Носитель информации

)5 6 11 С 11/14 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Авторское свидетельство СССРМ 1279410, кл. 6 11 С 11/42, 1984.Авторское свидетельство СССРМ 1137924, кл, 6 11 С 11/14, 1983.(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано вмагнитооптических управляемых транспарантах. Целью изобретения является повышение надежности работы носителяинформации и его быстродействия. Носитель информации содержит области 1 слоямагнитоодноосного материала с пониженной намагниченностью насыщения ячейки),которые окружены по периметру углублениями 2, за исключением участка ввода, где граница 3 между областями с разной намагниченностью насыщения выполнена выпуклой по направлению к центру ячейки, Между ячейками размещены две ортогональные системы 4 и 5 токопроводящих шин; отделенные друг от друга диэлектрическим слоем. Слой магнитоодноосного материала нанесен на диэлектрическую гранатовую подложку, В ыполнение углублений по периметру ячейки повышает надежность работы носителя информации, так как они уменьшают возможность перемагничиванияя ячейки под воздействием доменной структуры, окружающей ячейку, При использовании магнитоодноосного материала с орторомбической анизотропией на гранатовой подложке с ориентацией осей кристаллической решетки 210) и возможности ориентации направления максимальной скорости пере1 б 56594 5 10 15 20 25 30 40 мещения доменной границы на участке ввода из угла пересечения токопроводящих шин к центру ячейки уменьшается время Изобретение относится к вычислительной технике и может быпгь использовано вмагнитооптических управляемых транспарантах.Цель изобретения - повышение надежности работы носителя информации и егобыстродействия,На чертеже изображена конструкцияНосителя информации.Носитель информации содержит облати 1 слоя магнитоодноосного материала сониженной намагниченностью насыщеия (ячейки), которые окружены по перимету углублениями 2, за исключениемучасткаввода, где граница 3 между областями сразной намагниченностью насыщения выг 1 олнена выпуклой по направлению к центруячейки. Между ячейками раазмещены двеОртогональные системы 4 и 5 токопроводящих шин, отделенные друг от друга диэлектрическим слоем. Ячейки могут иметьразличную, например. восьмиугольную форйу.Магнитоодноосный материал с ортаромбической анизотропией вь;полнен изферрит-граната состава (У, Ео, Рг, В)з х (Ре,Оа, А 1)50 а с содержанием висмута от 0,5 до2,3 аомов на формульную единицу гранатаНа гранатовой подложке состава, наг ример.дзба 5012. с ориентацией осей кристаллической решетки (210).Направгение максимальной скоростиПродвижения доменных границ на участкеввода ориентировано из угла пересечениятокопроводящих шин к центру ячейки,Области с пониженной намагниченностью насыщения оно сформировать спомоцью диффузионного отжига в присутСтвии кремния, Это позволяет снизить намагниченность насыщения в 3-10 раз,Углубления 2 по периметру ячеек могутиметь глубину (0,1 - 1) и, где- тол гцина слоямагнитоодноосного материала, и ширину2-10 мкм при размере ячеек 50-150 мкм,Токопроводящие шины могу быть изготовлены методом фотолитогоафии,Работа накопителя заключается в управляемом переключении вектора намагниченности ячеек, При подаче токов в двапроводника переключается только та ячейка, которая находится на пересечении этихшин и ее участок ввода примыкае к этомупересечению, Для переключения ячейки в переключения ячейки, в результате повышается быстродействие носителя информации, 2 з,п, ф-лы, 1 ил,противоположное состояние направление токов изменяют на противоположное. Переключение ячейки происходит за счет прорастания домена из участка ввода, формируемого сильным суммарным магнитным полем двух проводников, вглубь ячейки через границу 3. Идентификация состояния намагниченности ячейки может быть осуществлена с помощью эффекта Фарадея.При наличии углублений по периметру ячейки повышается надежность, работы носителя информации, так как уменьшается возможность перемегничйвания ячейки под воздействием доменной структуры, окружающей я ейку, Кроме того, при использовании магнитоодноосного материала (т, Ы, Рг, В)з(Ее, 6 а, А)5012 с орторомбической анизотропией на диэлектрической гранатовой подложке с ориентацией осей кристаллической решетки (210) и ориентации направления максимальной скорости перемещения доменных границ на участке ввода из угла пересечения токопроводящих шин к центру ячейки уменьшается время переключения ячейки, в результате чего повышается быстродействие носителя информации,Формула изобретения 1, Носитель информации, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитоодноосного материала, в котором выполнены чередующиеся области с разной намагниченностью насыщения в смежных областях, а между смежными областями расположены две ортогональные системы токопроводящих шин, которые разделены в местах пересечения диэлектрическим слоем, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности работы носителя информации, области с меньшей намагниченностью насыщения выполнены в виде ячеек, по периметру которых, кроме участка ввода. расположенного возле одного из пересечений двух токопроводящих шин, выполнены углубления, причем граница между областями с разной намагниченностью насыщения на участке ввода выпогнена выпуклой понаправлению к центру ячейки.2, Носитель по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродейстЗаказ 2055 Тираж 349 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 вия носителя информации, слой магнитоодноосного материала выполнен с орторомбической анизотропией, .а направление максимальной скорости перемещения доменных грраниц на участке ввода ориентировано из угла пересечения токо- проводящих шин к центру ячейки. 3. Носитель по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия носителя информации, магнитоодноосный материал выполнен состава (У, Ы, Рг, В)з(Ре, ба, А 1)БОа, а диэлектрическая подложка выполнена с ориентацией осей кристаллической решетки (210).