Патенты с меткой «топографирования»

Номер патента: 397865

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01R 33/12

Метки: коэрцитивности, топографирования

...цилиндрического домена Лд.На фиг, 1 изображены цилиндрические домены вблизи 180 доменной стенвеи (а - вид сбоку, б - вид в плане);,на фиг. 2 - диаметры доменов при поступательном (а) и возвратном (б) движении 180 стеньки.Сущность способа заключается в следующем.В монокреесталлической,пластилине, подвергаемой исследованию, перед плоской 180 стенкой, образованной градиентным полем, с помощью магнитного щупа инициируются цилиндрические домены. При перемещении) Фиг, 2 С оста в ител ь И. Арда шеваТехред А. Камышникоеа Корректор Т. Добровольская Редактор Е. Сотник Заказ 224/10 Изд.90 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр,...

Номер патента: 983600

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Аболтиньш, Дзилюмс, Нетунаева, Ярополова

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля, топографирования

...токи оказывают реакцию на магнитное поле иизменяют добротность контура, в который подключен виток. Таким образом,25величина добротности, показываемаяизмерителем добротности 2, зависитот концентрации свободных носителейзарядов в полупроводнике. Затем вихревые токи усиЛивают лучом света,падающим на полупроводник. от сканирующего .источника 4 света.Устройство работает следующим образом.При освещенииполупроводника 3 врезультате внутреннего Фотоэффектавозникают избыточные свободные носители заряда. Увеличение концентрациисвободных носителей зарядов усиливает вихревые токи, что, как было описано выше, изменяет добротность катушки. Усиление вихревых токов осуществляют в локальных областях. Лучсвета сканирует поверхность полупроводника 3. Там,...

Номер патента: 1573440

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Белый, Еременко, Харченко

МПК: G02F 1/09

Метки: антиферромагнитных, доменов, кристаллах, топографирования

...магнитного поля вдоль направ 25 ления распространения света, а кристаллографцческой оси Е параллельно направлениям поля и света. Изменение направления ЛФМ вектора на противоположное при фиксированных величине и направлении внешнего магнитного поля приводит к изменению знака линейного двупреломленця линейно полярцзованного света, Это обстоятельство дает возможность различать состояние АФМ кристалла с противоположно ориентированными АФМ векторами.В отсутствие магнитного поля оптическая индцкатриса кристалла представляет собой элЛипсоид вращения, ось 4" которого совпадает с осью симметрии высокого порядка. Сечение индикатрисы плоскостью, перпендикулярной оси высокого порядка, в данном случае С 1, является окружностью, радиус которой...

Номер патента: 1813217

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11B 11/14

Метки: визуализации, магнитного, поля, пространственно-неоднородного, топографирования

...перемещение пленки 4 относительно оптической оси,При сканировании узким пучком излучение от источника света 1 по поверхности доменосодержащей пленки и регистрации сигнала с фотодетектора 9 места закрепления доменных стенок индентифицируются как минимумы на координатной зависимости амплитуды сигнала, по которым и топографируют пространственно-неоднородное магнитное поле, Амплитуда колебаний доменных стенок может быть на один - два порядка величины меньше ширины доменов,В качестве доменосодержащей пленки целесообразно использовать висмутсодержащие монокристаллические пленки феррит-гранатов (Вс-МПФГ) состава Вз-хВхЕе 5-убау 012, где й - один или несколько редкоземельных ионов, 0,5х2.0, 0у1,8, выращенных на подложках немагнитных...

Номер патента: 1824618

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитного, неоднородного, поля, топографирования

...доменная венно неодноро создает магнитост крепляющие доменбретения, обеспечиваюоложительного эффекта внии, заключается в слеОм состоянии В Отсутструемого и внешних пленке существует лаби- Структура, ПространСтдное магнитное поле этические ловушки, эаные стенки. При прило1824618 Составитель М, ЛогуновТехред М.Моргентал Корректор В. Петрэш Редактор Заказ 2225 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Рэушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул Гэглпнцд 101 жении переменного или импульсного внешнего магнитного поля перпендикулярно плоскости пленки с амплитудой, меньшей ее поля насыщения, приводит к тому, что амплитуда смещения...

Номер патента: 1824619

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: визуализации, магнитных, полей, топографирования

...плоскости пленки с частотой более 4 ч/Р также приводит к изменению ширины доменов, однако период доменов не успевает измениться, Приложение низкочастотного магнитного поля приводит к одновременному изменению и ширины, и периода лабиринтных доменов. Одновременное приложение постоянного и переменного магнитных полей перпендикулярно плоскости доменосодержащей пленки, в сумме не превышающих поля насыщения доменосодержащей пленки, приводит к небольшому изменению ширины невыгодно намагниченных доменов вокруг среднего значения, определяемого суммарным полем, но к значительному изменению ширины выгодно намагниченных доменов и, как следствие, периода доменной структуры,Если топографируемое магнитное поле однородно, то приложение...