H01L 21/82 — для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов

Номер патента: 952051

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Ишков, Кокин, Лукасевич, Манжа, Сулимин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции окисления, формирования скрытых слоев, наращивания эпитаксиальной пленки, диэлектрических слоев, создания изолирующих и базовых областей транзисторных структур, вытравливания в диэлектрике эмиттерных и коллекторных окон, наращивания легированной пленки кремния, термического отжига для перераспределения примеси, обтравливания легированной пленки кремния, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных интегральных схем и повышения их надежности, после создания базовых областей формируют дополнительное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для пленки кремния, а обтравливание легированной пленки кремния осуществляют при формировании металлизации.

Номер патента: 1805793

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, создания, структур

...поверхности кремния продуктами реакции обеспечивается 20-40-ным содержанием гексафторида серы в травящей смеси.4045 5055 обработку структур при температуре 510 Св среде азота в течение 15 мин.Использование предлагаемого способасоздания интегральных структур позволитувеличить коэффициент усиления по току биполярных транзисторов в 1,5 - 2 раза, снизить величины контактного сопротивления к эмиттерным областям на 30 - 50, контактного сопротивления к базовым областям в 1,3-2 раза (при температуре - 60 С - в 5 - 8 раз), уменьшить ток утечки обратной ветвидиодов Шоттки в 3 - 4 раза при коэффициенте неидеальности 1,03 - 1,04. Улучшение данНых параметров интегральных структур позволяет исключить отказы по статическим и динамическим...

Номер патента: 1421186

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Евдокимов, Манжа, Мухин, Патюков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, моп-транзисторов, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке p-областей, противоканальных областей и диэлектрической изоляции, осаждение первого слоя поликремния, формирование первого слоя оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния, осаждение второго слоя поликремния, формирование областей истока, стока, затвора и электродов к ним, формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшения количества...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...

Номер патента: 1538830

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Лукасевич, Манжа, Соловьева, Шевченко

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, транзисторах

Способ изготовления ИС на биполярных транзисторах, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание охранных областей первого типа проводимости под области изоляции, формирование областей изоляции и глубокого коллектора, осаждение на поверхность эпитаксиального слоя первой пленки поликремния, ее локальное прокисление вне базовых областей транзисторов, ее легирование примесью первого типа, формирование первой диэлектрической пленки, вскрытие в ней окон под эмиттерные области транзисторов, вытравливание во вскрытых окнах первой пленки поликремния, формирование пристеночных...

Номер патента: 1077512

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, структур

1. Способ изготовления интегральных структур, включающий проведение в исходной пластине одного полупроводника локального травления на глубину, превышающую глубину "карманов", присоединение ее с использованием диэлектрика к пластине другого полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции компонентов схем и улучшения их электрофизических параметров путем снижения механических напряжений в структуре, в пластине другого полупроводника дополнительно производят локальное травление по технологии, соответствующей негативу технологии исходной пластине, в их присоединение осуществляют под давлением 2-10 кг/см2 до взаимного проникновения в пазы друг друга при...

Номер патента: 1649971

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Водопьянов, Журавлева, Нешов, Пузанов, Пяткова, Стахеев, Чекунков

МПК: H01L 21/82

Метки: кмоп-интегральных, схем

Способ изготовления КМОП-интегральных схем, включающий формирование в подложке из кремния первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, имплантацию ионов кислорода и проведение термообработок для формирования внутреннего нарушенного слоя, формирование комплементарных МОП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности КМОП-интегральных схем за счет увеличения устойчивости к эффекту "защелкивания", перед имплантацией ионов кислорода на подложке формируют маску между комплементарными МОП-транзисторами, причем ее толщину выбирают из условия получения после проведения имплантации ионов кислорода и термообработок внутреннего нарушенного...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...

Номер патента: 1240295

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Алиев, Малышев, Плотников, Румак, Хатько, Яковлев, Ясников

МПК: H01L 21/82

Метки: моп-структур, радиационно-стойких, создания

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.