Магнитооптическая структура
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1642869
Автор: Рандошкин
Формула
1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью достижения легкоплоскостной анизотропии и повышения угла фарадеевского вращения плоскости поляризации излучения, подложка выполнена из гадолиний-скандий-галлиевого граната, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима.
2. Магнитооптическая структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната выполнена состава Pr3Fe5-xGaxO12, где x 
1,2.
3. Магнитооптическая структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка выполнена состава Pr3Fe5-x-y(Sc, In)y(Ga, Al)xO12, где x 1,4, y 0,2.
Описание
Цель достижение легко-плоскостной анизотропии и повышение угла фарадеевского вращения.
На чертеже показана магнитооптическая структура, содержащая подложку 1 и пленку феррит-граната 2.
Сущность изобретения заключается в следующем. Введение в состав пленки феррит-граната ионов празеодима создает анизотропию типа "легкая плотность". Использование такой пленки, как известно, обеспечивает высокое быстродействие при низких модулирующих магнитных полях. При введении в состав пленки до 3 атомов празеодима в расчете на формульную единицу граната обеспечивается повышение фарадеевского вращения при
1,15 мкм более, чем в 6 раз по сравнению с аналогом и в 1,1-2,5 раз по сравнению с прототипом. При этом согласование параметра решетки пленки и подложки обеспечивается, если подложка выполнена из Gd3Sc2Ga3O12. Введение в состав пленки до 1,2 атомов галлия на формульную единицу граната позволяет дополнительно снизить модулирующее магнитное поле. При более высоком уровне замещения железа достигается компенсация магнитного момента. Для лучшего согласования параметров решетки пленки и подложки в состав пленки можно вводить до 0,2 атомов скандия и/или индия в расчете на формульную единицу граната и одновременно до 1,4 атомов галлия и/или алюминия.Монокристаллические пленки феррит-граната системы Pr3(Fe, Sc, In, Ga, Al)5O12 выращивали на подложках из Gd3Sc2Ga5O12 с ориентацией (III) методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе PbO-B2O3 при температуре 780-830оС. Примеры конкретного выполнения приведены в таблице. Испытания пленок в модуляторе показало, что модулирующее магнитное поле составляет 1-3 Э.
Дополнительным преимуществом изобретения является отсутствие в составе пленки ионов висмута, поэтому при выращивании пленок не возникают проблемы, связанные с деградацией пересыщенного состояния висмутсодержащего раствора-расплава.
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в магнитооптических модуляторах. Цель изобретения - снижение модулирующего магнитного поля. Пленка 2 выполнена состава Pr3(Fe,Ga,Al,Se,ln)5O12 и нанесена на подложку 1 из Gd3Sc2Gd5O12 Этим достигается высокое фарадеевское вращение (до 1700 град/см при длине волны 1,06 мкм) без применения Bi в составе пленки и легкоплоскостная анизотропия пленок. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Рисунки
Заявка
4626921/25, 27.12.1988
Рандошкин В. В
МПК / Метки
МПК: G02F 1/09
Метки: магнитооптическая, структура
Опубликовано: 30.04.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1642869-magnitoopticheskaya-struktura.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитооптическая структура</a>
Магнитооптическая структура
Номер патента: 1642868
Опубликовано: 30.04.1995
Автор: Рандошкин
МПК: G02F 1/09
Метки: магнитооптическая, структура
1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью повышения магнитооптической добротности и достижения легкоплоскостной анизотропии, подложка выполнена из Gd3Sc2Ga3O12, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима и висмута, причем висмут содержится в количестве не менее 0,5 атомов в формульную единицу граната, а празеодим в количестве не менее 1 атома на формульную единицу граната.2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната дополнительно содержит галлий в количестве до 1,2 атомов на формульную...
Магнитооптическая структура и способы получения материала подложки и монокристаллической пленки феррит-граната
Номер патента: 1744690
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани
МПК: G02F 1/09
Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната
...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...
Способ декорирования полиолефиновых пленок для изучения их структуры
Номер патента: 952377
Опубликовано: 23.08.1982
Автор: Рогачев
МПК: B05D 7/04
Метки: декорирования, изучения, пленок, полиолефиновых, структуры
...исследования показали, что декорирование поверхности полимерной пленки без ее растяжения не позволяет достаточВлияние режима декорирования но точно выявить сточктуру поверхности. В этом. случае частицы металлической фазы расположеныпо поверхности довольно равномерно. При низких температурах (Т=100 К) структурные неоднородности также не сказываются на поверхностном распределении частиц металлической фазы. Только вакуумное нанесение частиц свинца на поверхность механически напряженных пленок при 300 К иэ-за имеющей место при этих условиях селективности осаждения позволяет оценить характер и геометрические размеры кристаллических областей. При этом механические напряжения 3-5 МН/м дают воэможность достаточно четко...
Способ контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
Номер патента: 1348906
Опубликовано: 30.10.1987
Авторы: Барьяхтар, Дорман, Ковалев, Манянин, Никонец
МПК: G11C 11/14
Метки: пленок, феррит-гранатовых, эпитаксиальных
...ее границы. По мере заполнения видимой области полосоными доменами сигнал на выходе ФЭУ уменьшается и формируется его задний фронт(фиг.2, линия 1),Общая длительность отклика складывается из длительности перемагничивающего импульса 7, и временирелаксации Т;,еф, которая обусловлена аксиально-симметричным движением вершин ПД от краев катушки,т,е, перемагниченной области, к середине.При наличии дефекта внутри катушки релаксация доменной структурыпосле снятия импульсного поля обусловливается совместно протекающимипроцессами движения ПД и зародьппеобразования на дефекте. Скорости движения обеих структур - полосовой, распространяющейся от краев катушки и радиально-гребешковой, распространяющейся от дефекта, - одинаковы,Если дефект...
Способ получения двухслойных структур на основе сплошных сверхтонких пленок
Номер патента: 717926
Опубликовано: 30.01.1986
Авторы: Быковский, Дудоладов, Кобыляков, Козленков, Лощинин, Миронос, Шаповалов
МПК: C23C 14/28
Метки: двухслойных, основе, пленок, сверхтонких, сплошных, структур
...с и в существенно неравновесных условиях. Пересыщения, развивающиеся при этом, настолько велики, что эффективные размеры устойчивого зародыша должны быть меньше атомных размеров, т.е. рост пленки происходит сразу сплошным слоем. Подавление процессов миграции во время сверхбыстрого осаждения тонких слоев является причиной образования сплошных сверхтонких пленок при испарении вещества импульсным ОКГ. Режим работы импульсного ОКГ при этом не имеет решающего значения, Дальнейшее поведение осажденной пленки зависит от ее толщины с;, температуры подложки 1 з, в еличины пер е грев а ь 1 пленки в момент осаждения, адгезии пленки к подложке, степени соответствия параметморфологическая релаксация первоначально сплошной пленки в дискретную. Время...
Предыдущий патент: Устройство для двусторонней обработки криволинейных поверхностей лопаток газотурбинных двигателей
Следующий патент: Способ получения активного гидроксида алюминия
Случайный патент: Промывочная машина