Способ получения магнитооптического носителя информации

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСКРЕСПУБЛИК 9) (Щ 64/14 ПИСА ИЗОБРЕТЕНИЯ АВТО У СВИДЕТЕЛЬС ошещего компии, мол,РЬОВ 1 иОз нты в следующи ГОСУДАРСТВЕ 1+1 ЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССР ЛВ 1019870, кл. С 30 В 19/12, 1986.Радиоэлектроника. Состояние и тенденции развития, НИИЭИР, 1985, тетр.11, с.70 - 78.(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТООПТИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации. Целью изобретения является повышение однородИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации. Целью изобретения является повышение однородности и толщины эпитаксиального слоя и увеличение. подвижности доменных стенок в нем.В соответствии с предложенным способом получение магнитооптического носителя информации осуществляют следующим образом,Выращивают эпитаксиальный слой на вращающейся немагнитной подложке со структурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав, содержащий растворитель В 120 З-РЬО-В 20 з и гранатообразующие окислы при температуре от 940 до 1108 К из раствора-расплава, содержаности и толщины эпитаксиаььного слоя и увеличение подвижности доменных стенок в нем. В способе получения магнитооптического носителя информации, включающем выращивание эпитаксиального слоя на вращающейся нема гнитной подложке со структурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав, содержащий растворитель В 120 з-РЬО-В 20 з и гранатообразующие окислы, выращивание слоя проводят при температуре от 940 до 1108 К из раствора-расплава, содержащего компоненты в следующем соотношении, мол.: РЬО 0,00 - 67,12; В 120 э 17,49 - 82,21; В 20 з 1,19 - 5.28; Я 20 з0,14 - 1,49; Ге 20 э 7,15 - 14,39; Ме 20 з 0,47 - 2,92, где й=бб, У, 1 ц, 1.а или их комбинация, Ме = ба, А 1 или их З комбинация. 1 табл. 0,00 - 67,1217,49 - 82,21В 20 з 1,17 - 5,28В 20 з0,14 - 1,49Ге 205 7,15 - 14,39Ме 20 з 0,47 - 2,92,где й = бО, У, 1 о, 1 а или их комбинации,Ме " ба, А 1 или их комбинация.Суть предложенного способа заключается в том, что приведенный диапазон раствора-расплава не соответствует областипервичной кристаллизации граната (первой кристаллизующейся фазой при охлаждении системы из гомогенного состоянияявляется феррит-гранат), Для указанногосоотношения компонентов первой кристаллиэующейся фазой является фаза с негранатовой структурой, однако при внесении внгг 948 1 г,6 зг 17,г з,о1 ОО П р и м е ч а н и е: (Эр-удельное фарадеевское вращение на длине волны 600 н Составитель О.РозентальРедактор А.Мотыль Техред М,Моргентал Корректор О,Кравцова аз1404 Тираж 354 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул. Гагарин раствор-расплав изоструктурной подложки наблюдается вынужденная кристаллизация феррит-граната. Нестабильные растворырасплавы характеризуются повышенной устойчивостью по отношению к деградации пересыщенного состояния раствора-расплава, а следовательно, стабилизацией коэффициентов распределения во времени и повышением однородности и толщины эпитаксиальных слоев.То, что в состав эпитаксиального слоя не входят быстрорелаксирующие ионы, дающие большой вклад в приведенный параметр затухания Ландау-Лифшица, обеспечивает высокие значения подвижно. сти доменных стенок в носителе информации.Эпитаксиальные слои состава Я,В)з, (Ге.Ме)501 г, где й - Ш, т, Об,а или их комбинация, Ме =ба, И или их комбинациявыращивали методом эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава с ориентацией (111). В качестве подложек использовали немагнитные гранаты ОозОа 501 г(ГГГ), Яп 1 зОа 501 г(СГГ), Йс 3 зОа 501 г(Н ГГ), О аз(ЙЬ,Оа)501 г(КН ГГ) и Оаз(ЙЬ,Оа,Ое)501 г(КНГГГ). Раствор-расплав содержал компоненты в соотношении, указанном в таблице. Диапазон изменения температуры роста Тр составлял от 940 до 1100 К, скорость вращения подложки в = 100 - 200 об/мин, Изменение состава по толщине эпитаксиального слоя, которое контролируется методом рентгеновского микроанализа на косых шлифах, не превышало 5 о, Подвижность доменных стенок определяли по ширине ли нии ферромагнитного резонанса. Типичные параметры носителя информации приведены в таблице, где Ор - удельное фарадеевское вращение.10,Формул а изобретения Способ получения магнитооптическогоносителя информации, основанный на выращивании эпитаксиального слоя на вра 15 щающейся немагнитной подложке соструктурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав., содержащийрастворитель ВгОз-РЬО-ВгОз и гранатообразующие окислы, отл ича ю щийс я тем,20 что, с целью повышения однородности итолщины эпитаксиального, слоя и увеличения подвижности доменных стенок в нем,выращивание эпитаксиального слоя проводят при температуре 940 - 1108 К, причем25 раствор-расплав содержит компоненты вследующем соотношении, мол, ;РЬО 0,00 - 67,12В гОз 17,49 - 82,21ВгОз 1,17 - 5,2830 ВгОз 0,14 - 1,48ЕегОз 7,15 - 14,39Мег Оз 0,47 - 2,92,где Й = Об, У,о,а или их комбинация,Ме = Оа, А или их комбинация.