Патенты с меткой «интегральная»

Номер патента: 1755338

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Белоус, Силин, Стадник

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...металлизированные шинц 8 питания и общие шины 9, В интегральной схемеполупроводниковые области 12-14 с р-канальным МОП-транзистором 4, первым и -30 р-и-транзистором 5 и резистором 7сформированы над общим скрытым слоемвторого(п+) типа проводимости 19, выведенном на планарную поверхность интегральной схемы посредством дополнительной35 полупроеоднйковой области 21 второго (и)типа проводимости, выполненной под шиной 8 питания и соединенной с ней, Полупроводниковые области 15 и 16 си-канальными транзисторами 2 и 3 сформи 40 рованы над общим скрытым слоем 18 первого(р+) типа проводимости, выведенном напланарную поверхность интегральной схемы посредством дополнительной полупроводниковой области 22 первого (р+) типа45 проводимости,...

Номер патента: 1772794

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Исаков, Попов, Соколов, Ясюкович

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральная, микросхема, постоянного, стабилизатора

...качестве стабилизаторов как положительной, так и отрицательной полярности. Наиболее близким по технической сущ ности к заявляемому обьекту является ста билизатор постоянного напряжения описанный, который и рассматривается в качестве прототипа,вои биполярпервые усили, стабилитрон ченный между свого транзиделителя наертирующимгнала рассогвход которо- ения первого адов резистоого стабилитшине, выход согласования нзистора.1772794 Составитель А.Попов Техред М,Моргентал орректор Н.Слободяник Редактор Тираж Подписноевенного комитета по изобретениям и открытиям при ГУНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Заказ 3846 ВНИИПИ Госуд ственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 ои силовой биполярный транзистор, резистор и...

Номер патента: 1778822

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Шамардин

МПК: H01L 23/38

Метки: бескорпусная, интегральная, микросхема

...на активных элементах и выводится вновь на внешние выводы 4. Надежность обработки обеспечивается нали- а чием герметично присоединенного к кристаллу 1 второго элемента защиты 5,Выполнение вакуумноплотной защиты поверхности кристалла с активными прибо рами с помощью крышки, припаянной к кристаллу, дает бескорпусной интегральной микросхеме рад преимуществ, а именно;- отпадает необходимость применения корпуса; о и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР(57) Использование:во сверхминиатюриэ Изобретениенике и может бы1 зданиисверхминиатюрисхемЦелью изобретения является повышение надежности,Бескорпусная интегральная схема представлена на чертеже, Она содержит полупроводниковый кристалл 1 с. активными элементами,...

Номер патента: 1781819

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Белугин, Гарбуз, Коновалов, Опалев

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральная, схема

...с общей шиной, база и-р-и транзистора 15 соединена со входом интегральной схемы 16, коллектор - через резистор 17 подключен к общей шине, эмиттер -соединен с базой и-р-п транзистора 18 и улучшает фронты интегральной схемы. Причерез диоды 19 и 20 в прямом включении - этом дополнительный ток, появляющийсяс шиной питания источника отрицательного при переключенииинтегральнойсхемы занапряжения 13, которая через резистор 21 счет зарядовой емкоСти нагрузки протекаетподключена кэмиттерутранзистора 18, кол через диод 12 и транзистор 5 на источниклектор которого соединен с выходом уст- отрицательногонапряжения 13.ройства 11. При уменьшении уровня .напряженияСхема работает следующим образом на входах 2 и 16 соответственно мейее чемНа входы 2 и 16...

Номер патента: 1316509

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Гусаров, Сульжиц

МПК: H01L 27/092

Метки: интегральная, схема

...дрейфабсолютной погрешности преобразования н конечной точке шкалы/типовой Минимальное время преобразования с гарантией точности преобразования Относительная устойчивость к ВВФ мкВ/С 15 150 600 мкВ/ С 15 мкс относительные единицы. толщина затворного диэлектрика45 нм, эффективная длина канала 9 24,0 мкм для р-канальных транзисторов 1 и 2,1,8 мкм для и-канальных транзисторов,эффективная ширина канала600 мкм дпя р-канальиых транзисторови 2,320 мкм для и-канальных транзисторов 3 и "4пороговые напряжения транзисторови-канальных нагрузочных 0,7,В,и-канальных ключевых 1,0 В,р-канальных активных 1,0 В.Описанная интегральная схема была использована в изготовленной БИС8-разрядного АЦП последовательногоприближения, Имеющаяся...

Номер патента: 1806420

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ефименко, Леоненко, Прибыльский

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...фиг.З иллюстрируется повышейиекоэффициента усиления В изобретения по сравнению с прототипом. 40Работает интегральная схема следующим образом,Пусть и-р-и-транзистор находится в активном режиме работы. Коллекторный ток слоя 6 с п-р-п-транзистором, базой является область эпитаксиального слоя 6 и-типа проводимости, а коллектором - подложка 5 р-типа проводимости, Когда падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора достигает 0,7 В, открывается рп-р-транзистор, который увеличивает суммарный коэффициент усиления, 3 ил,создает падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора 3, При достаточно большом токе, когда.напряжение на резисторе достигает 0,7 В. р-и-ртранзистор 11 открывается. Его ток эмиттера складывается...

Номер патента: 1806421

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Полторацкий, Решетников, Рычков

МПК: H01L 27/098

Метки: арсенида, галлия, интегральная, основе, схема

...заряда 7,В предлагаемой конструкции емкостьсвязи между электродом 6 и областью 5 азатвора возникает из-за образования барьера Шоттки и, так как при концентрации вобласти 5 а,равной 2 10 см, величина пз18 3при напряжении пробоя контакта ШотткиЧпр = 1 В не более 0,04 мкм. что меньшетолщины области 5 а, то эквивалентная схема структуры металл-полупроводник будеттой, которая дана на рис,2 а с ВАХ шунтирующего диода, представленной на фиг.2 бКанальный транзистор с р-и-переходом, рассмотренным выше, имеет пороговое напрякение %, равное 03 В при Н =0.55 мкм и Чт = - 0,7 В при Н = - 0,7 мкм, т.е,в зависимости от параметра Н, транзисторявляется либо транзистором с индуцированным каналом, либо со встроенным каналом, Причем, поскольку...

Номер патента: 1808148

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридная, интегральная, схема

...кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты 9, сверху устройство закрыто крышкой 10,АЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА изобретения: кристаллы схеы в застывшем расплаве эвсостава, Многослойная анесена над кристаллами по нологии, Металлическая подя шиной питания. 1 ил,В предлагаемои конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, образуя монолитную структуру с безрельефной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой...

Номер патента: 1812580

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Долич, Иовдальский, Липатова

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, диапазонов, интегральная, крайневысокочастотного, сверхвысокочастотного, схема

...клея ЭЧЭ-С (ЫУ 0.028,052,ТУ). Посадочная площадка расположена в углублении 6 в подложке 1 и через металлизацию боковой поверхности 7 углубления 6 соединена с проводником технологического рисунка металлизации. Металлизация может представлять собой слоистую структуру, аналогичную приведенной выше, или другую, например химическую металлизацию никелем (или медью) с предварительным активированием поверхности растворами ЯпС 2 и РОС 2 с последующим наращиванием на химически осажденный слой металла гальванических слоев меди, никеля, золота.Устройства работает следующим образом,При подаче сигнала на навесной элемент 4 в одном направлении, например, па проводнику, топалогического рисунка металлизации 2 сигнал проходит к посадочной площадке 3 на...

Номер патента: 2002342

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Дворников, Любый, Симоненко

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...использовать первые в качестве "нырков"межсоедичений и упростить трассировкумежсоединений. Ориентация низкоомныхрезисторо параллельно сторонам ячейкипозволяет, кроме указанного, мини ллзировать про гяжен ность лежсоединений,Расположение низкосмного и-резисто-ра в р-кармане, к которому сформированоне менее двух омических контактов, позволяет упростить электрическую изоляцию и - 35низкоомного резистора, так какдопускается соединение с самым низкимпотенциалом схемы (группы резисторов)любого наиболее удобно расположенногоомического контакта к р-карману; использовать в качестве высокоомного резисторачасть р-кармана, частично ужатого областью низкоомного резистора.Расположение высокоомных резистооов на р-области и р-карманов низкоомных...

Номер патента: 2004036

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Иовдальский

МПК: H01L 21/00, H05K 5/00

Метки: гибридная, интегральная, квч-схема, свчи

...р и м е р. Гибридная интегральная СВЧ-схема содержит твердую диэлектрическую плату 1, выполненную, например, из поликара толщиной 0,5 или 1 мм, имеющую топологический рисунок металлизации 2 на лицевой стороне и экранную заземляющую металлизацию 3 на обратной стороне, Структура металлиэации может быть, например, Т 1 толщиной, обеспечивающей сопротивление пленки (100.0 мсм ), - Ро (0,2 мкм) - Ац (3 мкм) или Сг(100 Омlсм ) - Сц напыленная (1 мкм) - Сц гальваническая (3 мкм) - Ю гальванический (0,6 мкм) -Ац тальваническое (3 мкм), Конденсатор 4, например, ТС 7,088.005-20 (ТС 0.707.001 ТУ) толщиной 0,15 мм расположен и закреплен электропроводящим связующим веществом, например припоем эвтектического состава Ац - Я или Ац - Ое или клеем...

Номер патента: 2004052

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горячев, Соловьев

МПК: H02M 3/337

Метки: интегральная, ключами, схема, транзисторными

...тз Согр, (США), содержащая выходной каскад из двух одинаковых узлов, первый и второй элементы ИЛИ-НЕ, первый и второй триггеры, генератор, усилитель рассогласования, первый, второй и третий элементы ИЛИ, первый и второй транзисторы, генератор запуска, с первого по шестой компараторы, цепи линейного напряжения, элемент И-НЕ и с первого по шестнадцатый выводы, Известное устройство обеспечивает широтно-импульсное регулирование в схеме двухтактного инвертора на высокой частоте, мягкий запуск. защиту от перегрузок и от провалов напряжения, Частота тактовых импульсов может изменяться с помощью внешних конденсатора и резистора и может синхронизироваться от любого генератора стабильной частоты, Узлы выходного каскада управляются в противофазе...

Номер патента: 638169

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

1. ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА по авт. св. N 529687, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, на подложке с катодно-подогревательными элементами, напротив консольных навесов по краям сквозных щелей, выполнены дополнительные пленочные щелевые сетки.2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что на подложке с анодносеточными элементами под анодами выполнены дополнительные пленочные сетки.

Номер патента: 529687

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая две диэлектрические подложки, на которых выполнены анодно-сеточные и катодноподогревательные узлы активных элементов и пассивные элементы, отличающаяся тем, что, с целью расширения топологических возможностей построения вакуумных интегральных схем и повышения степени их интеграции, по крайней мере, на одной из подложек внутри углублений имеются консольные навесы, на которых, в местах расположения активных элементов, выполнены пленочные щелевые сетки, а аноды активных элементов и пассивные элементы размещены в одной плоскости на дне углублений.

Номер патента: 602040

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Бузников, Головин, Григоришин, Сурмач

МПК: H01J 21/10

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА по авт. св. N 529687, отличающаяся тем, что, с целью улучщения параметров активных элементов, навесы в местах расположения активных элементов соединены перемычками с нанесенным на них проводящим покрытием.

Номер патента: 1230311

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Борисов, Грищинский, Гурфинкель

МПК: H01L 23/40

Метки: гибридная, интегральная, схема

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая керамическую подложку, имеющую систему контактов на лицевой поверхности, по крайней мере один полупроводниковый тепловыделяющий кристалл, присоединенный к контактам столбиковыми выводами и имеющий тепловую связь обратной стороны с радиатором посредством металлического теплоотвода, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения теплового сопротивления между кристаллом и радиатором, теплоотвод кристалла имеет П-образную форму с глубиной выемки, равной сумме высот кристалла и контактов подложки, присоединен основанием к подложке и внутренней поверхностью к обратной поверхности кристалла теплопроводным материалом, а теплоотвод, присоединенный к обратной поверхности подложки теплопроводным материалом, имеет...

Номер патента: 1819072

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Дворников, Мац

МПК: H01L 29/73

Метки: интегральная, схема

...так и при инверсном включении, За счет резкого уменьшения площади, по сравнению с прототипом при одновременной защите р-и-переходов и цепи коллектор-эмиттер, в данном решении пропорциойально уменьшаются и значения емкостей эмиттерного и лекторйого р-и-переходов. Это в свою редь обеспечивает увеличение граничной частоты при одновременной защите р-и- переходов и промежутка коллектор-эмиттер основного транзистора.Пример реализации. Нэ полупроводниковой подложке 1 марки КДБ 10 р-типа проводимости толщиной 380 мкм, диаметром 76.0 м:л и ориентацией100 нанесен1819072 Нап яжение и обоя т анзисто а и и токе 1 мкА, В Тип ИС эмиттер-база коллектор-база коллектор-эмиттер Вх=30 кОм Интегральная схема по решению (2) - прототипу Предлагаемая интег...

Номер патента: 1385945

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Акимов, Таран

МПК: H01L 23/52

Метки: интегральная, схема

1. ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, включающая кремниевую подложку со сформированными в ней активными и пассивными элементами, металлическую разводку, контактные площадки или металлические шины и элементы защиты контактных площадок от коррозии, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем повышения надежности защиты контактных площадок от коррозии, элемент защиты контатных площадок от коррозии выполнен в виде металлического кольца шириной h, охватывающего контактные площадки или металлические шины по периметру интегральной схемы и соединенного с i - й контактной площадкой или шиной, имеющей омическое сопротивление Ri с кремниевой подложкой, причем h и Ri выбраны из соотношений

Номер патента: 1263148

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Костенко, Шумильский

МПК: H01L 23/26

Метки: интегральная, микросхема

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА в корпусе с контактными площадками, имеющими внутреннюю полость, содержащая пассивные и активные элементы, выполненные в кристалле полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и упрощения системы отключения микросхемы при перегреве, кристалл полупроводника расположен между контактными площадками корпуса и С-образной металлической лентой, жестко соединен с большей стороной этой ленты, причем криволинейные участки С-образной металлической ленты выполнены биметаллическими.

Номер патента: 1667571

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Иовдальский, Темнов

МПК: H01L 23/10

Метки: гибридная, интегральная, схема

Гибридная интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площади кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10 30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20 - 100 мкм.

Номер патента: 1694021

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Ануфриев, Иовдальский, Молдованов

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, интегральная, свч, схема

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и по крайней мере с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой...

Номер патента: 1526521

Опубликовано: 10.10.2005

Авторы: Барладян, Мякишев, Ожерельева

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральная, свч, схема

Интегральная схема СВЧ, содержащая макрокристалл арсенида галлия с металлизированной нижней поверхностью, на верхней поверхности которого содержатся активные и пассивные элементы, элементы с субмикронными размерами, полевые транзисторы с электродами затвора и стока, соединенными с отрезками микрополосковых линий, и с электродами истока, соединенными с нижней поверхностью через сквозное отверстие, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и уменьшения теплового сопротивления, элементы с субмикронными размерами выполнены по крайней мере на одном отдельном микрокристалле, при этом полевые транзисторы на микрокристалле имеют на всех электродах выступы, расположенные в...

Номер патента: 1822298

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Дулинец, Калошкин, Колешко, Красницкий, Малышев, Турцевич

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральная, металлизацией, микросхема, тонкопленочной

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60...

Номер патента: 1480685

Опубликовано: 27.04.2009

Авторы: Костюков, Манагаров, Огородников, Турилина

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральная, микросхема

Интегральная микросхема, содержащая полупроводниковую подложку, элементы защиты от статического электричества, соединенные с контактными площадками управляющих элементов интегральной схемы, термодатчик, отличающаяся тем, что, с целью расширения динамического диапазона выходного сигнала, она дополнительно содержит полупроводниковую переходную пластину, при этом элементы защиты и термодатчик размещены на переходной пластине, а подложка отделена от переходной пластины слоем диэлектрика.