Архив за 1981 год

Номер патента: 894791

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Алехин

МПК: G03G 16/00, G11B 9/08

Метки: запоминающее

...строк подключены к источникам 14 управляющих напряжений. Между прозрач. ным электродом 9 и общей точкой включен источник 15 переменного напряжения подлерж. ки, который отключается ключом 16.Устройство работает следующим образом.Угол падения считывающего светового но- гока 17 на деформируемый слой близок к предельному углу полного внутреннего отражения деформируемого слоя и несколько больше его, 55 6 отсутствие рельефа поверхности деформиру. емого слоя считывающий световой поток отракается от границы раздела деформируемого записываемого столбца, вызывает деформацию . поверхности слоя 7, При этом нарушаются условия полного внутреннего отражения и часть считывающего потока освещает прилежащий участок поверхности фотополупроводникового...

Номер патента: 894792

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Алехин

МПК: G03G 16/00, G11B 9/08

Метки: информации, матричный, носитель

...с соответствующими шинами управления, введен диэлектрический слой с диспергированными в нем частицами проводящего материала, нанесенный на внутреннюю поверхность второй диэлектрической пластины и электроды столбцов, оптически связанные с деформируемым слоем.На фиг. 1 показан матричный носитель информации; на фиг, 2 - вид с внутренней .стороны стеклянной пластины с электродами строк.Устройство содержит прозрачную диэлектрическую пластину 1 с параллельными прозрачными электродами столбцов 2 шириной 25 - 50 мкм и шагом 25 мкм с нанесенным на них деформируемым слоем 3 толщиной 25 - 30 мкм, над которым размещена диэлектрическая пластина 4 с электродами строк 5 шириной 25 - 50 мкм и шагом 25 мкм, орто. гональными электродами столбцов, На...

Номер патента: 894793

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Ильяшенко, Паринов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...расположена Тоб.разная ферромагнитная аппликация 1, магнитосвязанная с основной 2 и дополнительной 3 1токовыми шинами, которые связаны гальванически между собой; вспомогательную ферромагнитную аппликацию 4.Переключатель работает следующим обра.зом. 20В режиме деления нри нахождении доменана вершине аппликации 1 в основную токовуюшину 2 подается короткий режущий импульстока длительностью порядка 0,1 - 0,3 мкс (фиг.2),разделяющий растянутый вдоль вершины указанной аппликации домен на две части. Сцельюпереноса одного образованного таким образомдомена из одного регистра в другой к момен.ту окончания импульса 1 подается по дополнительной шине 3 импульс токаменьшейпамплитуды, с помощью которого формируетсяпод наружными краями указанной...

Номер патента: 894794

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Деркач, Розман, Тарчинский, Утяков, Шехватов, Шустенко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, заряда, переносом, приборах

...устройства. В ре. жиме записи, адресный блок 1, в соответствии садресом, присутствующем на адресных ши. нах 2, выбирает цифро-аналоговый преобразо. ватель 7 и подключает его входы к шинам 3 данных. При этом на выходе цифроанапого. вого преобразователя 7 появляется напряжение, уровень которого соответствует входному ин. формационному коду, Это напряжение посту пает на информационный вход б соответству. ющего сдвигового регистра 5 и запоминается в нем, Блок 14 синхронизации вырабатывает сдвигающие импульсы и синхронизирует работу сдвиговых регистров 5 и адресного блока 1. С каждым М-ным тактом, на входы всех циф. рьаналоговыхпреобразователей 7 поступает максимальная кодовая комбинация и в сдвиговые регистры 5 заносится максимальный...

Номер патента: 894795

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Громенко

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...первый и второй конденсаторы, первые обкладки которых соединены соответст.венно через первый и второй пассивные элементы с выходами первого и второго ключей,первые входы которых соединены с шинойуправления, второй вход первого ключа соеди.нен с выходом неинвертирующего усилителя,вход которого является входом устройства,вторые обкладки конденсаторов подключенык шине нулевого потенциала, дифференциальный усилитель, выход которого является выходом устройства, введены инвертирующийусилитель, первый и второй буферные усилите.ли, входы которых соединены соответственнос первыми обкладками первого и второго конденсаторов, выходы буферных усилителей подключены ко входам дифференциального усилителя, вход инвертирующего усилителя соединенсо...

Номер патента: 894796

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Рябцев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, оперативной, памяти

...матрицы Адамара образуют как результат проверки а четность разрядов Кода адреса строк, при этомперебираются проверки всех разрядов кодаадреса строк во всех сочетаниях.Устройство работает следующим образом.При использовании устройства для контроляполупроводникового блока памяти емкостью16 кбит,собранного из четырех микросхем па.мяти емкостью 4 кбит, для выбора конкрат.ной микросхемы памяти используют, разрядыкода адреса а, и аг, Контроль осуществляютв два этапа. Вначале в проверяемый блок 5записывают код, полученньщ путем преобразования младших разрядов кода адреса в кодматрицы Адамара, сложенный по модулю двас первым старшим разрядом кода адреса а,.По программе блока 1 блок 2 формиру.ет код адреса, который поступает на вход бло:ка 5,...

Номер патента: 894797

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Бородин, Егорова, Столяров

МПК: G11C 29/00

Метки: автономным, запоминающее, контролем

...формирователь 4 контрольных разрядов, первый формирователь 5 четности, соединеннымн также с выходами, первый блок 6 формирователей четности, блок 7 контроля, информационные выходы 8, второй формирователь 9 четности, второй формирователь 10 контрольных разрядов, второй блок 11 формн 1 О 15 20 25 30 35 40 45 рователей четности, а также второй блок 12 элементов И.Устройство работает следующим образом.Коды чисел, подлежащих записи в очередном цикле записи, поступают на входы нако. пителя 1, а также на входы первого формиро. вателя 4 контрольных разрядов по модулю 3 и входы первого блока 3 элементов И. Блок 4 содержит М формирователей контрольных разрядов по модулю 3, каждый из которых определяет вычет своего 4-х разрядного моду. ля...

Номер патента: 894798

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Брянцев, Гайдуков, Тафинцев, Титов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, исправлением, обнаружением, оперативное, ошибок, типа

...через рабочие 19 и стабилизирующие 20 магнитные сер дечники числовых.линеек накопителя 1, соеди. иены последовательно и подключены соответственно к выходам 4 и 5 накопителя 1.Блок 10 контроля может быть построенлюбым из известных методов например, приконтроле по модулю два блок 10 контролябудет фиксировать факт ошибки в нечетномчисле разрядов.Устройство работает следующим образом.Неисправность, возникшая в одном илинескольких разрядах накопителя 1 обиаружи.вается при считывании информации, причемфакт ее возникновения регистрируется блоком10 контроля, а место - элементами ЭКВИВАЛЕНТНОСТИ группы 11. При наличии управ.ляющего сигнала на выходе блока контроляпроизводится исправление всех ошибок путем 35инвертирования тех...

Номер патента: 894799

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Бахтадзе, Гордадзе, Джагаров, Манукян, Чкония

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...22 сравнения, В последней осуществляется поразрядное сравнение считанного из блока 30 памяти вектора информации с вектором контрольного теста, сформированного счетчиком 5. В случае несов- е падения на единичный вход триггера 9 с вы- . хода схемы 22 сравнения поступает сигнал, по которому прерывается работа генератора 10 ;синхросигнвлов и прекращается дальнейшая проверка блока 30 памяти. Одновременно ре эа зультат сравнения поступает на индикатор 19, Иццикатор 21 сигнализирует об остановке работы устройства. По индикатору 17 оператор определяет адрес неисправной линейки блока 30 памяти. Индикатор 18 показьвает вектор контрольного теста, по которому производилась проверка, Оператор определяет неисправную ячейку блока 30 памяти путем...

Номер патента: 894800

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Бабенко, Бригинец, Заяц, Ильин, Литвишко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, токопроводящий

...марки С - 1 с размером частиц4:6 мкм диспергируют на воздухоструйных мельницах с плоской помольной камерой МВСП - 25894800 т- Минимальное содер.жанне связующего и раство- рителя 1Максимальное содержание свя. эующего и раство. ритедя Минимальное содержаниеграфита Состав, У 29 14 17 17 14 50 37 50 37 28 20 27 27 20 30 20 20 60 14 20 25 25 14 34 18 37 37 18 18 17 30 60 20 20 60 20 14 25 25 34 18 37 37 18 18 17 18 15 60 30 15 60 Перхлорвиниловаясмола 14 30 20 30 38 16 16 Циклогексанон Тетралин12 10 15 10 при давлении воздуха 8 атм., расходе его7 м/ч и подаче графита 10 - 20 кг/ч. Графитподвергают 3 кратному размолу до получениясреднего размера частиц 1-3 мкм. После перемешивания порошка графита с...

Номер патента: 894801

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Розенцвайг, Серяков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...10,5Хром 14-17Ванадий 5 - 7Титан 2 - 3Вольфрам ОстальноеДля получения резистивного материалаготовят три смеси компонентов, содержащиекаждая (вес.%) кремния 37,5;39,1 и 40,5;0железа 11; 12,2 и 13, алюминия 8,5; 9,5и 10,5; хрома 14; 15,4; и 17, ванадия 5;6,2 и 7, титана 2, 2,6 и 3 и вольфрама -остальное,Каждая смесь компонентов в виде гранулзагружается в кварцевый тигель, который помещается в открытый высокочастотный индуктор, и подготовленная шихта плавится в течение 85 мин, Полученные слитки измельчаютна щековой дробилке и механической ступкедо порошка с размером зерна менее 125 мкм,Порошок испаряется в вакууме с вольфрамового испарителя в течение 30 сек, кондея.сируется на поверхности подложек, которые89480 следующем соотношении...

Номер патента: 894802

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Аникин, Ведь, Григорьев, Гусев, Симбирский

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...(вес.ч) порошка платиньпорошка палладия 7,5; 20 и 25,кремния 25, 15 и 7,5, окиси ал5,5 и 3, окиси бора 5; 1,5 и 1рия 5; 1,5 и 1,5, окиси кальции органического связующего -Наиболеявляется репорошокалюминия, о иэким тех еским решением истивнь иал, содержащиикремиия, окисьь бария, окисьэующее 21. те платины, двуокись кись бора, оки иальцня и Недо ста органическое свяок реэистивног ериала состо фициенте соЦель иэобого коэфф тивления тения . - снижеента сопротивле е темп относительно высоком температурном коэф 7,5 - 257,5 - 257,5 - 253 - 101,5 - 51,5 - 51,5 - 530 - 40материала прв, содержащее75;20 и 25двуокиси .юминия 10;Каждую смесь получают перемешнваниемкомпонентов и наносят на подложку методомконтактной печати с последующей...

Номер патента: 894803

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Розенцвайг, Серяков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...с ГОСТ 7113 - 77 имеют аВ:а) в области положител+ 1200 10 6 К .Недостатком известногонизкий выход годных издвенной адгезии металлизирорамической подложке, вслеверхности керамики на техн оявляются царзпины, риски ль изобретения - повышениЗаказ 11501/83 Тираж 787 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Ванадий 4,5-7,5Титан 2,5-3,5Вольфрам ОстальноеДля получения резистивного материала го. товят шихту иэ компонентов следующего состава, %:Кремний 54Хром 12,8Алюминий 9,7Вольфрам 14,9Ванадий 5,8Титан 2,8Плавка проводится в открытом индукторе высокочастотной установки в кварцевом тигле. Полученный слиток...

Номер патента: 894804

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Астров, Горькова, Карпеченков, Слушков, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...2 30Хром ОстальноеВведение в известный реэистивный материал двуокиси марганца позволяет снизить ТКС получаемых резистивных пленок, расширить диапазон их удельных сопротивлений, сохранить во всем диапазоне высокую стабильность их свойств во времени при температуре окружающей среды до + 200 С.894804 Таблица 1 Окись марганца Мп 01 КремнийСмеси Хром ВольфрамСг В 12 15 10 63 94 30 10 45 10 83 Таблица 2 Сплав Удельное сопротивление, Ом/г 1 ТКС, 101/ С 5 - 5000,8 - 150 50 - 5000 150 - -100 300 -- 15 150 - -150 0)8 - 250 150 -- 50 ВНИИПИ Заказ 1150 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Кроме того, введение МОО, способствует стеклообразованию, что позволяет получать более прочные мишени для ионно-плазменного юпы пения,В...

Номер патента: 894805

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Айвазова, Холодарь

МПК: H01C 7/04

Метки: позистор

...кубической модификации,легированного кислородом.На фиг, 1 представлен позистор, общийвид; на фиг. 2 - график температурной зависимости его удельного сопротивления.5Позистор состоит из чувствительного элемента 1, к которому подсоединены омическиеконтакты 2, и который заключен в корпус 3,Позистор работает следующим образом,Прн включении в цепь с напряжением3 - 5 В, через поэистор протекает ток 1 - 10 мА,При повышении температуры до 500 - 1200 Кпри том же напряжении в цепи ток падает,так как сопротивление чувствительного элемен та в этом интервале температур увеличивается в 10-15 раз. Увеличение сопротивления карбида кремния, легированного во время роста кислородом, вызывается собственными дефек. тами решетки, которые действуют как...

Номер патента: 894806

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Лысенко

МПК: H01C 10/14

Метки: переменный, резистор

...из изоляционного материала, Крышка.регулятор 2 имеет боковую цилиндрическуюстенку 3 н неподвижно закрепленный в центрекрышки-регулятора вал 4, расположенный стой же стороны, что и боковая стенка. Навнешней стороне боковой цилиндрической стен.ки имеются две токопроводящие дорожки 5и 6, На валу жестко закреплен своим внутренним концом резистивный спиралевидныйэлемент 7, выполненный в виде упругой ленты,внешний конец которой неподвижно закреплен б 4на внутренней стороне цилиндрической стенки 3, В корпусе 1 выполнена спиралевидная канавка 8, повторяющая форму спиралевидного элемента 7, имеющая в центре полость 9, равную радиусу скрученного спиралевидного элемента 7, В полости 9 имеется отверстие 10 для уста ковки вала 4. Вокруг...

Номер патента: 894807

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Кацман

МПК: H01C 10/34

Метки: потенциометр

...и выходной клемНа фиг. 1 и потенциометра; на фиг. 2 потенциометр, разрез; на фи вид сверху со снятой крышк В корпусе 1 на изолирую закреплен кольцевой резистив с которым контактирует подл косъемник 4, установленный шатуна 5, шарнирно эакрепл894807рии шайбы 6, жестко сочлененной с выходнымвалом 7,Второй конец шатуна 5 шарнирно соединенсо стержнем 8, установленным в направляющихпоступательных перемещений 9. 5Шатун 5 и стержень 8 выполнены иэ элект.ропроводящего материала н соединены"междусобой и с выходной клеммой 10 гибкими то.копроводами 11. Реэистивный элемент 3 соединен с клеммами 12 и 13. 1 ОПотенциометр работает следующим образом.,При повороте выходного вала 7 шайба 6приводит во вращение токосъемник 4, закрепленный на шатуне 5,...

Номер патента: 894808

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Таторчук

МПК: H01C 17/00

Метки: микросхем, подгонки

...работает следующим образом,В исходном положении контакты реле 11разомкнуты, на блок 9 регистрации и управления подано напряжение питания,При подаче напряжения питания на подгоняемую микросхему на ее выходах 4 и 5 воз. Для более полного объяснения работы устройства рассмотрим пример реализации устрой. ства для балансировки нуля дифференциального усилителя в интегральном исполнении согласнофиг. 2,Для балансировки нуля вход микросхемызамыкается накоротко, При этом на выходныхклеммах 4 и 5 появляется напряжение первич. воды, подгоняемый резистор 6, электролит 7 никает напряжение под действием которогобеж 9 регистрации и управления включаетреле 10, и контакты 11 замыкают цепь като.да 8, по которой начинает протекать ток...

Номер патента: 894809

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Гладков, Захарова, Христин

МПК: H01F 1/113

Метки: железа, магнитный, материал, окиси, основе, эластичный

...вводят сополимер стирола н смесь форьмуют в изделия при 200 С и давлении 1300 кг/см.В таблице приведены свойства предлага.емого магнитного материала. Эластичный магнитный материал может до.полнительно содержать один или несколько компонентов, выбранных из группы, содержащейокись кобальта, окись кремния и двуокисьтитана при следующем их содержании, вес.%:Окись кобальта 0,05 - 1,5Окись кремния 0,03 - 0,4Двуокись титана 0,05 - 0,4П р и м е р, Исходные порошки окисловсмешивают в необходимом соотношении, подвер-огают предварительному обжигу при 900 С ипомолу в течение 1 ч. Обожженную шихтупрессуют в брикеты при удельном давлении Диэлектри.ческие по. Магнитные мГц ись Окись Сопо- Окись рем- титана лимер железа стиролпотери,т 95д Закись...

Номер патента: 894810

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Дергачев, Коробеиников, Семин

МПК: H01G 5/01

Метки: конденсатор, подстроечный

...экраны, диэлектрическая цилиндрическая гильза закреплена на диэлектрическом основании, а упругое диэлектрическое кольцо размещено в диэлектрической цилиндрической гильзе и упирается в цилиндрический выступ вала,На чертеже изображен предлагаемый подстроечный конденсатор,Подстроечный конденсатор содержит диэлектрическое основание 1 с плоскими электродами 2, расположенными в плоскости основания, слой диэлектрика 2 и устройство для изменения емкости в виде диэлектрического цилиндрического вала 4 с цилиндрическим выступом и размещенными на нем экранами 5 в форме полудисков. Конец вала снабжен многогранной головкой под ключ. Цилиндрический выступ вала 4 центрируется симметрично относительно диэлектрического зазора между 35 внутренними...

Номер патента: 894811

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Курочкин

МПК: H01G 13/02

Метки: конденсаторов, намотки, оправка, рулонных, секций

...подпружиненных рычагов 6 и 7 с кулаками 8 и 9, обеспечивающих последовательное в цикле перемещение полуоправок в осевом направлении из шпинделя 3 в положение намотки секции 10 и внутрь шпинделя 3 в положение съема намотанной секции 10.Полуоправка 1 по всей рабочей длине 1. намотки секции усечена в продольном направлении так, что имеет форму расширяющегося в3 89481сторону намоточного шпинделя 3 клина с плоскостями А, расположенными под углом а к ди.аметральной плоскости В полуоправки 2 и подуглом р к продольной оси 11 оправки,Устройство работает следующим образом,В щель между полуоправками 1 и 2 в ихвыдвинутом из шпинделя 3 положении эаправ.ляются концы наматываемых на оправку лентфольги и диэлектрика или металлизированногодиэлектрика,...

Номер патента: 894812

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Гостиев, Малынин, Морозов

МПК: H01J 9/20

Метки: керамических

...д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 жига определяются требованием обеспеченияКВЭЭ на уровне О = 1,3 - 1,4 и диэлектрических параметров, близких к тактовымдлякерамики без покрытия, Это достигается тем,что в процессе взаимодействия материала по.крытия с парами воды в атмосфере водородапроисходит образование стеклофазы с диспер..гированными в ней частицами борида. Увеличение температуры и влажности вышеуказан.ных пределов приводит к увеличению содержания окисла переходного материала в материале покрытия, что отрицательно сказываетсяна вторично-эмиссионных параметрах, Понижение температуры и, влажности ниже укаэанныхпределов приводит к недостатку стеклофазыи как результат - к ухудшению диэлектри-ческих свойств.П р и...

Номер патента: 894813

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Бакалейник

МПК: H01J 17/44

Метки: газоразрядный, двусторонним, импульсный, прибор, управлением

...наполнен водородом и может быть . ным термокатодом. При использовании и ямользовании прямо.снабжен прямоканальным. генератором 11 во- . канального генератора водорода время готов.дорода с малым временем готовности. Воэмож- ности возрастает до нескольких секунд,0но использование и инертных газов. Анод 1 и сетку 2 коммутирующей частиДавление газа в приборе и расстояния меж- прибора будем в дальнейшем называть "перду анодами 1 и 5 и соответствующими сетка- вым" анодом и "первой" сеткой, а анод 5ми 2 и 4 устанавливают в таких пределах, и сетку 4, функционально относящихся к гачтобы средняя длина свободного пробега элект- сящему устройству, будем называть "вторым"ронов была соизмерима с этими расстояниями ф анодом и "второй" сеткой,и...

Номер патента: 894814

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Корнейчук

МПК: H01J 29/46

Метки: изображения, катода, электронного

...цепи 2и 3;ц - длительность импульсов источника 1;1- длительность импульсов навыходе ждущего мультивибратора.Устройство работает следующим образом.В цепи катушки 2, резистора 3протекают импульсы тока. Импульсы 2 Онапряжения с резистора 3 подаютсяна интегрирующую цепь 12 - 14, гдепреобразуются в линейно возрастающеенапряжение,Линейно возрастающее напряжениепороговым устройством преобразуетсяв прямоугольное. Интегрирующая цепьимеет большую постоянную времени ипилообразное напряжение имеет хорошую линейность.Резистор 3 имеет сопротивлениенесколько Ом, поэтому после окончания импульса питания конденсатор 14быстро разряжается через диод 13 ирезистор 3,Резистором 17 производится плав- З 5ная регулировка порога срабатыванияпорогового...

Номер патента: 894815

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Грицкив, Сницарук

МПК: H01J 29/76

Метки: отклоняющая, электромагнитная

...сердечника следует осуществлятьтаким образом, чтобы оси их симметрии совпадали с осями эллипса сердечника. Симметрия оТклоняющего поляобеспечивает отсутствие геометрических искажений растра типа параллелограмма и аберраций (вторичного порядка) пучка. В случае использованияОС для цветных масочных ЭЛТ улучшается сведение пучков по полю растра.Таким образом, выполнение отклоняющих систем согласно изобретениюпозволяет повысить качество иэображения на экране ЭЛТ. Экономическийэффект определяется уменьшением доли брака по допустимым искажениям в сравнении с системами с произвольно ориентированными на сердечнике катушками.При проверке тороидальных отклоняющих систем, одна из которых выполнена согласно изобретению, а в другой оси...

Номер патента: 894816

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Войтик, Клишин, Косяк

МПК: H01J 31/38

Метки: видиконы, измерительных, меток, нанесения

...устройства.На чертеже представлена схема установки для нанесения измерительныхметок на фотомишень готового видикона предлагаемым способом.установка содержит телекамеру 1,видеоконтрольное устройство 2, источ ник 3 лазерного излучения, устройст894816 Формула изобретения Составитель Е. ПчеловРедактор В.Пилипенко Техред З,фанта Корректор М,Пожо Заказ 11502/84 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 1 3035 р Москвау Ж 35 у Раушская наб р д 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 во 4 наведения лазерного излученияна мишень видикона, трафарет 5 наносимых меток.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом,Видикон для нанесения меток, определяемых трафаретом,...

Номер патента: 894817

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Мишкинис, Парфенова, Погорелов, Сулькин, Харитонов

МПК: H01J 35/10

Метки: анод, вращающийся, рентгеновской, трубки

...напряжений (при40 кВ) и не меньшей половины эффективной длины свободного пробега дляспектра вторичных и рассеянных электронов, соответствующего максимальнойэнергии электронного пучка в рабочемдиапазоне ускоряющих напряжений (при125 кВ). При условии чета практического удобств реализации толщину покрытия выбирают от 2 до б мкм, 65 Выбор первого условия объясняетси необходимостью практической прозрачности покрытия для электронного пучка во всем диапазоне ускоряющих нап;.яжений, т.е. критичным является егопроницаемость для наименее энергети -ческих электронов. Расчет глубиныпроникновения электронов в веществопредставляетсобой сложную расчетнуюзадачу. Пользуясь приближениями, из -ложенными в работе, можно сделатьрасчет, что средняя...

Номер патента: 894819

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Дешкевич, Фомин

МПК: H01J 49/26

Метки: коллекторное, масс-спектрометра

...и два дополнительных, расположенных перед ним и образующихприемную щель, меньшую, чем входная,введено два элемента, обладающихэлектрострикционнымн свойствами, каждый иэ которых электрически и механически жестко соединен с одним издополнительных коллекторов, например,пьезокристаллами,Пьезокристаллы выбраны и установлены таким образом, чтобы прикладываемое к ним электрическое поле уменьшало их геометрические размеры в направленни поперек приемной щели коллекторного устройства. 25На фиг, 1 изображен вид предлагаемого коллекторного устройства со стороны ионного луча; на фиг. 2 - егоразрез по линии А-А.Коллекторное устройство имеетвходную диафрагму со щелью 1, два дополнительных. коллектора 2 и З,электрически н механически...

Номер патента: 894820

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Кирносова, Смирнов

МПК: H01J 49/42

Метки: квадрупольных, масс-спектрометров, перестраиваемого, формирования, частоте

...содержит генератор 1 линейно изменяющегося напряжения, операционный усилитель 2, перестраиваемый по частоте генератор 3, преобразователь 4 частота - напряжение, источник 5 постоянного напряжения, источник б опорного напряжения, интеграторы 7 и 8, блок 9 выделения постоянной составляющей,.делитель 10частоты, ключевые каскады 11 и 12,Устройство работает следующимобразом. Генератор 1 вырабатывает линейноизменяющееся во времени напряжение. Ойерационный усилитель 2, перестраиваемый по частоте генератор 3 и преобразователь 4 частота - напряжение образуют систему с глубокой отрицательной обратной связью, в которойзависимость частоты Г генератора 3от входного напряжения У операционного усилителя 2 полностью определяется функцией...

Номер патента: 894821

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пивоварова, Рудая

МПК: H01L 21/66

Метки: излучения, квантовой, структур, электролюминесцентных, эффективности

...который подключенк блоку измерений, капиллярный микро 20 зонд и предметный столик с омическимконтактом, который подключен к блоку питания, омический контакт предметного столика выполнен в виде кольцевого электрода и размещен в пазупредметного столика, а в фотоприемнике выполнено сквозное отверстие, вкотором установлен капиллярный микрозонд.Кроме того, кольцевой электрод вы 30 полнен из индия, покрытого слоем галлия.На фиг. 1 и 2 представлены примеры выполнения устройства.Устройство содержит предметныйстолик 1, в котором выполнен паз дляразмещения кольцевого электрода 2 изакреплено ограничительное кольцо 3для фиксации исследуемой структуры4,фотоприемник 5, снабженный контактами б, имеет отверстие, в которомрасположен микрозонд 7 с...