H03K 19/088 — транзисторные логические схемы с транзисторными связями

Номер патента: 233012

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Петрос, Ширин

МПК: H03K 19/088

Метки: «или—не», «и—не», логическая, схема

...транзистора соединен с базой, а другой - с коллектором инвертирующего транзистора.Это позволяет повысить быстродействие схемы.На чертеже приведенсторно-транзисторнаяИ - НЕ (ИЛИ - НЕ).Она состоит из двух многоэмиттерных транзисторов 1 и 2 и инвертирующего транзистора а, Один из эмиттеров транзистора 2 соединен с базой инвертирующего транзистора 3 и резистором 4, а другой - с коллектором транзистора 3 и выходом схемы 5. При высоком уровне на всех входах база-эмиттерные переходы транзистора 1 обратно смещены, отперт переход оаза в коллект. При этом отперты транзисторы 2 и,3 и благодаря нелинейной обратной связи осуществляемой двумя эмиттерными переходами многоэмиттерного 5 транзистора 2, предотвращено насыщениетранзистора 3. При этом...

Номер патента: 235104

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Долкарт, Каневский, Новик, Степанов

МПК: H03K 19/088

Метки: логическая, не, схема

...транзистор 1, коллектор которого соединен с базой усилительного каскада на транзисторе 2 и резисторах 8 и 4: коллектор транзистора 2 подключен к базе входного каскада 5 составного транзистора, а эмиттер - к базе выходного транзистора б. Коллектор выходноготранзистора б соединен с базой выходногокаскада 7 составного транзистора через резистор 8. Коллектор составного транзистора через резистор о соединсн с плюсовой шинойисточника питания.При подаче на выход входного многоэмитО терного транзистора 1 низкого потенциала токчерез резистор 10 переключается в эмиттсрэтого транзистора, так что транзистор 2 выключается, и ток через его коллекторный резистор 8 переключается в базу входного кас 5 када б составного транзистора.Резистор 4...

Номер патента: 255984

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Мишин, Хрущев

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, универсальный, элемент

...5 переключается в 0, т. е, из состояния низкой прсводимости в состояние высокой проводимости, по входам 8 и 9 - сигналы, под действием которых запоминающий элемент переключается в 1, т. е. пз состояния высо;ой проводпмос 1 и в состояние низкой проводимости, по входам 10 и 11 - спгпалы логических переменных. Выход элеменга - 12. Питание элемента осуществляется по входам 13 - 15,В качестве запоминающего элемента 5 может быть использован прибор со структурой р - гг - р - гг либо двухполюсный прибор со структурой металл-диэлектрик-металл, принцип работы которого основан на электродиффузии ионов одного из металлов в диэлектрик.При подаче сигналов на ооа эмиттера транзистора 1 потенциал на элементе 5 увеличивается, и он переключается в...

Номер патента: 260680

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Гриккевич

МПК: H03K 19/088

Метки: «и-или», «и—или—не», логический, элемент

...возможности совмещенной во времени и месте реализации логических функций И - ИЛИ - НЕи И - ИЛИ, что важно для построения логических сетей быстродействующих вычислительных машин,Предложенный логический элемент отличается тем, что коллектор усилительного транзистора через инерционный диод подключен кбазе дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, коллекторкоторого соединен с выходом элемента, Это 30 12 для его надежного застор 14 подключена к шп260680 Предмет изобретения Составитель Ю. Н. Колотовнбицкая Техред А. А. Камышникова Корректор Н. С, Сударенков Редак Подписноеинистров СССР каз 1116/12 Тираж ЬООНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветМосква Ж, Раушская наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунова...

Номер патента: 262171

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Петрос, Таии, Ширин

МПК: H03K 19/088

Метки: 262171

...схема с инвертирующим каскадом на выходе, собранная на двух транзисторах, которые управляются противофазными сигналами, снимаемыми с коллектора и эмиттера транзистора промежуточного каскада, При запертом состоянии промежуточного транзистора заперт также один из выходных транзисторов, и на выходе схемы имеется высокий уровень напряжения. При отпертом и насыщенном режиме промежуточного транзистора один из выходных транзисторов отпирается и между базой и эмиттером другого выходного транзистора прилагается напрякение, которое может привести к нежелательному отпиранию этого транзистора,Для предотвращения этого явления в цепи между эмиттером и коллектором выходных транзисторов включается дополнительный диод, При выводе транзистора из...

Номер патента: 266837

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Казарь

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, пороговый, элемент

...К Порог срабатывания О элемента определяется величинами резисторов 8 и 9, подключенных между источником питания и соответствующими базами транзисторов 10, 11 выходного переключателя, прямой и инверсный выходы которого соответственно 12 и 18. При этом эмиттер транзистора 6, соединенный с базой транзистора 5, является выходом опорного напряжения, а два других его эмиттера - выходами фиксирующих напряжений. При отсутствии входных при Хь Хэ Х 5 = О, транзист поэтому транзистор 10 открь выходе 12 порогового элемента потенциал (логический О), эмиттеры многоэмиттер ного проводят ток, транзистор 11 з ходе И имеется высокий пот266837 Составитель В. Е, Валюженинзнецова Техред Т, П. Курилко Корректор Л. Б, Бадылаь Редактор О. Тираж 480 Подписи...

Номер патента: 272369

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H03K 19/088

Метки: 272369

...а именно к логическим устройствам, питающимся входными импульсами.Известны устройства, реализующие логическую операцию И, питающиеся от входных импульсов, выполненные на разнотипных транзисторах и содержащие общий вход, связанный с выходным транзистором, имеющим определенный тип проводимости, и другие входы, связанные с транзисторами противоположного типа проводимости.Однако такие устройства требуют мощных источников входных импульсов, недостаточно надекны и имеют не больше двух входов.С целью повышения надежности и уменьшения потребляемой мощности в предложенном устройстве коллектор выходного транзистора, являющийся общим входом, соединен через сопротивление с собственной базой, которая, в свою очередь, соединена со всеми эмиттерами...

Номер патента: 275123

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Бирюков

МПК: H03K 19/088

Метки: 275123

...диод. Для надежной работы такого ццвертора в диапазоне температур от - 60 до +120"С необходимо напряжение питания 5 в.Предложенный инвертор отличается тем, что в нем с целью понижения велцчиш. напряжения питания между базой одного цз транзисторов выходного каскада и коллектором промежуточного транзистора включен резистор, а к точке соединения резистора ц базы выходного транзистора подключен коллектор дополнительного, эмиттср которого подключен к точке соедиценця эмиттера и коллектора выходных транзисторов, а база дополнительного транзистора через резистор подкгцочеца к базе промежуто кого транзистора.1-а чертеже приведена схема ццвертора.Инвертор содержит входной многоэмиттерный транзистор 1, промежуточный транзистор 2 и выходной...

Номер патента: 294253

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Шагалин

МПК: H03K 19/088

Метки: быстродействующая, интегральная, логическая, схема, транзисторнотранзисторная

...базы выходного транзистора со входами схемы через диоды Шоттки. Таким образом удается уменьшить сопротивление цепи, по которой протекает базовый рассасывающий ток выход ного транзистора, в результате чего ускоряется его рассасыванце, а следовательно ц задержка выключения всей схемы.Так как прц наличии единичного сигнала на одном цз входов схемы база выходного транзистора оказывается подключенной к этому входу через открытый диод Шотткц, то отпадает необходимость в шунтцрованцц эмцттерного перехода выходного транзистора. Поэтому ускоряется включение выходного транзистора.Сущность изобретения поясняется чертежом.Транзисторы 1 - 5, диод Шоттки б ц резисторы 7 - 11 образуют обычную ТТЛ схему.База выходного транзистора 5 через диоды Шотткц...

Номер патента: 305587

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Бирюков

МПК: H03K 19/088

Метки: 305587

...9 инвертора напряжение стабилизируется на уровне напряжения на базе транзистора 3 5 (порядка О, в). При подаче низкого уровнянапряжения хотя бы на один вход транзистора 1 транзисторы 2 и 3 запираются, эмиттерный повторитель 4 отпирается, напряжение на выходе 9 повышается, при достиже нии уровня приблизительно 2,1 в (при двухдиодах в эмиттерной цепи транзистора 5) последний отпирается и напряжение на выходе 9 стабилизируется на уровне 2,1 в. Порог переключения инвертора определяется 25 напряжениями отпирания транзисторов 2 и3 и составляет около 1,4 в. Статическая помехоустойчивость инвертора к помехам различной полярности, определяемая как величина, несколько меньшая разности между 30 соответствующим выходным уровнем и по305587 Предмет...

Номер патента: 314307

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Арустам, Саркис

МПК: H03K 19/088

Метки: 314307

...относится к области электроники и вычислительной техники.Известны устройства, содержащие входной многоэмиттерный транзистор, соединенный коллектором с базой промежуточного транзистора, коллектор и эмиттер которого подключены к базам двух выходных последовательно включенных транзисторов.Описываемая логическая схема отличается от известных тем, что она содержит дополнительный транзистор, подключенный своим коллектором к эмиттеру промежуточного транзистора, эмиттером - к коллектору входного транзистора, а базой через резистор - к базе входного транзистора,Это позволяет повысить быстродействие устройства.На чертеже изображена схема устройства.Выходной каскад содержит два последовательно включенных транзистора 1 и 2, базы которых подсоединены...

Номер патента: 337944

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Бирюков

МПК: H03K 19/088

Метки: 337944

...к базе транзистора 2, Коллектор транзистора 2 соединен с базой выходного эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторе 8, а эмиттер - ,с базой выходного инвертирующего транзистора 4. С базой транзистора 4 связан исток палевого транзистора Б с р-и переходом, сток, которого подключен к эмиттеру транзистора 4, а затвор - к базе (или коллектору) транзистора 1.Инвертор работает следующим образом,Пусть в исходном состоянии на входах ин.вертора низкий потенциал. На затворе полевого транзистора 5 низкий потенциал, отпирающий его. Транзисторы 2 и 4 заперты на 5 выходе инвертора высокий потенциал. Приподаче высокого потенциала на входы инвертора полевой транзистор а запирается, транзистор 2 отпирается, и весь ток эмиттера...

Номер патента: 344585

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бодина, Кравцунова, Подольский

МПК: H03K 19/088

Метки: к.б, лб, родини, турецкийj

...включенных инвертирующего и нагрузочного транзисторов, имеют низкое быстродействие, а также содержат технологически неосвоенные элементы.В предлагаемом элементе коллектор и база промежуточного и инвертирующего транзисторов соединены соответственно с эмитте ром и коллектором рассасывающих транзисторов, а базы рассасывающих транзисторов через резистор подключены к базе многоэмиттерного тр анзистора.На чертеже изображена принципиальная 20 схема предлагаемого логического элемента.В предлагаемом логическом элементе повышение быстродействия достигается включением параллельно коллекторным переходам многоэмиттерного транзистора 1 и тран зистора 2 управляющих транзисторов 3 и 4 Транзисторы подключаются своими эмиттерами к коллекторам...

Номер патента: 350176

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гор, Климашин, Мансуров, Ржанов, Талибов, Филиппов, Якушев

МПК: H03K 19/088

Метки: «и—или-не», логический, элемент

...в обратном направлении.Работа логического элемента, выполняющего функцию И - ИЛИ - НЕ Г=аб+сг 1, когда 1 высокому уровню, происходит следу 10- щпм образом.Прп отпирании входного транзистора 1, когда а=1, Ь 0, уровень открытого транзистора 1 недостаточен для отпирания выходного транзистора 3, поэтому ца выходе логического элемента появляется высокий уровень - 1. Уровни оа входах с и д це окажут влцянпя ца уровень выхода логического элемента. Аналогично прп с=О ц д=О открывается транзистор 2, ц ца выходе логического элемента возникает высокий уровень - 1.При всех друп 1 х сочетаниях логических уровней на входах а, Ь, с, д транзистор 3 открыт, и ца выходе логического элемента возсцикает низкий уровень 0, Диоды 4 и 5 смещения...

Номер патента: 352399

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Бирюков

МПК: H03K 19/088

Метки: k11аштш-т1к, всесоюзная, гй, п.и

...1 сВо надежно работдет прц напряжении питания 4 3 +.10;, при 1 = в ЬО -1 т О 1 редме Нзобретени Инвергор, содерж;:щии входсборку, промежуточный трднзпоследовательно включенныеи нагрузочцый транзисторы,тем, что, с целью повышениялдержит Волево транзисторсгОим затвором к шине пцтди коллек гор 1 ромежуточногсСтоКОМ - К ОЗЗЕ ВЫХОДНОГО НДзистора. с присоединением заявкиИзобретение относится к области вычислительной техики и может оыть использовано в вычислительных машинах, построенных нд интегральных схемах,Известен инвертор, содержащий Входну 1 О логическую сборку, промежуточный трдцзи стор, выходные последовательно вкл 1 очецы. ин 1 вертиру 1 ои 11 й и 1 ВгрузочныЙ трднзпстогыОДНаКО ИЗВСстЫй ИНВЕРтОР 3 аЛО НаДЕжет в работе.Цель...

Номер патента: 355744

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Петрос, Ширин

МПК: H03K 19/088

Метки: 355744

...1.Й коллскгором и эмиттером соответственно с базами пягрузочцого и инвсртирующего транзисторов 20 выходного каскада, дополнительный транзистор, ог,гичагогггиггся тем, что, с целью повышсция быстродействия и помехоустойчивости, в цсм допо,шитсльцый транзистор подкгпочсп коллектором через диод с накоплс;исм заря да к базе ипвертирующего транзистора, базой - через резистор к шпцс питания, а эмпттером - к эмиттеру входного тря зпстора и шшс входного сигнала. Изобрс хцике,Известен элемент транзисторно-транзисторной логики, содержащий входной транзистор, промекуточпый транзистор, соединенный коллектором и эмиттером соответственно с базами цагрузочпого и ицвсртирующего трацзисторов выходного каскада, дополцптельцыи транзистор.Цель...

Номер патента: 356789

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Бирюков

МПК: H03K 19/088

Метки: 356789

...противоположного типа проводимости.Выход входной логической уепи"/ (фиг. 1) подключен через несколько смещающих диодов 2 к базе инвертирющега,транзистора 3, к коллектору которого прдключен резистор 4 и затвор полевого транзистора б, сток последнего подключен -к. базе транзистора 3, исток в к выходу логической цепи 1.Вывод б является,выходом инвертора, на выводы 7 и 8 подаемся питание.Инвертор работает следующим образом, В исхода;состоянии на входы логической цепи 1 нодан низкий потенциал, диоды 2, транзисторы 3 и 5 заперты, на выводе б - высокий иотенциал. При повышении входного наттряжфия до напряжения порядка 1,8 в ди 6 ды"2 и транзистор 3 отпираются, напряжение на выводе б снижается. При снижении найряжения на выходе до порога...

Номер патента: 358786

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Изобретет, Шахраман

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, не, транзисторно-транзисторный, элеаент«и

Номер патента: 359763

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Московский, Наумов, Пучков, Щебаров

МПК: H03K 19/088

Метки: amp, «и—неgt, логический, элемент

...несколько 25 диодов 8 подключен к источнику питания, и резистор а 9, обеспечивающего цепь тока утечки.Схема рабоКогда хотя атее тает следующим образом. бы на одном,из входов их низкий уровень напряжения (логический О), транзистор 2,находится в насыщении и потенциал коллектора выше потегоциала эмиттера на величину напряжения насыщения транзистора, Делителем напряжения, состоящим из резисторов 6 и 7, потенциал базы транзистора 5 вьгбирается таким, чтобы его эмитторный переход был смещен в обратном направлении. В этом режиме транзистор 5 находится в отсечке и ко входу инвертора 4 лриложен низкий уровень напряжения. На вьгходе,инвертора 4,обеспечивается высокий уровень на 1 пряжения (логическая 1),Если на всех входах схемы повышать...

Номер патента: 409382

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Барбасов, Белов, Неустроев, Соловьев

МПК: H03K 19/088

Метки: не, транзисторно-транзисторный, элемент

...транзистора 12 выходного каскада 10 и отпиранию транзистора 7 усилцтельного каскада 8 и цнвертцрующего грацз 5 Сторя 9 с:)дзсмлсцньм эмиттсром. Няпря)кс 1 гцс ца выходе 6 устройства уменьша. ется до значения напряжения насыщения .ЕЖДУ КО:1 ЛСКТОРОЪ 1 Ц ЭЪ 1 ИТТЕРОМ ОТКРЫТОО транзистора. 1 ок через резистор 18 ответвлястг 5 в коллектор транзистора 2 ц чс 1)сз рези409382 Предмет изобретения 15 Дуброве Составител Корректор Гекрен 3, Тараненк е;: а кто р Е. Ка р аул о ва ькова Тарак 768 онннсн Ле 1дарствено валат осква, / 1 а 1 ИИГ 1 И Госуаква 8 нтета Совета Мнннстров ССС ог ваобретеннй и открытпй 4,о Зо, Раугнскаа наб,Обл. тнн. Костромского унравненаа нздатетьств, нотнг)афнн н кннгкной торгова 3стор 5 в коллектор транзистора 7. Ток...

Номер патента: 369714

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Пучков

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, элемент

...резистор 11 к выходу схемы, Ключевой транзистор 8 соединен базой с коллектором многоэмиттерного транзистора 2, коллектором - с инверто ром 4, а эмиттером - со среднеи точкон между резисторами б и б. Дополнительный транзистор 10 коллектором подключается к средней точке между резисторами б и 7.Устройство работает следующим образом.Если на одном из входов имеется низкий уровень напряжения (логический О), то многоэмиттерный транзистор 2 находится в насыщении, потенциал коллектора выше потенциала эмиттера на величину напряжения насыщения транзистора. В этом режиме потенциал эмиттера ключевого транзистора 8 выбирается резистивным делителем, состоящим из резисторов 5, б и 7, таким, что его эмиттерный переход закрыт; в результате на инвертор 4...

Номер патента: 412683

Опубликовано: 25.01.1974

МПК: H03K 19/088

Метки: 412683

...известного тем, что в него введен диод и ключевой транзистор по схеме с общим эмиттером, коллектор которого через резистор соединен с базой дополнительного транзистора, а база ключевого транзистора через диод, включенный в прямом направлении, подключена к коллектору дополнительного транзистора. Это позволяет повысить помехоустойчивость элемента.На чертеже представлена схема предложенного элемента.Он содержит входной многоэмиттерный транзистор 1, дополнительный транзистор 2 другого типа проводимости, инвертор 3, резистивный делитель 4, ключевой транзистор 5 и диод б,Если на входе низкий уровень напряжения, то транзисторы 2 и 5 и инвертор 3 закрыты. Открывание элемента однозначно определяется потенциалом средней точки резистпвного делителя...

Номер патента: 416879

Опубликовано: 25.02.1974

МПК: H03K 19/088

Метки: 416879

...одцовреме Для этого в устройство введен дополнительный инвертор, состоящий из двух транзисторов разного типа проводимости, коллекторы которых взаимно соединены с базами, причем вход дополнительного инвертора присоединен к выходу элемента И, а выход - ко входу сложного ицвертора.Изобретение поясцецо чертежом.Логическая схема содержит элемент И 1, выполненный на мцогоэмиттерном транзисторе 2 и резисторе 3, сложный инвертор 4 и дополнительный инвертор 5. Инвертор 5 состоит из транзисторов 6 и 7 разного типа проводимости, коллекторы которых взаимно соединены с базами. Схема работает следующим образом, Когда хотя бы на один из входов схемы подан низктдй уровень напряжения (логический С), то транзистор 2 находится в насыщении 5 и потенциал...

Номер патента: 902261

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Громов, Смирнов

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральный, логический, транзисторно-транзисторный, элемент

...коллектора двухколлекторного транзистора 5 ответвляется в насыщенный фазорасщепляющий транзистор 2, на коллекторе которого устанавливается низкий уровень напряжения, недостаточный для отпирания верхнего транзистора 3 и диода 10. На выходе элемента формируется выходной уровень логического "0" (напряжение насыщения О. нижнего транзистора 4).При поступлении напряжения логи, ческого 0" на один из информацион50 ных входов (В) напряжение на базе входного многоколлекторного транзистора 1 уменьшается, фаэорасщепляющий 2 и нижний 4 транзисторы сложного выходного инвертора запираются. Ток второго коллектора двухколлекторного транзистора 5 переключается в базу верхнего транзистора 43 и открывает его, При этом двухколлекторный транзистор 5 по...

Номер патента: 902262

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Громов, Смирнов

МПК: H03K 19/088

Метки: согласования

...генератора 1 тока ответвляется в предыдущее устройство. Весь ток, текущий через Резис тор 3; поступает в базу фазорасщепляющего транзистора 5, открывает и насыщает его,На базе транзистора 7 поддерживается низкий уровень напряжения,недостаточный для отпирания транзистора 7, Так как входной транзистор2 заперт,то весь ток, текущийчерез эмиттер фазорасщепляющеготранзистора 5, поступает в базутранзистора 9 и вызывает форсированное его включение и насыщение,На выхрде схемы формируется низкийуровень напряжения логического "0"(напряжение насыщения О,н транзис- фтора 9).При подаче на вход устройства напряжения высокого уровня логической"1"(в этом случае предыдущий транзистор с инжекционным питанием заперт 55и напряжение логической...

Номер патента: 1001479

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Еремин, Федонин, Черняк

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральная, логическая, схема

...10, включенного по схеме эмиттерного повторителя, При этом в базу транзистора 9 задается избыточный ток, обес-печивающий его быстрое включение, причем величина этого избыточного тока может быть весьма значительной и ограничивается, практически, лишь резистором 15, сопротивление которого выполняется небольшой величины.В начальный момент времени, когда транзистор 9 еще не включился, ток через диод 11 протекать не может и падение напряжейия на резисторах 1 и 12 примерно равны, Напряжение на базе транзистора 5 быстро снижается, что также способствует более быстрому включению выходного транзистора 9. Как только включится выходной транзистор 9, и на его коллекторе напряжение станет равным. падению напряжения на прямосмещенном р-п-переходе,...

Номер патента: 1001480

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Синеокий

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральная, логическая, схема

...которыхподключена база транзистора 13 парафазного каскада, коллектор и эмиттеркоторого соответственно подключенык коллектору транзистора 3 и анодудиода б.Все эмиттеры входного многоэмиттерного транзистора 1, кроме одногодополнительного, подключены к входам14 схемы, дополнительный эмиттер транзистора 1 связан с коллекторами транзисторов 3 и 3 парафазного каскада,Предлагаемое устройство работаетследующим образом.При подаче на входы 14 низкого уровня напряжения логического "0" транзистор 3 парафазного каскада будетзакрыт, При этом буДет также закрыттранзистор 8, в базу которого невтекает ток. На выходе 9 микросхемысоздается высокий уровень напряжения,,а входной транзистор благодаря действию обратной связи с базы на коллектор церез...

Номер патента: 1035802

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Аврамиди, Акопов

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-инвертор

...по схеме с общей базой,коллектор которого подключен к базе выходноготранзистора, включенного по схеме собщим эмиттером, а коллектор черезнагрузочный резистор подключен к шине 1 Опитания 1.Недостатком известного ТТЛ-инвертора является невысокая нагрузочная способность схемы из-за наличия реэистивной нагрузки в цепи коллектора выхопного транзистора.Известен также ТТЛ-инвертор, содержащий входной транзистор, база которогоподключена к входу устройства, амиттер -к общей шине, коллектор через резистор - 2 Ок шине питания и базе первого выходноготранзистора, коллектор которого подключенк шине шггания, а эмиттер - к выходу устройства и коллектору второго выходноготранэпстора, эмиттер которого подклочен, к общей шине, а база - к...

Номер патента: 1067601

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: выходной, каскад

...импульсов и найбольшей емкости нагрузки См . Соотношение номиналов первого и второго резисторов определяется соотношением выходного тока формирования фронта напряжения на нагрузке и токаформирования вершины выходного импульса напряжения. В цифровых логических элементах, магистральных усилителях величина выходного тока приформировании фронта импульса превышает величину тока вершины импульса на 2-3 порядка, такие же и соотношения номиналов первого и второго резисторов. В реальных устройствах длительность фронта в 10-20раз меньше периода выходных импульсов, поэтому средняя за период мощность Р 1 , потребляемая выходным каскадом в результате протеканиятока через первый резистор , в 1020 раз превышает мощность, потребляемую в результате...

Номер патента: 1106021

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Балякин, Бобров

МПК: H03K 19/088

Метки: выключении, питания, состояние, сохраняющий, триггер

...обмотке включенконденсатор, коллекторы транзисторов через резисторы соединены с катодом тиристора, анод которого подключен к шине питания, управляющийэлектрод - к коллектору буферного транзистора, эмиттер которого соединен с шиной питания, база - через резистор с шиной питания и через другой резистор - с общим выводом ЙС-цепи, включенной соответственномежду общей шиной и шиной питания.На чертеже изображена принципиаль-, ная схема триггера.Триггер содержит транзисторы1 и 2 с резисторами 3 и 4 обратной связи с резисторами 5 и 6 смещения, и с коллекторными 7 и 8 сопротивлениями, ферритовое кольцо с прямоугольной петлей гистерезиса, имеющего рабочие обмотки 9 и 10 и обмотку 11 управления, связанную с управляющим транзистором 12. Триггер...