Способ регистрации осколков деления

Номер патента: 1053185

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Айнбунд, Масленков, Меньшиков

МПК: H01J 9/18

Метки: прибора, сборки, электронно-умножительного

...образом, метку образуют не в плоскости. наклона, а в перпендикулярной ей плоскости. В результате этого независимо от перевертывания МКП вверх или вниз одним или другим торцом направление наклона каналов относительно образованной метки сохраняется. Поэтому взаимная ориентация таких МКП при их сборке в электронна-умножительном приборе становится однозначной; их разворачивают сметками в йротивоположные стороны. Это упрощает процесс сборки, ликвидирует возможйые, ошибки при перево" ротах пластин и повышает тем самым производительность, Метки могут создаваться любым известным способом, например, путем нанесения точки или риски на боковой или торцовой поверхностях пластины. В .случае если метка выполнена в вице фаски, глубокой риски, и т.п.,...

Номер патента: 475686

Опубликовано: 30.06.1975

Автор: Сорокин

МПК: H01J 39/34

Метки: регистрации, спектров, электронов, энергетических

...на .выходную плоскость блока КЭУ-З, конечно, с некоторыми искажениями.Далее, по выходе из блока 3, усиленные пучки электронов фокусируются с помощью комбинированной магнитоэлектростатической фокусирующей электроннооптической системы (в нее входят ускоряющая сетка 4 и магнитная линза, не показанная на чертеже) ла запоминающую пластину 8 ЭЛТ - потенциалоскопа, так, что осуществляется перенос изображения электронного спектра с выхода блока КЭУ на запоминающую пластину 8,Таким образом, на пластине 8 образуется потенциальный рельеф, соответствующий энергетическому (суммарному для вссх пачек) спектру электронной эмиссии.Сетки 4 и 7 служат для обеспечения условий управления процессом регистрации энер 5 10 15 20 25 30 35 40 45 гетических...

Номер патента: 1758701

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Гуляев, Залькинд, Колпакова, Морозов, Юдовина

МПК: H01J 31/38, H01J 9/18

Метки: прибора, сборки, электронного

...они меняли направление хода лучей, формирующих изображение меток 5 в пространстве изображений микроскопа. Фокусируют микроскоп на метки, Наблюдая в поле зрения микроскопа изображения меток, соьмещают выбранную линию б сетки окуляра микроскопа с ними, Фиксируют положение цилиндра с дефлектроном, Перефокусировав микроскоп на поверхность сеточного узла и выбрав в качестве направления сеточного узла направление одной из сторон рамки 7 сеточного узла, поворачивают сеточный узел до тех пор, пока сторона рамки не совместится с линией сетки окуляра микроскопа, параллельной выбранной ранее линии сетки окуляра.По сравнению со способом по прототипу предлагаемый способ повышает точность сборки и увеличивает процент выхода годных приборов, что...

Номер патента: 1322386

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Зашквара, Маковский, Масягин, Редькин

МПК: H01J 49/48

Метки: вторичных, регистрации, электронов

...исслелуемой поверхности за счет опрслелснного изменения потенциала подаваемого на исслелуемую поверхность. Способ заключается в следующем.Образец, исследуемая поверхность к- торого совмещена с осью симметрии цилиндрического зеркального анализатора ЦЗА) и находится под потенциалом, сканируют электронным пучком, регистрируют вторичные электроны и анализируют их энергетические спектры. Причем в процессе сканирования образца потенциал его поверх. ности изменяется по следующему закону:1 Л(С= - 1 Ч б(1),гле И (1) - потенциал, подаваемый на поверхность образца, В;)с - безразмерный коэффициент, выбираемый из соотношения 0,18( ( 1 с (0,22;Ъ потенциал, соответствуюгций кинетической энергии анализируемых электронов, В;(0,3- смещение сканируюцего...

Номер патента: 1285898

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Власенко, Храмцов

МПК: G01N 24/10

Метки: парамагнитного, полупроводниках, регистрации, резонанса, сигналов, электронного

...не зависит от магнитного поля, в котором наблюдаются сигналы ЭПР.Практически важным и целесообразным является расширение области регистрации сигналов ЭПР в сторону низких частот и слабых магнитных полей, т.е. использование частоты дополнительного переменного поля меньше частоты СВЧ-поля, хотя нет принципиальных препятствий использовать частоты, большие чем частота СВЧ-поля. Для реализации способа и получения высокого отношения сигнал/шум при регистрации сигналов ЭПР необходимо насытить переход ЭПР парамагнитных центров, т.е. установить величину напряженности переменного магнитного поля Н 1, соответствующую насыщению резонансных переходов.Эта величина определяется временамиспиновой релаксации парамагнитныхцентров и составляетН (1-3)...