H01L 21/82 — для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов

Способ изготовления интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 302771

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Шапошник, Завальский, Петров, Никишин

МПК: H01L 21/82

Метки: схем, интегральных

...состоянии, умень, ф 1 ф, цщения влияния паразитного р - п - р транзистора (так как сокращается время жизни неосновных носителей в его базе), уменьшения объема высоколегированной части тела коллектора, способной накапливать значительный заряд неосновных носителей при работе транзистора интегральной схемы в режиме насыщения.На фиг. 1 - -6 показано техническое осуществление предлагаемого способа на примере создания интегральных схем на основе пластины из р-кремния.Поверхность пластины 1 (см. фиг. 1) соответствующим образом обрабатывают, после чего на нее наносят слой 2 окисла кремния (см. фиг. 2), С помощью фотомаскирования производят травление окон в окисле (см, фиг. 3), после чего через окна в окисле осуществляют вытравливание...

Способ изготовления мдп интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 719398

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Самыгина, Феофанова, Столичнов, Черняк, Лепилин

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп, схем, интегральных

...второй и третьей фотолитографических операциях травления в среднем в два раза ниже, чемна первой, Помимо сказанного, лучшие результаты на первом травлении 10обусловлены возможностью визуального контроля травления по уменьшениюдиаметра пятна, соответствующегоневытравленной области пластины,При исчезновении пятна травление 15прекращают, вынимая пластину изтравителя, Яа следующих операцияхэта возможность отсутствует, таккак на пластине уже имеется рисунокпервого травления.Целью изобретения является снижение трудоемкости изготовленияи увеличение выхода годных интегральных схем.Поставленная цель достигается 25тем, что все окна в проводящем слоеполикристаллического кремния. вскрывают одновременно в одной операциифотолитографического...

Способ изготовления взаимодополняющих мдп-приборов

Загрузка...

Номер патента: 1023969

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Трушин, Зеленцов, Сельков, Панкратов

МПК: H01L 21/82

Метки: взаимодополняющих, мдп-приборов

...удаление . .нитрида кремния и лежащего пбд ним окисла, выращивание на открывшейся поверхности тонкого подзатворного диэлектрика, нанесение слоя материала затворов, формирование рисунка разводки в слое материала затворов, создание ионным легированием областей стоков и истоков МДП приборов, нанесение слоя диэлектрика и вскрытие в нем контактных окон к областям стоков, истоков и затворов МДП приборов, нанесение слоя материала разводки и1023969 3ее формирования, после нанесенияслоя материала затворов, вскрываютв нем окна для областей стоков-истоков ИДП приборов одного типа проводимости с одновременным формировакием затворов в области каналовэтих приборов, проводят ионное легирование областей полупроводника вэтих окнах соответствующей...

Способ изготовления больших интегральных схем на мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 670019

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Лебедев, Булгаков, Сонов, Выгловский

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп, транзисторах, больших, интегральных, схем

...6 методомфотолитографии. Слой реэиста 6 покрывает активные области и служит маской при последующей ионной имплантации бором. Ионную имплантацию проводят при энергии ионов бора 100 кэВпри дозе 2 мкКул/см. При этом нанеактивных областях поверхности кремния образуется область 7 с повышенной концентрацией бора, который предотвращает образование инверсионных 9 2областей между диффузионными шинамии увеличивает пороговое напряжениепаразитных транзисторов. Затем снимают окисел 5 с нитрида кремния 2 надобластями 7. Травление окисла происходит в буферном травителе в течение 2-2,5 мин, Далее снимают фоторезист в серно-перекисной смеси истравливается нитрид кремния 1 надобластями 7. Травление происходитв ортофосфорной кислоте при температуре 140 фС...

Способ изготовления инжекционных интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 986236

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Волынчикова, Савотин, Красницкий

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, инжекционных, схем

...диф,фузии сквозь диэлектрическую илии ную маску создают сначала пф -области эмиттерного контакта 3 и эмиттерных охранных колец,4, а затем в об;ф. ластях базы 5, инжектора 6 и резистора 7 формируют л -слой (см. Фиг. 1).Далее методом имплантации или диффузии, используя диэлектрическую, резистивную или комбинированную маску, формируют р -пассивную базу 8,-инжектор 9 и р -охранные кольца к резисторам, 10 (см, фиг. 2). После этого в маске, закрывающей поверхность элементов, одновременно лито- графически создают контактные окна к коллекторным и базовым областям и резисторные окна, в которые методом имплантации или диффузии вводят примесь О -типа проводимости низкой концентрации и формируют л -области ,коллекторов 11 и л -резисторов 12....

Способ изготовления мдп-микросхем методом пошагового репродуцирования

Загрузка...

Номер патента: 1199155

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Мацкевич, Москалевский, Ярандин, Перова

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп-микросхем, пошагового, методом, репродуцирования

...окон, формирования металлических межсоединений,о т л и ч а ю щ и й с.я тем, что,с целью повышения технологичностипроцесса изготовления МДП-микросхемс пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных дефектов в кремнии, после окислениякремниевой подложки осаждают пленкуБ 1 И и затем через полученную маску810 - ЗхзИ формируютзнаки совме- (щения и пассивные области микросхем.1500+100 А методом РПД. Затем формируют топологический рисунок знака совмещения в пленке фоторезиста, выполняют плазмо-химическое травление5 нитрида кремния и химическое травление окисла кремния. После удаления фоторезиста осуществляют анизотропное травление кремния в трагителе составаКОН 32 г сухого вещества 10Иэопропиловый спирт 250 млВода 375 мл...

Способ сглаживания рельефа диэлектрической изоляции интегральных схем с многоуровневой разводкой

Загрузка...

Номер патента: 1499604

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Газизов, Луцкий, Стасюк, Иванковский, Красин

МПК: H01L 21/82

Метки: многоуровневой, сглаживания, рельефа, изоляции, схем, интегральных, диэлектрической, разводкой

...с планарных участков .структуры нелегированного поликремния, в 25 результате чего образуются сглаженныепристеночные области ЯО 7 элементов первого уровня разводки (фиг,4). Далее стравливают окисел с поверхности подложки и с поверхности элементов первого уров ня разводки. При этом между легированнымполикремнием и нелегированным поли- кремнием пристеночных областей остается окисел 8 (фиг.5). Формируют на поверхности подложки и поликремниевых элементов 35 первого уровня разводки изолирующийслой 9 (фиг.6). Наносят на поверхность подложки слои 10 проводящего материала, затем маску 11 с рисунком второго уровня разводки, травят проводящий материал в 40 областях, не защищенных маской (фиг.7).Примеры реализации способа.П р и м е р 1. На...

Поликремниевый резистор и способ его изготовления

Загрузка...

Номер патента: 1144570

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Иванковский, Мухин, Агрич

МПК: H01L 27/01, H01L 21/82, H01C 17/26 ...

Метки: поликремниевый, резистор

...в соответствии с законом Ома ведет к уменьшению величины подстроечного напряжения, что существенно упрощает реализацию источника подстроечного тока, упрощает процесс подстройки и ускоряет ега за счет снижения рассеиваемой на резисторе в процессе подстройки мощности,Горизонтальный градиент распределения примеси, направленный от нелегированного (внутреннего) участка поликремния к торцевым поверхностям резистора, через которые проводилась диффузия примеси, ведет к некоторому снижению температурного коэфФициента сопротивления такого резистора по сравнению с однороднолегированным. Кроме того, возможно ввести дополнительную термообработку (разгонку примеси) при температуре 900 - 1100 С после легиравания резистора, что приведет к...

Способ изготовления резисторов интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1003695

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Мухин, Агрич

МПК: H01L 21/82

Метки: схем, резисторов, интегральных

...резистивные элементы шириной 32 мкм и длиной 180 мкм, Далее формируют фоторезистивную маску с использованием фоторезиста Ф П(с шириной окна 12 мкм, длиной 120 мкм), защищающую участки слоя поликристаллического кремния, прилегающие к боковым границам прямоугольных резистивных.элементов, и через фоторезистивную маску проводят ионную имплантацию богоа с энергией 40 кэВ и дозой 200 мкКул/см,Термообработку проводят при 1000 С в среде сухого кислорода в течение 30 мин и при 950 С в среде сухого и влажного кислорода в течение ЗО мин для отжига слоя поликристаллического кремния, активации примеси и формирования на поликремниевых элементах слоя защитной термической 30 г,В слое 50 г путем фотолитографии и травления вскрывают контактные...

Способ изготовления интегральных резисторов и резистивных делителей

Загрузка...

Номер патента: 1412533

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Сульжиц, Иванковский

МПК: H01L 21/82

Метки: резистивных, резисторов, делителей, интегральных

...в реакторе пониженного давления при 620 С осаждался слой поликремния толщинами 0,18 мкм; 0,23 мкм 0,3 мкм (три варианта), Поверх поли- кремния осаждался слой нитрида кремния толщиной 0,1 мкм. Методом фотогравировки и плазмохимического травления нитрид кремния удалялся с резистивных участков поликремния, причем нитрид оставался на будущих контактных участках. Методом фотогравировки, плазмохимического травления нитрида кремния и поликремния формировались резисторы делителя; формировалась фоторезистивная маска, защищающая краевые области резистивных участков поликремния и проводилось ионное легирование центральной незащищенной части резистивных участков фосфором энергией 100 кэВ и дозами 250 - 4 400 кмКл/см . После удаления...

Способ изготовления моп ис с конденсаторами

Загрузка...

Номер патента: 1804664

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/82

Метки: конденсаторами, моп

...области р кармана, области ка налоограничения, локальные участки изолирующей (полевой) двуокйси кремния толщиной 1 мкм и затворной двуокиси кремния толщиной 450 А. На изолирующую и затворную двуокись кремния в реакторе низкого давления осаждают первый слой нелегированного поликристаллического кремния.Легируют первый слой поликристаллического кремния диффузией из РОСз до поверхностного сопротивления 20-25 Ом/П . Осаждают первый слой Юзй 4. Осаждают второй слой нелегированного поликристаллического кремния.Далее осаждеют второй слой нитрида кремния, Используя процесс фотолитографии, формируют на поверхности второго слоя нитрида маску и проводят плазмохимическое травление второго слоя нитрида кремния и второго слоя поликремния,...

Способ изготовления монолитных интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1808147

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Виноградов, Зеленова, Жуков

МПК: H01L 21/82

Метки: монолитных, интегральных, схем

...получаются загонкой бора при температуре 1000 С в течение 30 мин и последующей разгонкой при температуре 1200"С в течение 1,5 часов, Поверхностное сопротивление слоя 30 - 40 Ом/Д.Слой и-типа (7) получается эпитаксиальным осаждением кремния, легированного фосфором, на подложку (3) с диффузионными слоями (1,2,3,4.5,6), Удельное сопротивление слоя (7) 0,7-1,0 Ом см, толщина 6-8 мкм,В эпитаксиальном слое (7) над областями (1), (4) и. (5) создаются области р-типа (8), (9) и (10), а также область (11) ионным легированием бором с дозой 0.5-1,0 мкК /см и2 энергией 100 кэВ, Затем проводится отжиг при температуре 1200 С в течение 2 часов в сухом кислороде, В процессе отжига происходит встречная диффузия бора из погруженных р областей (1), (4), (5)...

Способ изготовления полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1505358

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Сосницкий, Глущенко, Колесников, Еремич, Жариков

МПК: H01L 21/82

Метки: полупроводниковых, структур

...взаимодействия атмосферной влаги с фосфором и образования фосфорной кислоты, При концентрации фосфора менее 25 мас,Е наблюдается растрескивание слоя ФСС от послепуиекго отжигв.Данный способ позволяет повысить эхЬектцнцость зашиты полупроводниконых структур от воздействия повьппен" ной влажности,Ф о р м у л в и э о б р е т е н и я Составитель В.ГришинРедактор Л.Народная Техред Л.Олийнык Корректор Л,Бескид Подписное Тираж.Заказ 2835 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Г 1 рсиэнодственио-иэдательскцй комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 3 150535 Увеличение толщины ФСС более 0,7 мкм цецелесообраэно, так как увеличивается вероятность растрескивания иээа...

Способ изготовления мдп больших интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1295971

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Сухоруков, Красножон

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, мдп, схем, интегральных

...и выращивают подзатворныйокисел 6 кремния толщиной 0,07 мкмопри 950 С в среде увлажненного кислорода с добавлением хлористого водорода.Фотолитографическим способомвскрывают, контактные окна 7 в слое 6,наносят поликремний толщиной 0,5 мкм,проводят его легирования фосфоромпри 900 С до Кз = 15-40 Ом/ст и формируют затворы 8 иэ поликремния имежсоедицения 9 (поликремниевьтешины),После травления поликремния удаляют с активных областей открытый слойподзатворного диэлектрика 6 и окисел10 на поликремнии путем травленияв буферном растворе на основе фтористоводородной кислоты. После химобработки на всю поверхность структурынаносят пиролитическим разложениемодихлорсилана в аммиаке при 800 Сслой 11 нитрида кремния толщиной0,2 мкм.Затем...

Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем

Номер патента: 1471901

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Шер, Опалев, Добровичан, Громов, Брюхно, Коновалов

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, структур, схем, кремниевых, интегральных, компонентов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...

Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем

Номер патента: 1480683

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Прокофьев, Шаталов, Урицкий

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, диэлектрической, схем, структур, компонентов, кремниевых, изоляцией

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий вытравливание в кремниевой подложке рельефа, формирование на рельефе слоя изолирующего оксида кремния, осаждение легированного слоя поликремния, наращивание опорного слоя поликремния, удаление части подложки с вскрытием монокремниевых участков, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния, слой легированного поликремния осаждают толщиной 0,5 - 2,0 мкм, а в качестве легирующего элемента используют бор с концентрацией в слое поликремния 1017 - 2

Способ изготовления мдп-транзисторов интегральных микросхем с поликремниевым затвором

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Смирнов, Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/82

Метки: поликремниевым, микросхем, интегральных, затвором, мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Способ изготовления интегральных кремниевых механоэлектрических преобразователей

Номер патента: 807917

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Гончарова, Ваганов

МПК: H01L 21/82

Метки: преобразователей, кремниевых, интегральных, механоэлектрических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, включающий операции термического окисления кремниевой пластины, совмещение элементов преобразователей на ее противоположных сторонах, изготовление тензочувствительных компонентов и формирование упругих элементов методом локального анизотропного травления кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных преобразователей и расширения диапазона линейного преобразования, после термического окисления кремниевой пластины удаляют с одной ее стороны окисный слой и напряженный приповерхностный слой кремния, изготавливают тонкий окисный слой термическим окислением кремниевой пластины, а после операции совмещения элементов преобразователя изготавливают...

Способ изготовления структур мдп-интегральных схем

Номер патента: 1410783

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Красножон, Паринов, Гогиберидзе, Хворов

МПК: H01L 21/82

Метки: структур, схем, мдп-интегральных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий последовательное формирование на рабочей стороне кремниевой подложки слоев двуокиси кремния, фоторезиста, нитрида кремния и поликремния, плазмохимическое травление этих слоев, формирование областей МДП-транзисторов и контактов к ним, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур за счет предотвращения электрического пробоя слоев двуокиси кремния толщиной до 75 нм на рабочей стороне подложки при плазмохимическом травлении, перед плазмохимическим травлением на обратной стороне подложки формируют слой двуокиси кремния в виде равномерно распределенных по площади участков толщиной не менее, чем на рабочей стороне подложки.

Способ изготовления прибора с зарядовой связью с виртуальной фазой

Номер патента: 1757400

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Скрылев, Фрост, Карасев

МПК: H01L 21/82

Метки: связью, зарядовой, виртуальной, прибора, фазой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ, включающий создание ионным легированием стоп-каналов, формирующих каналы переноса, скрытого канала и областей виртуальной фазы, нанесение подзатворного диэлектрика, проводящего слоя, формирование в проводящем слое тактовых электродов, формирование виртуального затвора, вскрытие контактных окон и создание металлизированной разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и упрощения технологического процесса за счет сокращения числа операций фотолитографии и ионного легирования, при создании стоп-каналов, формирующих каналы переноса, одновременно создают стоп-каналы, формирующие скрытый канал со встроенным потенциалом, а при формировании тактовых...

Способ изготовления p-канальных мдп бис

Номер патента: 1752142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Мещеряков, Барабанов, Матвеев

МПК: H01L 21/82

Метки: бис, мдп, p-канальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БИС, включающий нанесение на кремниевую подложку слоя нитрида кремния, вскрытие в нем окон, противоинверсионное легирование кремния, формирование фоторезистивной маски для получения активных областей, легирование активных областей, формирование полевого и подзатворного оксида кремния, создание контактной металлизации и межсоединений, отличающийся тем, что, с целью изготовления интегральных схем с повышенным уровнем напряжения питания за счет повышения пробивных напряжений активных областей и пороговых напряжений паразитных транзисторов, окна в слое нитрида кремния вскрывают только над полевыми областями, проводят противоинверсионное легирование только на участках полевых областей, выращивают полевой...

Способ изготовления структур кмдп бис

Номер патента: 1743315

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Сухоруков, Дмитриев

МПК: H01L 21/82

Метки: бис, кмдп, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КМДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке первого типа проводимости областей карманов второго типа проводимости, нанесение слоя нитрида кремния, формирование фоторезистивной маски, создание маски из нитрида кремния на активных областях, легирование примесью второго типа охранных областей транзисторов первого типа, создание изолирующего слоя оксида кремния, легирование примесью первого типа охранных областей транзисторов второго типа, удаление маски из нитрида кремния в активных областях и формирование транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия за счет снижения паразитной емкости боковой стенки переходов транзисторов поликремниевой разводки, маску из нитрида...

Способ изготовления структур матричных больших интегральных схем

Номер патента: 1738042

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Цыбин, Ачкасов, Мешеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: схем, интегральных, матричных, структур, больших

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МАТРИЧНЫХ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование полевого и затворного слоев окида кремния, поликремниевых областей, диффузионных областей стока и истока и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности упаковки активных элементов схем без снижения радиационной стойкости БИС за счет уменьшения площади пассивных областей и упрощения способа за счет снижения требований к величине концентрации примеси в подложке, полевой слой оксида кремния в накопителе матрицы формируют только под областями контактов поликремния с металлизацией со смешением относительно поперечной оси канала транзисторов на величину не менее половины длины канала, поликремниевые области формируют с перекрытием...

Способ изготовления p-канальных мдп больших интегральных схем

Номер патента: 1644706

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Мещеряков, Барабанов

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп, схем, p-канальных, интегральных, больших

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке активных и полевых областей, формирование подзатворного оксида кремния, буферных поликремниевых областей над каналами активных МДП-транзисторов, вскрытие контактных окон, формирование алюминиевой разводки с образованием МДП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, одновременно с формированием буферных поликремниевых областей формируют поликремниевые области над каналами высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, после чего осаждают слой пиролитического оксида кремния, проводят его термообработку и...

Способ изготовления структур больших интегральных кмоп схем

Загрузка...

Номер патента: 1790316

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Ачкасов, Глазнев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: кмоп, интегральных, больших, схем, структур

...(2 - 15 с) оксида кремния необходимо проводить се- травление оксида кремния в контактных оклективно, получая на легированных донор нах, образование которого возможно при ной примесью активных областях и выполнении технологических операций (наполикремнии слой оксида кремния толщи- . пример, удаление фоторезиста), следующих ной около 0,3 мкм, а на легированных актив- за операцией травления изоляции второго ных областях - 0,05 - 0,08 мкм, чтобы уровня поликремния.Дополнительноетрэвисключить маскирование ионов бора при ление производят в травителе на основеплавиковой кислоты. Так как время травления мало, то ухудшения изолирующихсвойств межслойного диэлектрика практически не происходит,Формирование буферных областей второго уровня...

Способ изготовления интегральных схем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера

Номер патента: 1581142

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Толубаев, Корольков, Боднар, Кастрюлев

МПК: H01L 21/82

Метки: различную, барьера, шоттки, интегральных, потенциального, высоту, диодами, схем, имеющими

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...

Способ изготовления тонкослойных полупроводниковых приборов с боковой диэлектрической изоляцией

Загрузка...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Самсонов, Шевченко, Лукасевич, Патюков, Манжа, Сулимин, Волкова, Шепетильникова, Одиноков, Коваленко, Волк, Кокин, Чистяков

МПК: H01L 21/82

Метки: приборов, тонкослойных, диэлектрической, боковой, изоляцией, полупроводниковых

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Способ изготовления интегральных схем

Номер патента: 1195862

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Шурчков, Чистяков, Патюков, Манжа

МПК: H01L 21/82

Метки: схем, интегральных

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование n+ скрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p+-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэлектрической пленки, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости резисторов, степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после легирования пленки поликристаллического кремния проводят ее термический отжиг и формирование участков пленки поликристаллического кремния над...

Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией и способ их изготовления

Номер патента: 824824

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Одиноков, Манжа, Назарьян, Кокин, Чистяков

МПК: H01L 21/82

Метки: изоляцией, интегральных, схем, конструкция, комбинированной

1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция транзисторных структур состоит из двух слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный слой и касающихся локальной области, между которыми расположен эпитаксиальный слой с легированной областью резисторной структуры.2. Способ изготовления интегральных схем с комбинированной изоляцией по п.1, включающий операции формирования диэлектрической изоляции,...

Способ изготовления интегральных схем

Номер патента: 705934

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Стадник, Сергеев, Шварц, Манжа

МПК: H01L 21/82

Метки: схем, интегральных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование жесткой маски, создание рабочих областей структуры в объеме полупроводниковой подложки, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности интегральной схемы, вскрывают базовые окна, наращивают поликристаллический кремний (Si*), легированный примесью противоположного типа проводимости эпитаксиальной пленке, маскируют Si* диэлектрической пленкой, которая не травится в травителях два SiO2 и Si3N4, создают базовые области диффузией из поликристаллического кремния, методом фотолитографии удаляют диэлектрическую пленку и поликристаллический кремний везде, за исключением участков, где...