Способ изготовления керамических деталей

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскннСоцналнстнческниРеспублнк и 894812(53)М, Кл. Н 01 1 9/00 Гооударетвкнный комитет СССР по делам изобретений н открытий(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХДЕТАЛЕЙ Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения антидиттатронного покрытия на поверхности керамических изоляторов электровакуумных прибо.ров (ЭВП),Известен способ получения изготовлениякерамических деталей с антидинатронным покрытием путем нанесения на ее поверхностьслоя диэлектрика, например, нитрида бора,с последующим закреплением его в защитнойсреде при 700-1400 С 1.Недостатком данного покрытия являетсясравнительно высокое значение коэффициентавторичной электронной эмиссии, что не устраняет опасности возникновения вторично-элект 15ронного разряда. Наиболее близким техническим решениемк предлагаемому является способ изготовлениякерамических деталей, например, материала20окна вывода энергии электронного прибораиз глиноземистой керамики, путем нанесенияна его поверхность онкой пленки борнда ти.тана толщиной 500 А 2). Недостатком способа является то, что покрытие из борида титана вызывает значительное возрастание высокочастотных потерь из-занизкого значения удельного электросопротнвления, что приводит к недопустимо высокому разогреву дтэлектрической детали в процессе работы СВЧ прибора и плохому согласованию вывода энергии с СВЧ-трактом.Цель изобретения - сохранение диэлектри. ческих свойств керамики с антидинатроннымпокрытием,Поставленная цель достигается тем, чтосогласно способу изготовления керамическихдеталей с антидинатронным покрытием дляэлектронных приборов путем нанесения на поверхность детали пленки борида переходногоматериала 1 Ч - Ч 1 групп периодической системыэлементов, деталь после нанесения покрытияподвергается термообработке в атмосфере водорода с содержанием паров воды (1,5 - 3,0)%н 10мм рт, ст. при 600 - 900 С в течение2 - 5 мин,Указанные пределы содержания паров воды в атмосфере водорода и температуры от8948 15 Составитель Г, Жукова,.Редактор В, Пилипенко Техред Т,Маточка Корректор Г. Назарова Заказ 11501/83 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 жига определяются требованием обеспеченияКВЭЭ на уровне О = 1,3 - 1,4 и диэлектрических параметров, близких к тактовымдлякерамики без покрытия, Это достигается тем,что в процессе взаимодействия материала по.крытия с парами воды в атмосфере водородапроисходит образование стеклофазы с диспер..гированными в ней частицами борида. Увеличение температуры и влажности вышеуказан.ных пределов приводит к увеличению содержания окисла переходного материала в материале покрытия, что отрицательно сказываетсяна вторично-эмиссионных параметрах, Понижение температуры и, влажности ниже укаэанныхпределов приводит к недостатку стеклофазыи как результат - к ухудшению диэлектри-ческих свойств.П р и м е р. Детали из высокоглиноэемистой керамики предварительно подвергаются ультразвуковой очистке по типовой техно 20ногин, после чего на их рабочую поверхностьметодом ионно-плазменного распыления наносится антидинатронное покрытие из диборида,"титана толщиной 300 - 500 А, а затем проводяттермообработку в атмосфере водорода с со 25держанием паров воды 210мм рт. ст, при800 С в течение 3 мин,В качестве материала для антидинатронногопокрытия используют диборид титана. Однакоизвестно, что дибориды переходных материаловЧ-Ч группы периодической системы элемензотов обладают структурой с довольно высокимзаполнением объема, причем атомы бора можно рассматривать как внедрение в междоузлиягексагональной решетки из более крупных атомов металла, Это делает дибориды похожими 55на типичные фазы внедрения и определяет своеобразие их физико-технических свойств, вчастности металлический тип проводимости,1 г 4близость вторично-эмиссионных параметров и характера окисления, Это дает основания распространить полученные результаты на дибориды Ч - Ч групп периодической системы элементов.Получение покрытия снижает КВЭЭ высокоглиноземистой керамики до величиныб1,3 - 1,4, не ухудшает диэлектрических свойств керамики (е и тдо), сохраняя их практически на том же уровне, что и для керамики без покрытия, обладает стабильностью свойств в процессе типового технологического цикла изготовления изделий и обеспечивает устранение вторично-электронного разряда на ряде образцов электровакуумных приборов СВЧ. Формула изобретения Способ изготовления керамических деталей с антидинатронным покрытием для электронных приборов путем нанесения на поверхность де. тали пленки борида переходного металла ЧЧ групп периодической системы элементов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью сохранения диэлектрических свойств керамики, деталь после нанесения покрытия подвергается термообработке в атмосфере водорода с содержанием паров воды (1,5 - 3,0) ф 10 1 мм рт,ст. при 600 - 900 С в течение 2 - 5 мин. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР йф 231005,кл. Н 015/10, 1967.2, ЗЬочч В. А., Непдгу Р, ТЬп Рща ийсгоцчаге ТиЬеа, ЕЕЕ Соп 1 егепсе Весогд о 11966 ЕдЬФ Соп 1 егепсе оп ТоЬе ТесЬпдцез,р. 132 - 136.