Устройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах

,129245 А 1 УДОСТОЕННЫЙ КОМИТЕТДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И ОтН К 31 26 ОПИСАНИЕ ИЗОн двтотоддмт оппвтиво Н(46) 07.05,88. Бюл. У 17 (21) 3861895/24-21 . (Ж), залитая в сосуд 4, вызывает (22) 27.02.85затвердение его стенок. При этом (72) В,И.Кабанов и Е.С.Васильевапроисходит обзатие электродов П 7 и, (53) 621.382. 3(088,8).тем семам, самогерметизация всего (56) Аронов В.Л Федотов Я.А. Испы" сосуда 4 После окончания бурного . тание и исследование полупроводнико" испарения Ж сосуд 4 закрывают крыйвых приборов. Иав Высиая акола, 1975кой 5 и проводят ксаютания П 7. По с. 233-234. . окончании испытаний Ж испаряется иэ (54) УСТРОЙСТВО ДПЯ ИСПЫТАНИЯ ПОПУ" иэмерительидй камеры 2Выполнение . ПРОИОДНИКОВЦХ ПРИБОРОВ ПРИ КРИОИН- . измерительной кайеры 2 из эластичНЦХ ТЕМПЕРАТУРАХ . кого материала с толщиной стенок, (57) Изобретение относится к конт- :. МЭ й 56 ( где 0 - толщина стенок рольио измерительной технике, Цель . измерительной камеры, д - диаметр изобретения - стабилизация темпера- электродов П ф, позволяет стабнлнзитурного реаииа испытуемого новупро- ровать температурный режим П 7 на воднйкового прибора (П). Электроды уровне теипературы кипящей Ж. Отсутисавтуемого П 7 через отверстия 6 . ствие удлиненных соединительных про- Есооуда О равмадаотсп в павах нон" , воднннов устраняет условна вовннхно- Щ .тдктиой колодки на панели измеритель- вения автогекерацин в измерительной ,иой установки 1. Криогениая кядкость системе.ил,мм129245Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и направлено на испытание полупроводниковыхприборов при криогенных температурах. 5Белью изобретения является стабилизация температурного режима испытуемого полупроводникового прибора,На чертеже представлеНо схематическое изображение устройства для1 Оиспытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах,Устройство содержит измерительнуюустановку 1 и измерительную камеру2, закрепленную на столике 3. Измерительная камера 2 состоит из сосуда 4 для криогенной жидкости и крышки 5, причем в дне сосуда.4 имеютсяотверстия 6 под электроды испытуемого полупроводникового прибора 7,Устройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенныхтемпературах работает следующим образом,25В отверстия 0 эластичного дна сосуда 4 вставляются электроды испытуемого полупроводникового прибора 7так, чтобы сам прибор находилсявнутри сосуда 4, а его электроды обжнмались эластичном дном сосуда 4,Измерительную камеру 2 устанавливаютв отверстие столика 3. При этом борта сосуда 4 в форме фланца, упираясьв верхнюю поверхность столика 3,.фиксируют измерительную камеру 2 ввертикальном положении, а столик располагаот на такой высоте, чтобы концы электродов испытуемого полупроводникового прибора вошли в пазыконтактной колодки на панели измерительной установки 1. Затем в сосуд4 эаливаот криогенную жидкость, например жидкий азот, При этом эластичное дно и стенки. сосуда 4 при охлаж"денни начинаот затвердевать. Проис- ф 5ходит обжатие электродов испытуемого полупроводникового прибора и темсамим самогерметизации всего сосуда4. При достаточном охлаждении сосуда бурноеиспарение криогенной жидкости прекращается. Заполненный сосуд 4 накрывают крышкой 5 и проводятиспытания полупроводникового прибора при помощи измерительной установ 7 2кн 1. После окончания испытаний криогенная жидкость испаряется из измерительной камеры 2Сосуд 4, нагреваясь, приобретает прежнее свойство эластичности, и испытуемый полупроводниковый прибор свободно вынимается из измерительной камеры 2.Сосуд 4 изготавливается из эластичного материала, например резины с толщиной стенок 3-/5 мм. При толщине стенок менее 3 мм ухудшается качество обжатия электродов испытуемого прибора, а толщина более 5 мм приво" дит к затрате большего количества криогенной жидкости на охлаждение сосуда,Используя измерительную камеру из эластичного материала, самогерметизируемого при охлаждении, удалось стабилизировать температурный ре-:жим испытуемого полупроводникового прибора на уровне температуры кипящей криогенной жидкости. Отсутствие удлиненных соединительных проводников между испытуемым прибором и измерительной установкой устраняет . условия возникновения автогенерации в измерительной системеФормула изобретенияУстройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах, содержащее измерительную камеру, одна стенка которой расположена параллельно панели измерительной установки о т л н ч а ю - щ е е с я тем, что с целью стаби . лизации температурного режима, измерительная камера выполнена из эластичного материала, а в ее стенке, расположенной 1 параллельно панели измерительной установки, выполнены отверстия под электроды исаютуемого полупроводникового прибора, при этом толщина стенок измерительной камеры выбирается из следующих условий:За д Р56,где Р - толщина стенки измерительнойкамеры;Ь - диаметр электрода испытуемого полупроводникового прибора.ое ак 4/5 зводственио-полигра 4 ическое предприятиег. Ухгород Нроектна 1ВНИИ ПИпо дел1130 35Тирах 772 сударствеииого коьаьтета СССР изобретений и открытий осква, й Раущская наб.