Магнитооптическая структура

Номер патента: 1642868

Формула

1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью повышения магнитооптической добротности и достижения легкоплоскостной анизотропии, подложка выполнена из Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима и висмута, причем висмут содержится в количестве не менее 0,5 атомов в формульную единицу граната, а празеодим в количестве не менее 1 атома на формульную единицу граната.
2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната дополнительно содержит галлий в количестве до 1,2 атомов на формульную единицу граната.
3. Структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната дополнительно содержит галлий и/или алюминий в количестве до 1,4 атомов на формульную единицу граната, а также скандий и/или индий в количестве до 0,2 атомов на формульную единицу граната.

Описание

Изобретение относится к оптоэлектронике и можеть быть использовано в магнитооптических модуляторах.
Целью изобретения является повышение магнитооптической добротности и достижение легкоплоскостной анизотропии.
На чертеже показана магнитооптическая структура, где 1 подложка и 2 пленка феррит-граната.
Сущность изобретения заключается в следующем.
Введение в состав пленки феррит-граната празеодима в количестве не менее 1 атома на формульную единицу граната создает анизотропию типа "легкая плоскость". Использование такой пленки, как известно, обеспечивает высокое быстродействие при низких управляющих полях. При введение в состав пленки висмута не менее 0,5 атомов на формульную единицу граната фарадеевское вращение и, следовательно магнитооптическая добротность оказываются выше, чем у прототипа. При этом вклад висмута и редкоземельного элемента в фарадеевское вращение имеют не противоположный, как в прототипе, а одинаковый знак. Согласование параметров решетки пленки и подложки обеспечивается, если только подложка выполнена Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂.
Введение в состав пленки до 1,2 атомов галлия на формульную единицу граната позволяет дополнительно снизить модулирующее магнитное поле. При более высоком уровне замещения железа достигается компенсация магнитного момента. Для лучшего согласования параметров решетки пленки и подложки в состав пленки можно вводить до 0,2 атомов скандия и/или индия в расчете на формульную единицу граната и одновременно до 1,4 атомов галлия и/или алюминия. Следовательно, предлагаемое изобретение отвечает критерию "положительный эффект".
Монокристаллические пленки феррит-граната системы (Pr, Bi)₃(Fe, Ga, Al, Sc, In)₅O₁₂ выращивают на подложках из Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂ с ориентацией (III) методом жидкофазной эпитакции из переохлажденного раствора-расплава на основе PbO-B₂O₃ при 670-830^оС. Примеры конкретного выполнения приведены в таблице. Испытания пленок в модуляторе показали, что модулирующее магнитное поле составляет 1-3 Э.
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в магнитооптических модуляторах. Цель изобретения - повышение магнитооптической добротности и достижения легкоплоскостной анизотропии. Магнитооптическая структура содержит подложку 1 из немагнитного граната, на которую нанесена пленка 2 феррит-граната. Подложка 1 выполнена из гадолиний-скандигаллиевого граната. Пленка 2 выполнена состава Pr_xBl_yFe_5-u-v-p-qGa_uAl_vSc_pln_qO₁₂, где 1,0

2,5;0,5

2,0;u

1,2;v

0,2;p

0,2;q

0,1. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Рисунки

Заявка

4626422/25, 27.12.1988

Рандошкин В. В

МПК / Метки

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, структура

Опубликовано: 30.04.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1642868-magnitoopticheskaya-struktura.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитооптическая структура</a>

Похожие патенты

Магнитооптическая структура и способы получения материала подложки и монокристаллической пленки феррит-граната

Номер патента: 1744690

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната

...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...

Шихта для получения феррит-гранатовой магнитной монокристаллической пленки

Номер патента: 1496337

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Матвеев, Рязанов, Таширов

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: магнитной, монокристаллической, пленки, феррит-гранатовой, шихта

Шихта для получения феррит-гранатовой магнитной монокристаллической пленки с одноосной магнитной анизотропией, содержащая оксид иттрия, карбонат кальция, оксид германия, оксид железа (III), оксид бора и оксид свинца, отличающаяся тем, что, с целью увеличения подвижности цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и расширения температурной области совпадения коэффициента температурной зависимости напряженности поля коллапса ЦМД с коэффициентом температурной зависимости намагниченности насыщения феррита, в состав дополнительно вводят оксиды европия, туллия и галлия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%:

Способ контроля периода доменной структуры феррит гранатовых пленок

Номер патента: 1714679

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Дружинин, Краснов, Лунин, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: гранатовых, доменной, периода, пленок, структуры, феррит

...рассеяния обьектива 4 и окуляра 6обозначены соответственно как 1 й ФКак известно, предельный или граничный период бг пространственной структуры,освещаемой монохроматическим светом сдлиной волны А через конденсатор с апертурой Ак и наблюдаемой через объектив сапертурой Ао, определяется какАб =.+цгде и - относительный коэффициент пре-.ломления света иммерсионной среды, за-,полняющей пространство между ФГ, пленкой 1 и объективом 4.При приближении периода наблюдав; 5мой структуры к граничному (б бг) падаетконтраст изображения структуры, что связа-.но с изменением структуры оптическогосигнала, проходящего через объектив.Как известно, амплитуда оптического 10поля Я(х), которым освещается исследуемаяпространственная структура с...

Способ измерения периода страйп-структуры в доменосодержащих пленках

Номер патента: 1051476

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Епанчинцев, Силантьев, Шелухин, Шихин

МПК: G01R 33/12

Метки: доменосодержащих, периода, пленках, страйп-структуры

...прямас полосовйх доменов, находящихся на измеряемом участке, и определяют период страйп-структуры путем деле ння величины линейного размера на количество полосовых доменов Ц .Однако известному способу свойственны низкие быстродействие и точность измерения. 35Цель изобретения - повьыение быстродействия и точности измерений.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измере О ния периода страйп-структуры в доменосодержащих пленках, заключающемуся в том, что пленку помещают в переменное магнитное поле, направление которого перпе"д"кулярно к пл кос ти пленки, плоскость пленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьшают амплитуду переменного магнитного поля до нуля.Способ осуществляют следующим образом....

Способ получения диэлектрических пленок для мдп структур на основе арсенида индия и его твердых растворов

Номер патента: 1840172

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Белотелов, Емельянов, Солдак

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, диэлектрических, индия, мдп, основе, пленок, растворов, структур, твердых

Способ получения диэлектрических пленок для МДП структур на основе арсенида индия и его твердых растворов, включающий погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку и подачу на пластину электрического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности МДП структур путем снижения величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках, в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%, после анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит,...

Предыдущий патент: Устройство для двусторонней обработки криволинейных поверхностей лопаток газотурбинных двигателей

Следующий патент: Способ получения активного гидроксида алюминия

Случайный патент: Способ получения сульфида меди

В верх страницы