,1554150Составитель В.Садов Редактор М,Товтин Техред 11,Дидык Корректор Н.РевскаяЗаказ 466 Тираж 687 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Смотреть

Заявка

4437259, 06.06.1988

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2690

БОТНАРЬ ВАЛЕРИЙ ИВАНОВИЧ, ГРЕЧНЕВ НИКОЛАЙ АНАТОЛЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 23/04, H05K 7/00

Метки: интегральная, микросхема

Опубликовано: 30.03.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1554150-integralnaya-mikroskhema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интегральная микросхема</a>

Похожие патенты