Способ измерения эффективного магнитного поля одноосной анизотропии в магнитной пленке

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) ( 65847 А 1 51)5 С 11 С 11/14 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Изобр числитель зовано дл предназн устройств ции.,етение о ой техня аттест ченных обработ тносится к области выики и может быть испольации магнитных пленок, для магнитооптических ки и хранения информаяется снижение расширение обпутем измереитных полей агнитных пленизотропией, нку намагничиндикулярно ее смещения Нсм, пленку протимпульсным магОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Рандошкин В.В. Применение импульсного перемагничивания монокристаллических пленок феррит-гранатов для контроляих свойств. Препринт ИОФАН М 23, М.,1989, с,13,Иванов Л,П., Логгинов А.С., Непокойчицкий Г.А Никитин Н,И. Влияние магнитной анизотропии на процессы импульсногоперемагничивания пленок феррит-гранатов. ФТТ, 1983, т,25, вып.3, с,839 - 849.(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ ОДНООСНОЙАНИЗОТРОПИИ В МАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано дляаттестации магнитных пленок, предназначенных для использования в магнитооптических устройствах обработки и хранения Целью изобретения явл потребляемой мощности и ласти применения способа ния эффективных магн одноосной анизотропии в м ках со слабой одноосной анДля этого магнитную пле вают до насыщения перпе плоскости магнитным полем воздействуют на магнитную воположно направленным и информации. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и расширение области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных пленках со слабой одноосной анизотропией, Способ основан на намагничивании магнитной пленки до насыщения перпендикулярно ее плоскости магнитным полем смещения Н воздействии на магнитную плвнку противоположнО направленным импульсным магнитным полем Ни и регистрации доменов с обратной намагниченностью, причем регистрируют плотность доменов Р с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Ни, изменяют напряженность внешнего магнитного поля Н = Н, - Нс и определяют зависимость Р от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке,1 ил,нитным полем Ни, регистрируют плотность, Ч Р доменов с обратной намагниченностью, 0 зарождающихся во время действия импуль- (Я сного магнитного поля Ни, изменяют напря- ф женность внешнего магнитного поля Н = Ни ф - Нсм и определяют зависимость Р " от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле однооснои анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависи- ф мости до пересечения с осью абсцисс,Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость Р от Н, а также зависимость х от Н, по которой определяют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе, Здесь х - время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции кри1765847 но, что экстраполяция обеих кривых даетзначение эффективного магнитного поляодноосной анизотропии равное 108 Э,у оГн, РЗаказ 3387 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 вой Р (Н) и участка кривой г (Н) с наиболь-1шей крутизной точка пересечения с осью абсцисс одна и та же. Для построения кривой Р (Н) требуются меньшие внешние поля, чем для построения кривой х (Н).Способ реализован при исследовании монокристаллических пленок феррит-граната состава (В 1, Но)з(Ре, Са)ь 012 со слабой одноосной анизотропией, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из гадолиний-галлиевого граната, на установке высокоскоростной фотографии, Магнитную пленку помещали на столик поляризационного микроскопа, Перпендикулярно плоскости пленки прикладывали поле смещения Н = 600 Э, намагничивающее пленку до насыщения. В противоположном направлении прикладывали импульсное магнитное поле с амплитудой Н, изменяющейся в диапазоне от 100 до 850 Э, Изменяя задержку импульса подсветки в установке высокоскоростной фотографии относительно начала импульса магнитного поля, регистрировали число доменов с обратной намагниченностью в поле зрения микроскопа, зарождающихся в процессе действия импульса магнитного поля. Кроме того, регистрировали время перемагничивания г магнитной пленки. Строили зависимости Р (Н) и х (Н), показанные на чертеже. Вид 5 Формула изобретенияСпособ измерения эффективного магнитного поля одноосной анизотропии в магнитной пленке, основанный на намагничивании магнитной пленки до насыщения 10 перпендикулярно ее плоскости магнитнымполем смещения Нсм, воздействии на магнитную пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем Н и регистрации доменов с обратной намагни ченностью, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью снижения потребляемой мощности и расширения области применения способа путем измерения эффективных магнитных полей одноосной анизотропии в магнитных 20 пленках со слабой одноосной анизотропией, регистрируют плотность Р доменов с обратной намагниченностью, зарождающихся во время действия импульсного магнитного поля Н изменяют напряженность 25 внешнего магнитного поля Н = Ни - Нсм иопределяют зависимость Р от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле одноосной анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависимости 30 до пересечения с осью абсцисс,