Модулирующий элемент

Номер патента: 511530

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Елисеев, Костюхина, Носкова, Цкипуришвили

МПК: G01M 17/00

Метки: железнодорожного, испытания, подвижного, рам, состава, стенд, тележек, элементов

...части в силовой раме 2 с помощью подвижных 4 и неподвижных 20 . клиньев и прижимной траверсы 5. 15Неподвижные клинья 20 прикреплены к двум внутренним противоположным сторонам силовой рамы 2 и соприкасаются с подвижными клиньями 4.Свободные концы испытуемого элемента ф 19 охвачены П-образными зажимными скобами 21, выполненными в виде направляющей 22 с двумя подвижными вдоль нее ще ками 23. Штоки 24 гидродомкратов 8 го ризонтального нагружения соприкасаются со щеками 23 и точках, смещенных относительно нейтральной от испытуемого элемента 19.Стенд работает следующим образом.При подготовке стенда к работе испыту- ф емый элемент 19 устанавливается в силовую раму 2, расположенную на основании 1 стенда, и в средней своей части закрепляется в...

Номер патента: 1539839

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Кузин, Мелихов, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...оба режима движения 3 обратимый и не 45 обратимый. При достижении полем смещания величины объемной коэрцитивности Н, ДГ только деформируется в объеме пленки, а при достижении полем смещЕния значений Н ДГ начинает дви" гаться как целое.Обратимся к форме магнитооптического сигнала, отражающего реальный характер смецения ДГ во времени под действием пилообразного импульса однородного магнитного поля смещения Из фиг. 3 видно, при достижении по- лЕм смещения значения объемной коэрцитивности Н, появляется магнитооптический сигнал, обусловленный упругим деформированием ДГ, закрепленных на поверхности пленки. С дальнейшим ростом поля смецения процесс обратимого движения ДГ продолжается до тех пор, пока величина поля смецения не достигнет...

Номер патента: 1316046

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Барьяхтар, Линник, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховской, домена, магнитного, пленке, простой, стенкой, феррит-гранатовой, формирования, цилиндрического

...граница ЦМД имеет простую блоховскую структуру (беэ ВБЛ).На фиг. 1 приведена зависимость полей коллапса Н , от температуры для ЦМД с различным числом ВБЛ для пленки (УЕп) (РеСа)0,эпитаксиально выращенной на подложке из ЮСаО, с ориентацией (111). Параметры пленки при комнатной температуре следующие; толщина Ь3,7 мкм, намагниченность насыщения 4 ВМ98 Гс характеристическаягде- гиромагнитное соотношение.Как видно из фиг,2, параметр ЦМД остается неизменным до некоторой температуры а затем скачкам уменьшается, Новое состояние доменной границы сохраняется в некотором интервале температур, а затем параметр Б снова скачком уменьшается и при температуре около 375 К все ЦМД преобразуются в домены с простой блоховской стенкой, для которых Б =...

Номер патента: 1444887

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...сигнал пропорционален смещению доменных границ происходящего под воздействием импульсов магнитно- ЗО го поля, т.е. амплитуда импульсов сигнала на выходе фотоэлектронного умножителя пропорциональна величине смещения доменных границ. Зависимость относительного смещения доменных гра- З 5 ниц Х от величины амплитуды поля Н имеет два участка с существенно различным наклоном, При этом точка излома на графике зависимости Х=2 (Н) оказывается однозначно связана с коэрци тивной силой Нс пленки. Как слева, так и справа от точки излома амплитуда фотоотклика при линейном увеличении амплитуды импульсов магнитного поля изменяется также линейно. Одна ко в момент, когда амплитуда импуль" сов переменного магнитного поля достигает значения коэрцитивной...

Номер патента: 1069002

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Галкин, Довгий, Калкин, Манянин, Ходосов, Шаповалов

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, параметров, пленки, феррит-гранатовой, эпитаксиальной

...пленку сжимающих 60 напряжений, последние создают всесторонним радиальным давлением в плоскости пленки величиной 0,1-5 кбар.При таком режиме создания сжимающих усилий происходит изменение параметра кристаллической решетки подложки и пленки и, вследствие отличия откуля константы магнитострикции пленки (эффекта магнитострикции), :.роисходит изменение целого ря.,а ее емагнитных параметрон. одноосной анизотропии, характеристической длины,намагниченности насыщения, шириныстрайпа, диаметра одиночного ЦМД,плотности решетки ЦМД и т.д.Нижний предел 0,1 кбар выбраниэ услония начала влияния данления намагнитные параметры, а верхний 5 кбаропределяется прочностью эпитаксиальной пленки.На чертеже приведены зависимостимагнитных параметров...