H01L 21/312 — из органических веществ, например слоев фоторезиста

Номер патента: 1827692

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Клепиков, Комаров

МПК: H01L 21/312

Метки: жидкостной, плоских

...между средством 4 подъема изделия и днищем ванны 1. Устройство снабжено сборником 13 обрабатывающей жидкости со сливным патрубком 14, который одновременно служит корпусом, ограничивающим рабо ций объем.Устройство работает следующим образом.Подложку 2 помещают на выступах 3 вванне 1, В этот момент средство 4 находится в крайнем нижнем положении, подложка 2 перекрывает сливные отверстия 9, 10 в ванне 1, Иэ форсунки 17 подают заданное количество обрабатывающей жидкости до заполнения ванны 1 таким образом, чтобы покрыть подложку 2 полностью. Осуществляют процесс обработки. При этом ванну 1 средством 4 подьема подложки 2 вначалесунки 15 подают деиониэованную, воду на обе стороны подложки 2, По окончании процесса отмывки прекращается...

Номер патента: 1308111

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...и диапазоне 0,41-0,54 нм (Ац .дМО л Г),),или ультрафиолетом сдлиной волны 180-470 нм через фотошаблон, или. на Оптикомеханическом генераторе иэображений с поглощаемой дозой; достаточной для фотохимической диффузии сеРабРз в слой АвхЯе -х Обычно ДО 1 Дж/см,После этого удаляют слой серебра с неэкспонировзнных участков путем Обработки структуры в растворителе сере)ра, удобнее всего в 20-3)%-ном растворе НКО; Проявление экспонированных участков до полного удапения неэкспонированных участков слоя АэхЯеьх проводят путем Формула иэобоетенил СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ЭОТОШАБЛОНА, вкпочающий последовательное нзнесанис на проэрзчнио подлож ку слоя полиимидз неорГаничаскОГО резиста на Основе халькОГениднОГО стаклоОб)ззного полупроводника,и слОЯ...

Номер патента: 1314881

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон, Чернышов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...130 С в течение 30 мин и экспонирование рисунка топологии на установке ЭМ, После проявления рисунка в 0,5(-ном растворе КОН и эадубливании его при температуре 140 С в течение 1 О мин проводят травление пленки 3 алюминия в травителе состава НЗРОп; НМОэ: СНэСООН : Н 20 = 140:6:30:5. Затем осуществляют реактивно-ионное травление слоя 2 сополимера поли глицидил мета крилата с этилэкрилатом в кислороде на установке УВПпри давлении 2,6 Па на установке вакуумного напыления УРМЗ,279,040 электронно-лучевым и термическим испарением, одновременно напыляют покрытие 5 (слой кермета на основе двуокиси кремния с содержанием никеля от 1 до 10 ат.1 ь). Затем полученную структуру обрабатывают в 10-ном растворе КОН до удаления слоев алюминия и...

Номер патента: 1632286

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Абрамов, Сергеев, Сергеева

МПК: B04B 5/00, H01L 21/312

Метки: нанесения, пластины, фоторезиста

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНЫ, содержащее установленную на валу центрифуги оправку для размещения пластины с радиальными каналами для создания разрежения под пластиной, отличающееся тем, что, с целью улучщения эксплуатационных возможностей и упрощения конструкции, в оправке выполнено гнездо для размещения обрабатываемой пластины, а радиальные каналы выполнены в виде открытых пазов на рабочей поверхности оправки, причем донные поверхности гнезда и пазов расположены в одной плоскости, а на дне каждого из пазов выполнены продольные риски, проходящие через дно гнезда.

Номер патента: 1450671

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Белых, Тимашев, Федорец

МПК: H01L 21/312

Метки: фотолитографии

1. СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение на подложку слоя позитивного фоторезиста, его экспонирование через фотошаблон, обработку в органическом растворителе, проявление, нанесение слоя рабочего материала и удаление слоя фоторезиста с нанесенным материалом, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур за счет получения в слое фоторезиста профиля с отрицательным углом наклона, обработку слоя фоторезиста в растворителе проводят в процессе проявления путем добавления растворителя в проявитель в количестве 1 - 5 об. % , причем в качестве растворителя используют растворитель используемого фоторезиста.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют ацетон.3. Способ по п....

Номер патента: 1811328

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Ефимов, Зуева, Карелин, Корсаков, Николаева, Плавич, Саратовских, Титков

МПК: H01L 21/312

Метки: пленки, полианилина

...промывают, обрабатывают раствором аммиака (0,12 М), сушат в вакууме при 60-70 С. Полученный порошок полианилина-основания растворяют в концентрированной муравьиной кислоте (99,7 Я,). После удаления нерастворившейся части центрифугированием получают раствор полианилина концентрацией 30 г/л. Из этого раствора отливают пленки на подложки из стекла или кремния, закрепленные на вращающемся столике центрифуги (скорость.вращения 5-7 тыс, об/мин). Полученные пленки имеют неравномерную толщину и окраску, При разбавлении муравьиной кислотой с целью получения более тонких пленок качество их остается тем же. Толщина пленки 0,4-0,6 мкм, по данным сканирующей электронной микроскопии,П р и м е р 2. Операции выполняют по примеру 1, но с тем отличием,...

Номер патента: 895244

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кузнецов, Марков, Пресс

МПК: H01L 21/312

Метки: многослойной, полупроводниковой, структуры

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ, включающий получение защитных выступов на полупроводниковой подложке и последовательное формирование рисунков диэлектрических и проводящих слоев с помощью контактной фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и повышения технологичности процесса, получение защитных выступов проводят в процессе каждой фотолитографической операции формирования рисунков диэлектрических и проводящих слоев, причем выступы выполняют из материалов этих слоев.

Номер патента: 1653442

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Гунина, Дынник, Мандрыкина, Пимкина, Поярков

МПК: G03F 7/42, H01L 21/312

Метки: позитивного, состав, удаления, фоторезиста

СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА, содержащий метилпирролидон и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса удаления, он дополнительно содержит глицерин и алифатический амин при следующем соотношении компонентов, об.Метилпирролидон 17-82Глицерин 10-20Алифатический амин 2-25Вода Остальное

Номер патента: 1491269

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гунина, Дынник, Поярков

МПК: H01L 21/312

Метки: нанесением, поверхности, подготовки, подложки, фоторезиста

СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ФОТОРЕЗИСТА, включающий очистку подложки и обработку ее органическим гидрофобизирующим веществом, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных подложек за счет снижения дефектности наносимого слоя, в качестве гидрофобизирующего вещества используют 0,01 1%-ный (по массе) водный раствор катионоактивного ПАВ катамина АБ алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы[ Cn H2n+1N+ (CH3)2 CH2C6 H5]Cl-,где n 10 18.

Номер патента: 1805790

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Ефимов, Зуева, Карелин, Корсаков, Николаева, Плавич, Саратовских, Титков

МПК: H01L 21/312

Метки: основе, пленок, полианилина, формирования

...0,95 - 1, Эту величину можно регулировать, вводя неболь шое количество воды и изменяя тем самымфизико-механические свойства пленки, Композиционный материал характеризуется массовым соотношением компснентов поливинилформиат:полианилин=2,9 - 0,34:1,При добавлении поливинилового спирта менее чем 0,2 ч, на 1 ч, полианилина трудно добиться однородности пленки и наблюдается образование комет. Верхний предел введения поливинилового спирта 30 определяется его растворимостью в муравьиной кислоте (50 г/л). Образующийся поливинилформиат обладает хорошими пластифицирующими и стабилизирующими свойствами и улучшает однородность дис персии полианилина в своей матрице.В качестве материала подложки можноиспользовать стекло и кремний с хорошо...

Номер патента: 1517663

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Бунин, Малахов, Сутырин, Федорова, Хриткин

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: структур, субмикронных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.

Номер патента: 1577555

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Николенков, Сутырин, Хриткин

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26, H01L 21/312 ...

Метки: хромовых, шаблонов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХРОМОВЫХ ШАБЛОНОВ, включающий создание на поверхности заготовки шаблона защитной маски и реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств шаблонов, реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома проводят на 80 - 90% ее толщины, затем проводят ионно-лучевое травление в атмосфере инертного газа в течение времени t, удовлетворяющего соотношению t=(0,1-0,2) мин, где - время реактивного ионного травления пленки хрома на всю толщину, после чего осуществляют...

Номер патента: 1565302

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бунин, Иноземцев, Кораблин, Малахов, Самохин, Серова

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: подложке, полупроводниковой, рельефа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий последовательное нанесение на подложку слоев электронорезисторов с термообработкой каждого слоя, формирование многослойной маски путем экспонирования и проявления системы слоев и перенос рисунка маски в подложку путем химического травления подложки в окнах маски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности получения точности элементов рельефа, нанесение на подложку первого слоя электронорезиста осуществляют из раствора сополимеров полиметилметакрилата и метакриловой кислоты в смеси бутилацетата, толуола и этилцеллозольва, причем данный слой наносят толщиной 0,01 - 0,1 мкм, а его термообработку проводят при 210 - 220oС.

Номер патента: 1567030

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Богушевич, Николенков, Самохин, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/312

Метки: арсенида, галлия, литографии, метка, подложке, совмещения, электронной

МЕТКА СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ, выполненная в виде углубления в подложке, имеющего плоское дно, и выступов, расположенных на дне углубления, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, поперечное сечение выступов имеет треугольную форму.

Номер патента: 1807811

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Бродко, Возный

МПК: H01L 21/312

Метки: м-слойной, покрытий, структуры, тонкопленочных

...структуры и распространение в ней излучения в ходе технологического процесса,а также характеризующие этот прсцесс физические параметры: ф - угол падения излучения на структуру; ф О = 1, , М) - углыпреломлени излучения в слоях структуры;по - показатель преломления окружающейсреды; п, О - 1М) - показатели преломления слоев структуры; б) О " 1 М) -толщины слоев структуры,На фиг. 2 а показана зависимость отражения от трехслойной структуры ф П 051 МК(Поликремний) 302/5 в воздух в зависимости от толщины слоя фоторезиста, По осиординат отложен коэффициент отраженияизлучения В (отн.ед,), оси абсцисс - толщинаслоя фоторезиста б(нм), На фиг. 2 б показана зависимость отражения в фоторезист отструктуры Поликремний (302)5 в воздух...

Номер патента: 1217196

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Глуздакова, Домахина, Иванцова, Чесноков

МПК: H01L 21/312

Метки: рентгеношаблона

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕНТГЕНОШАБЛОНА, включающий формирование на подложке слоя прозрачного для рентгеновского излучения и получение на нем маскирующего рисунка из материала, поглощающего рентгеновское излучение, формирование мембраны и опорного кольца по периферии подложки путем избирательного травления подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных рентгеношаблонов путем предотвращения разрушения мембраны, перед избирательным травлением подложки на слой мембраны с маскирующим рисунком наносят упрочняющий слой, а после травления упрочняющий слой удаляют.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала упрочняющего слоя используют медь.

Номер патента: 1834588

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Берестенко, Боков, Буравцев, Можаров, Мшенская, Сатаров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, микросхем, рельефа, формирования

...ф 10 кл/смприводит к тому, что резист не сшивается,а края рисунка расплываются, что существенно повышает дефектность.Экспонирование дозой более 5 ф 102кл/см может привести к полимеризациипленки резиста, которая является маской дляплазмополимеризованного слоя, что такжеповышает дефектность.Реактивно-ионное травление плазмополимеризованного стирола проводят при давлении не более 10 Па и удельной мощности2,5 - 3 Вт/см,Травление плазмополимеризованного стирола при давлении более 10 Па ведет кувеличению остаточных частиц в объеме и,к уменьшению длины их свободного пробега,а значит эти частицы имеют возможностьчаще сталкиваться с рабочей поверхностьюподложки и могут быть захвачены, ею, чтоповышает привносимую дефектность,Травление при...

Номер патента: 1075867

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/312

Метки: большой, интегральной, оригинала, рисунка, схемы, топологического

Способ изготовления оригинала топологического рисунка большой интегральной схемы, включающий нанесение на прозрачную подложку маскирующей пленки и получение рельефа в маскирующей пленке, содержащего элементы топологического рисунка и реперные знаки, методом фотолитографии с использованием генератора изображения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности взаимного расположения элементов топологического рисунка, при получении рельефа в маскирующей пленке формируют часть топологического рисунка и реперные знаки, после чего на подложку наносят дополнительную маскирующую пленку, прозрачную для видимого света, а затем методом контактной или проекционной фотолитографии в дополнительной маскирующей пленке формируют оставшуюся часть...

Номер патента: 1331369

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Земсков, Игуменов, Чесноков

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: локального, нанесения, подложку, покрытия

1. Способ локального нанесения покрытия на подложку, включающий осаждение покрытия из парогазовой фазы металлоорганического соединения под действием лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии покрытия и производительности процесса, осаждение покрытия осуществляют при общем давлении, равном атмосферному, а облучение осуществляют последовательностью импульсов излучения наносекундного диапазона длительностей и мощностью в импульсе 107 109 Вт/см2, причем в процессе облучения проводят периодическое отклонение луча с частотой, меньшей частоты следования импульсов или некратной ей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве металлоорганических соединений используют летучие...

Номер патента: 1835966

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дикаев, Миргородская

МПК: H01L 21/312

Метки: дифракционной, монокристалла, поверхности, решетки

Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности монокристалла, включающий формирование на поверхности монокристалла фоторезистивной решетчатой маски с равной шириной полосы и промежутка голографическим методом, анизотропное вытравливание через маску канавок трапециевидного или треугольного профиля и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью получения дифракционной решетки с удвоенной пространственной частотой, перед удалением фотомаски на структуру напыляют металлическую маскирующую пленку толщиной не более полуширины полосы фоторезистивной решетчатой маски, после удаления маски проводят повторное анизотропное вытравливание канавок аналогичного профиля в открытых от...

Номер патента: 1593516

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бабин, Свинцов

МПК: H01L 21/312

Метки: близости, литографии, функции, электронной

Способ определения функции близости в электронной литографии, включающий экспонирование в слое резиста структуры в виде линий различной ширины с изменяющейся вдоль линии дозой экспонирования, проявление резиста, определение критических доз экспонирования по минимальным дозам, при которых резист проявляется до подложки, и расчет функции близости, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, ширину линий при экспонировании выбирают от 0,06 мкм до величины, равной не менее двух длин пробега электронов в резисте, а при определении критических доз экспонирования за минимальную дозу выбирают такую дозу, при которой проявляются центры линий.

Номер патента: 1753893

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Буляк, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/312

Метки: алюминия, диэлектрика, межслойного, микрорельефе, микрорисунка, слое, создания, сплавов

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...

Номер патента: 1598707

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Кисель, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, схем, элементов

Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов интегральных схем за счет снижения их дефектности, перед формированием фоторезистивной маски на поверхность функционального слоя наносят слой тантала, перед сухим травлением функционального слоя осуществляют сухое травление слоя тантала, а перед осаждением слоя...