Запоминающее устройство

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1 1894791 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУао делам нзооретенкй и открытой(72) Автор изобретения В. А, Алехин ковский институт радиотехники, электроники и автоматттк(71) Заявител ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах памяти и отображения информации.Известно матричное рельефографическое устройство, содержащее две параллельные стеклянные пластины с двумя группами взаимно ортогональных электродов строк и столбцов, и деформируемый слой, нанесенньй на внутреннюю поверхность одной из пластин 1.Недостатком устройства является низкаят надежность, связанная с отсутствием запомина. ния записанной информации.Известно устройство для деформографического преобразования изображений, содержащее фотополупроводниковый слой и деформируемый слой с гибким зеркальным электродом, разде 1 ленные непрозрачные диэлектрическими слоями. Проецирование на фотополулроводниковый слой оптического изображения приводит к деформации зеркального электрода 21.Недостатком устройства также является низкая надежность.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является запоминающее устройство для отображения информации, в ко.тором прозрачная диэлектрическая пластина сэлектродами строк покрыта фотополупровод.пиковым слоем и имеется осветитель записии стирания с блоком сканирования по фото.полупроводниковому слою изображения столб.ца 31,Недостатком устройства является его слож.ность, вызванная наличием блока оптическогосканирования, синхронизированного с поступьвицей информацией, и низкая надежность.,Цель изобретения - повышение надежностизапоминающего устройства,Поставленная цель достигается тем, что взапоминающем устройстве, содержащем двепараллельно установленные прозрачные диэлектрические пластины, группу параллельных проз.разных электродов строк, нанесенных на внутреннюю поверхность первой пластины и соединенных с первой шиной управления, деформируемый слой, группу прозрачных электродовстолбцов, соединенных с второй шиной управления, и фоточувствительный полупроводниковый слой, введены призма полного внутреннего894791 отражения, изолирующий диэлектрический слой,прозрачный электрод поддерживающего напря.жения, оптический растр, выполненный в видепараллельных полос непрозрачного материала,орасположенных под углом 45 к электродамстрок, и третья шина управления, а электродыстолбцов выполнены в виде полос проводящего материала, ортогональных электродам строк,с выступами в областях между электродамистрок и параллельно им, нанесенных на изолирующий диэлектрический слой, причем деформируемый слой нанесен на полосы электродовстолбцов и изолирующий диэлектрический слой,нанесенный на прозрачные электроды строк,призма полного внутреннего отражения установлена на первой прозрачной диэлектрическойпластине, полосы непрозрачного материала на несены на прозрачный электрод поддерживающего напряжения, фоточувствительный полупровод.пиковый слой нанесен на полосы непрозрачно.го материала и на прозрачный электрод поддерживающего напряжениянанесенный на внутреннюю поверхность второй прозрачной диэлектрической пластины и подключенный к третьейшине управления, а деформируемый слой опти.чески связан с фоточувствительным полупроводниковым слоем,1 О 15 25 20 На фиг, 1 показана принципиальная схема запоминающего устройства; на фиг. 2 - пластина с электродами строк и столбцов; на30 фиг. 3 - пластина с оптическим растром и фоточувствительным полупроводниковым слоем.Запоминающее устройство содержит призму 1 полного внутреннего отражения, прозрачную диэлектрическую пластину 2, прозрачные35 электроды 3 строк, прозрачный диэлектрический слой 4, электроды 5 столбцов с выступами б, деформируемый слой 7. Вторая прозрач. ная диэлектрическая пластина 8 имеет проэрач ный электрод 9, оптический растр 10, выпол 40 ненный в виде решетки непрозрачных полос, фоточувствительный полупроводниковый слой 11; который одной стороной обращен к деформируемому слою 7. Над пластиной 8 располо жен осветитель 12, Электроды столбцов подклю 45 чены к источникам 13 напряжений развертки, Электроды строк подключены к источникам 14 управляющих напряжений. Между прозрач. ным электродом 9 и общей точкой включен источник 15 переменного напряжения подлерж. ки, который отключается ключом 16.Устройство работает следующим образом.Угол падения считывающего светового но- гока 17 на деформируемый слой близок к предельному углу полного внутреннего отражения деформируемого слоя и несколько больше его, 55 6 отсутствие рельефа поверхности деформиру. емого слоя считывающий световой поток отракается от границы раздела деформируемого записываемого столбца, вызывает деформацию . поверхности слоя 7, При этом нарушаются условия полного внутреннего отражения и часть считывающего потока освещает прилежащий участок поверхности фотополупроводникового слоя, увеличивая его проводимость, При этом возрастает действие поля источника переменного напряжения поддержки, что в свою очередь приводит к возрастанию деформаций. Возник. шая таким образом электрооптическая положи тельная обратная связь поддерживает записанньй рельеф поверхности слоя 7 до момента снятия напряжения с источника 15. Причем, благодаря дополнительной модуляции проводи. мости фотополупроводникового слоя за счет освещения его с внешней стороны через оптический растр осветителем 12, рельеф деформируемого слоя становится периодическим и ориентирован параллельно оптическому растру.Деформируемый слой может быть выполнен из гелеобразного материала и имеет толщину 30 - 50 мкм, Фотополупроводниковый слой (например, сернисто-кадмиевый) имеет толщину 30 - 50 мкм, Зазор между деформи. руемым слоем и фотопровоцниковым слоем составляет 20 - 30 мкм. Управляющие напряжения и напряжения развертки изменяются в пределах 0 - 150 В. Переменное напряжение поддерживания составляет 300 - 400 В.Таким образом в предлагаемом устройстве поступающие входные электрические сигналы запоминаются в виде рельефа деформируемого слоя на любое заданное время, чем сущест. венно повышается надежность устройства.Формула изобретенияЗапоминающее устройство, содержащее две паралельно установленные прозрачные диэлектрические пластины, группу параллельных прозрачных электродов. строк, нанесенных на внутреннюю поверхность первой пластины и соединенных с первой шиной управления, деформируемый слой, группу прозрачных электродов столбцов, соединенных с второй шиной управ. ления, и фоточувствительный полупроводнико. вый слой, о т л и ч а ю ш ее с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введены призма полного внутреннего отражения, изолирующий диэлектрический слой, прозрачный электрод поддерживающего напряжения, оптический растр, выполненный в виде параллельных полос непрозрачного материала, расположенных под углом 45 к электродам строк, и третья шина управления, а электроды столбцов выполнены в виде полос проводящего материала, ортогональных электродам строк, с выступами в областях между электродамистрок и параллельно им, нанес нных нз изолирующий диэлектрический слой, причем деформируемый слой нанесен на полосы электродовслоя и обращенная к деформируемому слоюповерхность полупроводникового слоя остаетсянеосвещенной. При этом электрическое полеот источника 15 является недостаточным длявозникновения рельефа, Запись информациипроводится по столбцам. Напряжение разверткиО электрода записываемого столбца равно О, а вна электродах столбцов равно + 2/3 О. Дляэлектродов строк, точки пересечения которыхс записываемым столбцом соответствуют светлым участкам изображения, управляющие напряжения равны О, Для остальных строк управляющие напряжения равны 1/3 О. Выбор указанных значений напряжений снижает влияниеперекрестных связей. В пределах записываемогоэлемента электрическое поле, действующее между электродом строки и выступами электродов эвстолбцов и изолирующий диэлектрическийслой, нанесенный на прозрачные электроды строк, призма полного внутреннего отраженияустановлена на первой прозрачной диэлектрн.ческой пластине, полосы непрозрачного мате.риала нанесены на прозрачный электрод под.держиваюшего напряжения. фоточувствительныйполупроводниковый слой нанесен на полосы не.прозрачного материала и на прозрачный элект.род поддерживающего напряжения, нанесенныйна внутреннюю поверхность второй прозрачнойдиэлектрической пластины и подключенный ктретьей шине управления, а деформируемыйслой оптически связан с фоточувствительнымполупроводниковым слоем,Источники информации,принятые во внимание при .экспертиз 1. Авторское свидетельство СССР Иф 598101,кл. 6 06 К 15/18, 1978,2. Авторское свидетельство СССР И 641384,кл, 6 02 Е 1/19, 1979. 3. Авторское свидетельство СССР У 627529,кл, 6 11 В 11/00, 1978 (прототип).89479 Составитель В, Костиндактор В, Пилипенко Техред М. Надь Корректор Л. Шеньо 2 Тираж 648 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открьпий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Заказ 11499 8 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4