Способ определения ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в доменосодержащей пленке

,В,Ран 82,2, с. 708. ИЕН- ТАТАЛПИИ В слительвано прие ионнолических обрете ии осей На фиг, 1 пок енные структур ленке после ок тра нствен но-нес оля; на фиг, 2 - вр ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗО К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Радиоэлектроника за рубежавып, 18, с, 33.Письма в ЖТФ, 1982, т, 8, вып.54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОЦИИ ОСЕЙ КУБИЧЕСКОЙ. КРИГРАФИЧ ЕСКОЙ АНИЗОТРОДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ(57) Изобретение относится к вычной технике и может быть использоизготовлении ЗУ на ЦМД на основимплантированных монокристалпленок феррит-гранатов. Целью иния является определение ориента Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах на основе ионно-имплантированных монокри- сталлических пленок феррит-гранатов.Целью изобретения является определение ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионноимплантированном слое доменосодержащей пленки. заны динамические дов доменосодержащей нчания импульса пронородного магнитного менныедиаграммы поля 1569900 А кубической кристаллографической анизотропии в ионно-имплантированном слое доменосодержащей пленки, На доменосодержащую пленку воздействуют полем смещения, намагничивающим ее до насыщения, и противоположно направленным импульсом пространственно-неоднородно-. го магнитного поля с аксиальной симметрией, Регистрируют динамическую доменную структуру в пленке после окончания импульса пространственно-неоднородного магнитного поля. Об ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионно-имплантированном слое судят по ориентации узких динамических доменных структур, локализованных вблизи трех пересекающихся прямых линий, которые имеют ориентацию 1211, 112) и 211) . Точность определения ориентации состав-. ляет до 0,5, 2 ил. смещения Нсм и импульсного пространственно-неоднородного магнитного поля Ни,Предлагаемый способ осуществляется следующим образом,После включения поля смещения, кото-. рое может быть как постоянным, так и импульсным, доменная структура в доменосодержащей пленке исчезает и она становится намагниченной в одном Нсм направлении, В результате воздействия надоменосодержащую пленку импульса пространственно-неоднородногомагнитного поля Н 11 с аксиальной симметрией происходит полное перемагничивание основного объема доменосодержащей пленки в противоположном Нс направлении и вращение15699 ОО йгй Составйитель й,Аьйийкееь8;"Ред Гй:"й 10)Геьг; ал ОР 1амОРСК.Я Реда кт.Шандор ПОдпи"ное008 тениям и Открытигйм ГОи ,йййй(: йй й 1 й/5 ж 408ОМИТ 8 ТЯ ПО .30Осква, )й(-", Ра Тира ТВ 8 НЧОГО К 1 1:Р)й) Ч аказ 1453 ВНИИ Осуда Производственно-издательскич комбинат йПй)теьйт", й, Ужгород, ул, Гай арийча,векторов намагниченности в ионно-имплантированном слое, в результате которого они выстраиваются вдоль трех эквивалентных направлений, составляющих друг с другом углы 120 О, При этом в окрестности пеоесечения осью симметрии пространственно- неоднородного магнитного поля доменосадержащей пленки,в, ирнно-имплантирован. ном слое образуются три домена, разделенные дОменньйми стенками, Зт(1 , стенки ориентированы под улом 12 О другк другу вдоль трех пересекайощихся пря , мых, После окончания импульса Н:, ПроисхОдит релаксация доменнОЙ сгоуктуОь е исходное состояние, определяемое Нйсй. При этом сразу после Оконйчайн.йя имп "са Ни Остаются перемагнийченными ОО,1 а(;ть пленки в виде искаженного трауГсльника, лкализованная вблизи точкйг пере(внеия Оси симметрии Ни, с домеййоООГ,-.0)ьаьйеи пленкой, а так)ке узкие оба(:т;:1, Гйо:(алйй.1;- ванньйе вдоль трех пересе:;а)оЦьхся й,й я 3 линии, которые с)рией-йтР 10(ваньй вдоль ,эи- СТЗЛЛОГОафич 8 СКИХ Ней.ОЕБ)йечй.и й :/йй, .,"Г егистрация узких .;.:;ьйн.):. и:ескй:х,цсМЕННЫХ СТРУ(ТУ(й ППэ,йегйлддОй-Га г -"ЛйцтОриентацийо Осей кубической-; кэис)ал,10:.рафич 8 скОЙ анизотг)опии в 11;-й но-ир,;, ;:,Ьт йрованном слое(йменом(зйй,.:ащей Гйле;н ,Точность определения Ори:;, - :йгции ссйавляет до О,5. РегиСТРай(ИЮ Цойй)ейййн 0 Й .;т Г:й(й-У йЭЬ Можно Осущ 8 ствить с исГ)ользовай-йием эффекта Фарадея и высокоскоростнгй- Зотогр.:и,РГГ) Формула изобретенияСпособ Определения ориентации Осейкубической кристаллОГрафическОЙ анизо" тропии в доменосодержащей пленке, вклю чающий воздействие на доменосодержащуйо пленку. импульсом пространственно-неоднородного магнитного поля с аксиальной симметриеЙ, Ось кОтОРОЙ Ори 8 нтирована перпендикулярно плоскости до О м 8 нОсОДержащ 8 Й пленки, й 1 08 ГистраЦиюдинамийеской дОменнОЙ структуры, по фООМ 8 кОторОЙ суДят Об Ори 8 нтзЦии Ос 6 Й кубич 8 ской кристаллОГрафич 8 скОЙ анизотропии О т л кй ч а йо щ и Й ( я Ге( чт с й,йегйьй 15 опоеделения ориентации осей кубическойкристаллографической анизотропии е .Она 1-и(и план ГирОванном сл 08 доменосодеожащей пл 8 н й(и, на ьй 88,цОГйол ни Гельн. Бо:йцейс В)лОГ пОййем с 18 йй 1.;йийй, наГйраз йние й(оторого п с( Г;вогйол; )кцО . О.,Пп йен йчРО-Ра Ст.,-, ййй " неОДНС 301.3 48 Н Гэ ГО:йя Ойлнзмы"еслио,цой 18 ййн)йчо "тй)ук 1 ур8) И)ОХОЧ)йГт ГйОСЛЕ )йОйяЧайй 11;. Иймй 4 688 и (осОа, - ,ве д й-;1-ндол ,:,Оро(й:.10) рай-й сл- .,съ;: ГО поля, а об ОриентаЦИИ ьс:;:". 1(Ьй,.-;сй(оисаллич 8 ской знизотрогйии с,Оят и э Ори-н та ц и и уз к их ди и я ы и ч ес (кй,:,;ОК 1 3 н .: с. . структур, лой(ализованньйх волизи трех ресекайощихся прямых л.й ий 1., ГПичем й;:аЗййай(1 ия наййрях"енййосги, пйэи которой ис чеэ. - :"81 дОмЗйй ная струку",За в дйой 1 еносодер" жащей пленке, а временной интерва:, Л 81СТВ 1 Я йОЛЯ Гй,ейй(ей-йЦа П -йеаыйййае:воемейннЙ ий.йтеовал действия и: пйльс ПРО( ТраНС88 ННО "й 80 ЗНОООДНЭйл:ГЬ ИГ 0 ПоЛЯ й/ ЭкгйЮЧае его.