Тимошечкин

Номер патента: 1805812

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Еськов, Рандошкин, Тимошечкин

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

...частности, лазерное вещество можетдополнительно содержать церий и иметьсостав, соответствующий формулеСахМЬмСенМЬибац 012-р, где 0,01 м0,18;0,001 н 0,04.В таблице приведены примеры различного состава лазерного вещества.Недостатком лазерного вещества на основе кальций-германий-галлиевого граната является сегрегация расплава впроцессе выращивания кристаллов по методу Чохральского, Введение в состав вещества ниобия вместо германия позволяетповысить параметр кристаллической решетки граната и за счет этого его изоморфнуюемкость. Область конгруентного плавлениякристаллов имеет место; если содержание кальция и ниобия связаны соотношением и - (х/3) (1,5 + 0,3 г), где 0,60г0,65, суммарное содержание катионов 7,90х+ + у+ и+ ц8,00, содержание...

Номер патента: 1744690

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната

...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...

Номер патента: 1318807

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Кукушкина, Рандошкин, Тимошечкин

МПК: G01K 7/38

Метки: температуры

...домены с обратной намагниченностью проявляются через 1 О 0,02-0,05 мкм, что определяет минимальную длительность импульса магнитного поля, Для обеспечения точностирегистрации положения изотерм не хуже+ 1 мкм длительность импульса поля 15 не должна превьппать 0,5-1 мкс. Дляобеспечения максимальной магнитоопти- .ческой эффективности при регистрациидоменов с обратной намагниченностьютермочувствительный пленочный элемент 20 следует выполнить из В 1-содержащейэпитаксиальный пленки феррит-гранатасостава: (У,1,ц,В 1)(Ре,Са) 0,.Использование в качестве термочувствительного элемента низкокоэрцитив" 25 ной висмутсодержащей пленки ферритграната позволяет повысить отНошениесигнал - шум, при регистрации перемагниченных областей вследствие высокой...

Номер патента: 1130899

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Тимошечкин

МПК: G11C 11/14

Метки: выявления, дефектов, доменах, интегральных, магнитных, схемах, цилиндрических

...их регистрацию осуществляют вотраженном свете. В частности, можно для облегчения регистрации наповерхность доменосодержащей пленки перед нанесением управляющих структур напылить отражающий слой и наблюдать домены со стороны нерабочей поверхности пленки . Если для перемагничивания доменосодержащей пленки используют импульсы магнитного поля с длительностью фронта менее 0,05 мкс, то на процессперемагничивания сказываются динамические эффекты. При этом минималь3 1130 ная амплитуда импульсного поля, при которой на данном центре зародышеобразования появляется домен с обратной намагниченностью, зависит от длительности фронта импульса. При5 длительности фронта импульса более 0,5 мкс на процесс перемагничивания сказывается...