Рандошкин

Номер патента: 1538189

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферримагнитной, эпитаксиальной

...подреш одержащей лючается Суть изобретения затом, что обычно в запоройствах используютсявы которых не обеспечицию намагниченностей п минающих устленки, состанаучных иссл ают компенсадрешеток, т.е,рической подй намагниченелью из сть тетра ше суммар намагниченрешетки бо с декаэдричесающих устройррит-гранатов м отношением ой скоростью ескоии д В запоми ости октаэдричой подрешеток твах на основе ено б ышенным гиромагни ос,и ледствие о ся обратная менных стен аксии на ситуация,л ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЩРЫТИПРИ 1 КНТ СССР ОПИСАНИ) СПОСОб ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИ ПОДРЕШЕТОК ЗПИТАК ОСОДЕРЖАЩЕЙ ФЕРРИМАГ ) Изобретение относи ельной технике и мож ьзовано при контроле мации для быстродейс Изобретение относится к области вычислительной...

Номер патента: 1531161

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, магнитооптического, пленки, пригодности, транспаранта, управляемого, феррит-граната

...получить в пленках с разным соотношением намагниченностей подрешеток в структуре граната. Обычно используют пленки, у которых М 1) М ,+ М , где М -М, и МД-намагниченности тетра-, окта- и додекаэдрической подрешеток граната соответственно. Однако высоким быстродействием обладают пленки с повышенным гиромагнитным соотношением, для которых М,сМ + МДля случаев М,1 ) М+ М и М,сМ+М знаки фарадеевского вращения в одинаково намагниченных пленках противоположны. Таким образом, при одновременном наблюдении в поляриэационном микроскопе доменной структуры в пленках, отвечающих этим двум случаям, действие внешнего магнитного поля Н приводит к затемнению или осветлению доменной картины в зависимости от того, к какой группе принадлежат аттестуемые...

Номер патента: 1513530

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Логунов, Прытков, Рандошкин

МПК: H01F 7/06, H01H 49/00

Метки: калибровки, электромагнита

...пленке появляется домен с обратнойнамагниченностью, и определяют калибровочнь коэффициент электромагнита,агнитного поля,ектромлгнитом при ез него единицы тока.огесодержлиН йлек ать мооерстая 1 чес25из о брет ения Формула Способ калибровки электромагнита, согласно которому в электромагнит помещают доменсодержащую пленку, 30 воздействуя на нее внешним магнитным полем, подают ток через обмотку электромагнита, регистрируют зависимость величины изменения внешнего магнитК =АН/Ы,где Ка 1 калибровочный коэффициент;изменение тока, пропускаемого через электромагнит;изменение напряженностивнешнего магнитного поля. ного поля и тока, пропускаемого через обмотку электромагнита, и по этой 5зависимости определяют калибровочныйкоэффициент электромагнита,...

Номер патента: 1513518

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Голузинский, Логинов, Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, импульса, компенсации, момента, пленках, температуры

...компенсации момента импульса доменосодержащей пленки,П р и м е р. В качестве доменосо-, 40 держащей пленки использовали моно- кристаллические пленки феррит-граната составов ( Сй, Тт, В 1 ) (Ре ,Са )О (Тш, Вз.)(Ре, Са ),О Рассматривается реализация способа на пленке первого состава, имеющей следующие параметры при 20 С: толщина Ь = 14,б мкм, намагниченность насыщения 4 пМ =- 150 Гс, характеристическая длина 1 = 1,25 мкм, поле одцоосной анизотропии 2100 Эгиромагнитное отношение 1 = 5,710" Э сДля реализации способа использовали поляризационный микроскоп, электромагнит, генератор импульсов и стабилизатор температуры, Пленку помещали в электромагнит, находящийся на предметном столике микроскопа, дамены в пленке наблюдали благодаря эф...

Номер патента: 1513515

Опубликовано: 07.10.1989

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, неоднородности, пленки

...фарадеевское вращение 6 практически не изменяется, Как следствие, изменяется эффективное поле 15 одноосной анизотропии Н=2 К/М. Поскольку диффузионный отжиг является локальным, то распределение намагниченности является неоднородным как по толщине пленки, так и по диа метру ячейки. Как показывает опыт, при импульсном перемагничивании пленок феррит- гранатов из насьпценного состояния при превышении действующим полем Н=Н,-Н, эффективного поля одноосной анизотропии реализуется механизм перемагничивания вращением намагниченности, причем этот механизм явля ется наиболее "быстрым". Перемагничиваются области в доменосодержащей пленке, для которых Н к (Н, а области с Н 7 Н остаются неперемагниченными, Следовательно, местоположение границы...

Номер патента: 1501159

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Логинов, Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: гиромагнитного, доменосодержащих, знака, отношения, пленках

...намагниченности показаны разным цветом). Области с разных сторон проводника имеют противоположное направление намагниченности, а граница 35 областей проходит под проводником (Фиг. 2). После окончания импульса тока намагничивающее поле исчезает и в результате изгибной неустойчивости доменной границы под проводником 40 начинается перемагничивание пленки путем роста полосовых доменов 3 в обе стороны от проводника (Фиг.3). Перемагничивание заканчивается Формированием полосовой доменной структу 45 ры со строго определенным углом сноса доменов(фиг.4) относительно перпендикуляра к проводнику. Такая доменная структура может быть легко зарегистрирована известными магнитооптическими методами. Если знак гиромагнитного отношения...

Номер патента: 1499293

Опубликовано: 07.08.1989

Автор: Рандошкин

МПК: G01R 33/032

Метки: магнитного, поля

...намагниченности на направление распространения света. 45 Указанный поворот вызывает изменение интенсивности света, пропускаемого анализатором 3 на Фотодетектор 5, и, следовательно, сигнала, регистрируемого устройством б. Таким образом, изменение Д 1 сигнала на выходе устройства б есть Функция угла выхода вектора намагниченнОсти из плоскости пленки, т.е.(е) 9 (1) 55 где 8 - угол между вектором намагениченности и осью легкого намагничивания, перпендикулярной плоскости 3 4пленки. Он связан с перпендикулярнымплоскости пленки измеряемым магнитным полем следующим соотношением;где М з - намагниченность насьпцения.Соотношениями, (1) и (2) обоснована калибровка сигнала на выходе рЕгистрирующего устройства 6 по напряженности...

Номер патента: 1481857

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, носителя

...на подложках из кальций-ниобий-галлиевого граната, которые более прозрачны и обеспечивают на порядок более высокую магнитооптическую добротность на длине волны= 0,8 мкм.При температуре роста пленок боолее 693 С их качество резко ухудшается вследствие значительного растворения подложки. При температуре раствора-расплава менее 663 С начинается спонтанная кристаллизация Феррит-граната, Указанный диапазон температур роста пленок обеспечивает при содержании в расплаве, мол.%: РЬО 58,87- 60,31; В 1 О 26,57-29,43; В,О 1,63- 1,78; (720 + 1,ц О ) не более 0,35. Орторомбическая анизотропия, достаточная для повышения скорости доменной стенки с - 10 до)100 м/с, созда ется при содержании в растворе-расплаве, мол.%; Ре,О, .7,68-7,84; Са 202...

Номер патента: 1318807

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Кукушкина, Рандошкин, Тимошечкин

МПК: G01K 7/38

Метки: температуры

...домены с обратной намагниченностью проявляются через 1 О 0,02-0,05 мкм, что определяет минимальную длительность импульса магнитного поля, Для обеспечения точностирегистрации положения изотерм не хуже+ 1 мкм длительность импульса поля 15 не должна превьппать 0,5-1 мкс. Дляобеспечения максимальной магнитоопти- .ческой эффективности при регистрациидоменов с обратной намагниченностьютермочувствительный пленочный элемент 20 следует выполнить из В 1-содержащейэпитаксиальный пленки феррит-гранатасостава: (У,1,ц,В 1)(Ре,Са) 0,.Использование в качестве термочувствительного элемента низкокоэрцитив" 25 ной висмутсодержащей пленки ферритграната позволяет повысить отНошениесигнал - шум, при регистрации перемагниченных областей вследствие высокой...

Номер патента: 1300560

Опубликовано: 30.03.1987

Авторы: Дудоров, Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, пленке, слоев, числа

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано.для неразрушаюшего контроля качества материалов с цилиндрическими магнитными доменами.Цель изобретения - повышение чувствительности и точности определения числа слоев в доменосодержащей пленке. Способ осушествляют следующим образом.На доменосодержашую пленку, намагниченную до насыщения постоянным магнитным полем, воздействуют импульсным однородным полем обратной полярности и, увеличивая амплитуду импульсного магнитного поля Н до величины, превышающей эффективное поле анизотропии доменосодержашей пленки Нкэ, регистрируют (например, фотоэлектрическим способом) зависимость обратной величины...

Номер патента: 1282204

Опубликовано: 07.01.1987

Автор: Рандошкин

МПК: G11B 11/14

Метки: информации, магнитном, носителе, регистрации

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,4 12822Изобретение относится к технике магнитной записи и может быть использовано для воспроизведения информации с магнитного носителя типа лент, диска, барабана и т,п. 5Цель изобретения - повышение быстродействия.При импульсном перемагничивании доменосодержащей пленки, намагниченной до насыщения в направлении нор мали к ее плоскости и находящейся в контакте с магнитным носителем,задерживание доменов с обратной намагниченностью прежде всего происходит1 с в областях, где локализуются поля рассеяния сигналограммы,записанной на магнитном носителе. Следовательно, регистрируя домены с обратной намагниченностью через некоторое время (обычно 10-20 нс) после начала действия импульса...

Номер патента: 1198569

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Куделькин, Набокин, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, ионно-имплантированного, однородности, пленке, слоя

...повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД Но, а напряженность импульсного поля Ни, при котором начинается процесс вращения намагниченности.Предложенный способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.На намагниченную до насыщения доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем.Регистрация вращения намагниченности обеспечивается использованием магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света для подсветки пленки в некоторый момент времени через 20 в 2...

Номер патента: 1198568

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Куделькин, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: визуализации, доменных, доменосодержащей, имплантированном, ионно, пленки, слое, стенок

...наб., д, 4/5Филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле продвижения заряженных стенок в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ) с ионноимйлантировацной структурой продвижения, а также при контроле состояний ЦМД в ионно-имплантированных доменосодержащих пленках.Цель изобретенйя - повышение временного разрешения и точности визуализации доменных стенок за счет регистрации микродоменов с обратной намагниченностью, зарождающихся вблизи доменных стенок в ионно-имплантированном слое при импульсном перемагничивании доменосодержащей пленки.Способ осуществляется следующим образом.На доменосодержащую пленку воздействуют...

Номер патента: 1130899

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Тимошечкин

МПК: G11C 11/14

Метки: выявления, дефектов, доменах, интегральных, магнитных, схемах, цилиндрических

...их регистрацию осуществляют вотраженном свете. В частности, можно для облегчения регистрации наповерхность доменосодержащей пленки перед нанесением управляющих структур напылить отражающий слой и наблюдать домены со стороны нерабочей поверхности пленки . Если для перемагничивания доменосодержащей пленки используют импульсы магнитного поля с длительностью фронта менее 0,05 мкс, то на процессперемагничивания сказываются динамические эффекты. При этом минималь3 1130 ная амплитуда импульсного поля, при которой на данном центре зародышеобразования появляется домен с обратной намагниченностью, зависит от длительности фронта импульса. При5 длительности фронта импульса более 0,5 мкс на процесс перемагничивания сказывается...