Соловьев

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Номер патента: 1523000

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Номер патента: 1507126

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/26

Метки: кремния, поверхности

Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, пластин

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Номер патента: 1442004

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/265

Метки: включений, гексаборида, кремния

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 1464598

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Кузнецов, Пожаринский, Соловьев, Торопчин

МПК: F02K 3/00

Метки: газотурбинный, двигатель

1. Газотурбинный двигатель с регенерацией тепла, содержащий наружный и внутренний контуры, вентилятор, размещенные во внутреннем контуре компрессор, камеру сгорания, турбины высокого и низкого давления, турбину вентилятора, сопло и теплообменник с воздушным и газовым трактами, причем вход последнего сообщен с выходом турбины низкого давления, выход - с соплом, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности, он снабжен воздушной турбиной, а вход и выход воздушного тракта теплообменника сообщены соответственно с наружным контуром и входом воздушной турбины.2. Двигатель по п.1, отличающийся тем, что воздушная турбина установлена на одном валу с турбиной низкого давления.3....

Номер патента: 755171

Опубликовано: 27.09.2000

Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Соловьев, Ткачев

МПК: H01J 47/00, H05H 7/00

Метки: заряженных, потока, реакции, частиц

Устройство для измерения реакции потока заряженных частиц, содержащее чувствительный элемент, располагаемый на пути пучка, и закрепленный с возможностью перемещения, и систему для измерения перемещения чувствительного элемента, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, чувствительный элемент выполнен в виде соленоида, обмотка которого подключена к регулируемому источнику питания, а внутренний диаметр превышает диаметр пучка.

Номер патента: 673118

Опубликовано: 27.09.2000

Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Соловьев, Ткачев

МПК: H05H 1/00

Метки: диагностики, плазменной, струи

Способ диагностики плазменной струи, включающий изменение параметров струи и измерение помещенным в плазму магнитным зондом электромагнитных сигналов, возникающих в плазме при изменении параметров струи, отличающийся тем, что, с целью ускорения диагностики и повышения надежности измерений, изменение параметров струи осуществляется наложением в области перед магнитным зондом поперечного магнитного поля.

Номер патента: 1053727

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Колесников, Соловьев, Тищенко

МПК: H05H 1/00

Метки: однородной, параметров, плазмы, слабоионизованной

Способ определения параметров слабоионизированной однородной плазмы путем регистрации спектра собственного электромагнитного излучения плазмы и определения по полученному спектру параметров плазмы, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов измерения и повышения точности определения параметров плазмы, в плазме образуют мелкомасштабные неоднородности путем ввода мелкодисперсных частиц, причем частицы вводят с температурой плавления, превышающей температуру ионов плазмы, и дозами, обеспечивающими концентрацию частиц, при которой мощность излучения частиц не превышает мощности собственного излучения плазмы.

Номер патента: 774462

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асадов, Бахышев, Исмаилов, Максимов, Марончук, Соловьев

МПК: H01L 21/365

Метки: галлия, пленок, полупроводниковых, халькогенида

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H2 при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600oC и 230 - 300oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750oC, потоке водорода над источником...

Номер патента: 1630570

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Волков, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, оксинитрида, слоев

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см3, а подложку нагревают до 90 - 250oC.

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...

Номер патента: 513562

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Сеношенко, Соловьев, Шерстяков, Энтин

МПК: G01N 21/55

Метки: варизонных, полупроводниковых, структур, характеристик

Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.

Номер патента: 1373007

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Соловьев, Шлык

МПК: E21B 4/02

Метки: секционный, турбобур

Секционный турбобур, содержащий корпус, вал, роторные и статорные турбинки, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности бурения, он снабжен дополнительной массой в виде втулки, жестко установленной на верхнем торце вала турбобура, причем абсолютное значение дополнительной массы равно массе вала шпинделя.

Номер патента: 890626

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Верник, Казакевич, Коротков, Солдатов, Соловьев, Сухарев

МПК: B21B 19/12, B21H 8/00

Метки: клеть, поперечной, прокатки, рабочая, стана

Рабочая клеть стана поперечной прокатки, содержащая разъемную станину с закрепленными на ней секторными клиньями, установленную в станине поворотную от привода кассету, зубчато-реечную передачу, рейка которой связана с приводом, а зубчатое колесо закреплено на кассете, размещенные в кассете четыре комплекта пинолей с валками, попарно выполненными с разными диаметрами, расположенными во взаимно перпендикулярных плоскостях и смещенными вдоль оси прокатки, и опорные ролики, связывающие два комплекта пинолей с секторными клиньями, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества прокатываемых изделий, она снабжена элементами для регулирования поворота кассеты, выполненными в виде втулок,...

Номер патента: 1736265

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Зайцев, Колокольцев, Кузнецов, Соловьев

МПК: G02F 1/29

Метки: сканирующее

Сканирующее устройство, содержащее держатель зеркала, концентратор ультразвуковых колебаний, включающий пьезокерамические преобразователи, а также замыкающее устройство, сопряженное с держателем и концентратором, и генератор, соединенный с пьезокерамическими преобразователями, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона углов сканирования, держатель выполнен в виде сферы, концентратор ультразвуковых колебаний - в виде стакана, на торцовой поверхности которого со сдвигом по окружности в 90o выполнены скосы, с которыми сопряжены пьезокерамические преобразователи, в концентратор введены противовесы, причем пьезокерамические преобразователи поджаты противовесами, а замыкающее...

Номер патента: 1051795

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Ермаков, Кулагин, Лукьянов, Пантелеев, Соловьев

МПК: B21B 39/00

Метки: между, параллельными, передачи, поперечной, проката, рольгангами

Устройство для поперечной передачи проката между параллельными рольгангами, включающее приводной вал с многорогими рычагами, отличающееся тем, что, с целью облегчения всестороннего осмотра проката путем его кантования с вращением, оно снабжено кольцами, свободно установленными на приводном валу между многорогими рычагами, и их приводом вращения.

Номер патента: 471833

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Золотухин, Соловьев, Янов

МПК: G01T 1/12, G01T 1/26

Метки: гамма-излучения, дозиметр, импульсного, реакторного

1. Дозиметр импульсного реакторного гамма-излучения, содержащий датчик с измерительной схемой, отличающийся тем, что, с целью увеличения пределов измерения при сохранении линейности передаточной характеристики, в качестве датчика применен металлический резистивный элемент, преимущественно из материалов с низким энергетическим вкладом от потока нейтронов, сопутствующего гамма-излучению.2. Дозиметр по п.1, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности анализа формы импульса излучения, датчик подключен к широкополюсному регистратору через дифференцирующую схему.

Номер патента: 466794

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Золотухин, Соловьев, Янов

МПК: G01T 3/00

Метки: детектор, импульсного, нейтронного, потока

Детектор импульсного нейтронного потока, содержащий радиатор из материала, имеющего большое сечение взаимодействия с нейтронами, и регистратор вторичных частиц, отличающийся тем, что, с целью повышения предела измерения, регистратор выполнен в виде металлического резистивного элемента, окруженного радиатором.

Номер патента: 1036115

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Закс, Ковтушенко, Лагутин, Робер, Соловьев

МПК: F16D 3/18

Метки: зубчатая, муфта

Зубчатая муфта, содержащая втулку с наружными эвольвентными зубьями и взаимодействующую с ней обойму с внутренними эвольвентными зубьями, бочкообразными в сечении поверхностью делительного цилиндра, отличающаяся тем, что, с целью повышения срока службы путем увеличения контактной прочности зубчатого зацепления при максимальных углах перекоса, кривизна боковых поверхностей зубьев обоймы в сечениях, касательных к поверхности основного цилиндра, по длине зубьев выполнена с переменным радиусом, увеличивающимся от среднего поперечного сечения обоймы к ее торцам, а поверхности впадин и выступов зубьев обоймы выполнены по форме однополостного гиперболоида с образующей, скрещивающейся с осью обоймы...

Номер патента: 924985

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Вольвачев, Гарибов, Крысанов, Малкин, Матвейкин, Мышлевский, Соловьев, Федоров, Шустиков

МПК: B23B 27/00

Метки: инструмента, качества, сборного, стенд

1. Стенд для контроля качества сборного инструмента, содержащий основание с устройством для закрепления режущего инструмента, выполненного в виде корпуса с установленной в нем державкой и закрепленной на ней режущей пластиной, воспринимающей силу резания от нагружающего устройства, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности при измерении качества режущей пластины, в него введено измерительное устройство, выполненное в виде стойки, связанной с корпусом, основания, установленного с возможностью перемещения в стойке, воздушного жиклера, установленного с зазором относительно державки на основании, и регистрирующего прибора, закрепленного на основании и связанного с жиклером.

Номер патента: 388437

Опубликовано: 10.03.2000

Авторы: Безукладников, Кашкаров, Рогов, Сальников, Соловьев, Холмогоров

МПК: B01D 53/14

Метки: газов, хлора

Способ очистки газов от хлора и хлористого водорода путем абсорбции растворами хлористого и хлорного железа, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки и упрощения технологического процесса, раствор хлористого железа используют с концентрацией до 416 г/л при температуре 37 - 50oC.

Номер патента: 1009242

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зайцева, Лисовенко, Марончук, Соловьев, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, арсенида, галлия

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.

Номер патента: 1750291

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Гончаров, Гончарова, Смирнова, Соловьев

МПК: E21B 43/25

Метки: нефтяной, повышения, продуктивности, скважины

Способ повышения продуктивности нефтяной скважины, включающий циклическую обработку прискважинной зоны пластообрабатывающим реагентом с определением глубины распространения зоны опорного давления, наибольшего действующего в ней напряжения, а также контролем изменения плотности пород в зоне опорного давления на величину K (Gу- H)/E, где К - показатель...

Номер патента: 1686885

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Гончаров, Калачик, Орлов, Саптыков, Смирнова, Соловьев

МПК: E21B 43/295

Метки: вещества, переработки, подземной, угольного

Способ подземной переработки угольного вещества, включающий вскрытие угольного пласта двумя системами скважин через одну из которых подают дутье, а по другой удаляют продукты газификации, создание очага горения и отвод продуктивного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности подземной газификации за счет увеличения полноты переработки угольного вещества, процесс газификации начинают и ведут после закачки через систему отводных скважин аммиачной селитры в объемеV = 0,6R2m(1 - C)K,где R - расстояние между дутьевыми и отводными скважинами;m - мощность газифицируемого пласта;C - зольность пласта;K = 0,005 - 0,0015 - коэффициент,...

Номер патента: 271335

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Бахрушин, Буров, Вашкевич, Воробьева, Иванов, Левыкин, Мелик-Парсаданов, Соловьев

МПК: F41H 5/06

Метки: защиты, личного, сооружение, состава, фортификационное

1. Фортификационное сооружение для защиты личного состава, содержащее металлический каркас в виде арок, закрепленных вверху продольным жестким элементом и опирающихся на уложенную в котловане горизонтальную опору, тканевое или пленочное покрытие и вход с тамбуром, отличающееся тем, что, с целью повышения транспортабельности сооружения без ухудшения его защитных свойств, его каркас с двух торцовых сторон снабжен образующими сферическую форму полуарками, соединенными своей нижней частью с подковообразными опорами и верхней - с продольным жестким элементом, а вход снабжен вертикальной защитно-герметической перегородкой, опирающейся на грунт обсыпки.2. Сооружение по п.1, отличающееся тем,...