Шувайников

Номер патента: 855792

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Костиков, Суздальцев, Шувайников

МПК: H01L 21/312

Метки: изображений, формирования, фотолитографии

...область при и-кратном совмещении и экспонировании наблюдаетсятолько один разДефект на темномполе проэкспонирован также один раз, 20что приводит,к разрыву 1/(п) связей, однако оставшаяся неразрушеннаяпленка фоторезиста служит надежнойзащитой при травлении. Число полимеризованных связей в этом случае равно и/(и). С повышением количествасовмещений и экспонирований увеличивается защитная способность оставшейся пленки фоторезиста. Посколькуучасток Фоторезиста под дефектом насветлом поле экспонируется (и) Разто для удаления разрушенного слояфоторезиста время травления выбирают как для (и)-кратного экспонирования.На фиг.1-9 показаны основные этапы осуществления данного способа напримере четырехкратного совмещения иэкспонирования,Элемент 1...