Способ визуализации и топографирования магнитных полей

)5 6 02 Г 1/09 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ЕТЕЛЬСТВ АВТОРСКОМУ нитное поле от его источника 8 помещают висмутсодержащую пленку феррит-граната 6, нанесенную на прозрачную подложку иэ немагнитного граната 7, Доменную структуру в пленке 6 наблюдают с помощью поляризационного микроскопа в режиме "на отражение". На пленку 6 воздействуют переменным полем от катушек 11 и постоянным магнитным полем от соленоида 13. Суммарная напряженность внешнего магнитного поля не превышает поля насыщения доменосодержащей пленки. Внешние поля прикладывают перпендикулярно плоскости пленки вдоль оси ее легкого намаг ничивания. Частоту переменного магнитного поля при визуальном наблюдении выбирают в диапазоне от 20 Гц до 4 ч/Р, где ч - скорость доменных стенок в пленке, Р - период доменной структуры в ней. 2 з.п. ф-лы. шкин нтегр агнитн ,60-6 кис А. нергоа льные го по, При- омизИИ И ТОП Х ПОЛЕЙ изобретение относится ой магнитооптики и мозно для визуализации и агнитных полей, созда- и частицами, содержар, в лакокрасочных ь; в неоднородное магзование: рикладн поЛьзов ованиям гнитным наприм Сущност(57) Исполь к области и жет быть и топограф ир ваемых ма щимися, покрытиях ном маги/или наструктуры. ,ЬЭВ частности, с целью повышения чувст Ъьвительности эа счет упрощения виэуализа-Оции, на доменосодержащую пленку -ьдополнительно воздействуют постоянным К)магнитным полем, приложенным перпендикулярно ее плоскости,Для дополнительного упрощения визуализации на доменосодержащую пленку воэ еаавЪдействуют постоянным магнитным полем,приложенным перпендикулярно ее плоскости, с частотой более 20 Гц, но не более 4ч/Р, где ч - скорость доменных стенок вдоменосодержащей пленке, Р период доменной структуры в ней ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССРГОСПАТЕНТ СССР)(54) СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦГРАФИРОВАНИЯ МАГНИТНЬ Изобретение относится к области прикладной магнитооптики и может быть использовано для визуализации и топографирования магнитных полей, создаваемых магнитными частицами, содержащимися, например, в лакокрасочных покрытиях,Целью изобретения является повышение чувствительности и расширение пространственных частот неоднородного магнитного поля при топографировании за счет воздействия переменным магнитным полем, приложенным перпендикулярно плоскости доменосодержащей пленки, причем амплитуда переменного магнитного поля меньше поля насыщения доменосодержащей пленки, а о неоднороднитном поле судят по топологии личии мест закрепления доменнойСущность изобретения, обеспечивающая достижение положительного эффекта при его использовании. заключается в следующем: в исходном состоянии в отсутствие внешнего и топографируемого магнитных полей в доменосодержащей пленке существует лабиринтная доменная структура, образованная причудливо изогнутыми полосовыми доменами, намагниченность в которых ориентирована перпендикулярно плоскости пленки, причем в соседних доменах - в противоположные стороны, а ширина противоположно намагниченных доменов одинакова, Приложение постоянного магнитного поля перпендикулярно плоскости пленки приводит к увеличению ширины доменов, намагниченных по полю, за счет ширины "невыгодно" намагниченных доменов, Одновременно увеличивается период лабиринтной доменной структуры за счет "выпрямления" полосовых доменов. Если это поле достигает поля насыщения доменосодержащей пленки, доменная структура в ней исчезает.Приложение высокочастотного магнитного поля перпендикулярно плоскости пленки с частотой более 4 ч/Р также приводит к изменению ширины доменов, однако период доменов не успевает измениться, Приложение низкочастотного магнитного поля приводит к одновременному изменению и ширины, и периода лабиринтных доменов. Одновременное приложение постоянного и переменного магнитных полей перпендикулярно плоскости доменосодержащей пленки, в сумме не превышающих поля насыщения доменосодержащей пленки, приводит к небольшому изменению ширины невыгодно намагниченных доменов вокруг среднего значения, определяемого суммарным полем, но к значительному изменению ширины выгодно намагниченных доменов и, как следствие, периода доменной структуры,Если топографируемое магнитное поле однородно, то приложение переменного магнитного поля вызывает движение доменных стенок, происходящее одинаково во всех точках пленки, Если топографируемое магнитное поле неоднородно, то для доменных стенок создаются локальные магнитостатические ловушки, период которых равен пространственному периоду неоднородного магнитного поля, Локальные магнитостатические ловушки обеспечивают закрепление доменных стенок. Если временной период переменного магнитного поля много меньше времени наблюдения, то происходит усреднение движущихся незакрепленных доменов, и неоднородное10 15 магнитное поле визуализируется как области, сохраняющие черты доменной структуры, тогда как однородное магнитное поле визуализируется как "серый" фон. В частности, при визуальном наблюдении частотапеременного магнитного поля для такого наблюдения должна превышать 20 Гц,При использовании прототипа визуализация и топографирование неоднородного магнитного поля обеспечивается, если только пространственный период этого поля близок к периоду доменной структуры в доменосодержащей пленке, а разница междумаксимальным и минимальным значенияминеоднородного поля сравнима или превышает поле насыщения пленки,Предлагаемый способ не теряет работоспособности вплоть до периода неоднородного магнитного поля. сравнимоо с20 шириной доменной стенки, которая на двапорядка величины меньше, чем ширина доменов. Сверху пространственный периодограничивается только размером поля зре, ния при наблюдении доменной структуры,Это ограничение. впрочем, не является существенным, если использовать сканирование или пространственное перемещениедоменосодержащей пленки в неоднородном магнитном поле, Таким образом, наЗ 0 блюдение доменной структуры в пленке.помещенной в неоднородное магнитное поле, и воздействие на эту пленку переменным магнитным полем с напряженностьюменьше поля насыщения пленки обеспечиЭ 5 вает визуализацию и топографированиенеоднородного магнитного поля,Формула изобретения1,Способ визуализации и топографирования магнитных полей, включающий поме 40 щение доменосодержащей пленки в поле ирегистрацию в ней доменной структуры, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения пространственных частот неоднородного45 магнитного поля при топографировании, надоменосодержащую пленку дополнительновоздействуют переменным магнитным полем, приложенным перпендикулярно плоскости доменосодержащей пленки, причем50 амплитуда переменного магнитного поляменьше поля насыщения доменосодержащей пленки, а о неоднородном ма нитномполе судят по топологии и/или наличиюмест закрепления доменной струкгуры,55 2, Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью упрощенид низ,ллизации,на доменосодержащую пл. у лвлиятельно воздействуют пс:с,., и 1 пным полем п " ., иперпендикулярно ее п 1г1824619 Составитель МЛогуновТехред М,Моргентэл Корректор С. Пекарь Редактор Заказ 2225 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 3. Способ по пп.1 и 2, отл ич а ющийс я тем, что, с целью дополнительного упрощения визуализации, на доменосодержащую пленку дополнительно воздействуют 5 переменным магнитным полем с частотой более 20 Гц, но менее 4 ч/Р, где ч - скоростьдоменных стенок в доменосодержащейпленке, Р - период доменной структуры вней.