Способ определения тензоэлектрических характеристик структуры металл-полупроводник

/26 С 01 ИСАНИЕ ИЭОБРЕТ ЛЬСТ 2 21(21) (22) (46) (71) 4116879/10.09.8607.09.89 МЕТ АЛЛ - ПОЛУ ПР (57) Изобретени эовано при иссл ОДНИКможет б ь исполь ектричесме т алл - поователей на я - расши- жностей Бюл, Р 33 ное опытное проек о-технологическое овании элструктуропреобраззобретениных возмо Специ рукто СХНИЛ х характе исти тупро водник и тених основе. Цельение функционал конСО(5 способа за счет определения ряда дополнительных свойств полупроводникоРвого материала, напримервческих свойств параметровпримесных центров (ГПЦ), Для этого на исследуемую структуру одновременно с подачей напряжения смещения подают напряжение переменной частоты и воздействуют монохроматическим излучением. Определяют параметры глубоких примесных центров и зависимость величины тока от параметров ГПЦ, времени и величины освещения при одновременном воздействии статических и динамических нагрузок и температур Способ реализован в устройстве. 1 ил дютоэлектри- глубоких ЕНЗОЭЛЕКТРУКТУРБ 1(54) СПОСО РИЧЕСКИХ ХА РЕ ДЕЛЕ НИ ТЕРИСТИК ктуру металленно воздейст 11 а исследуемую стполупроводник одновр кой и динами ратурой,моном, а также понапряжение ещения и напряжеие перемен ависимость т параентров,личины т етров ремен примесн еличины освеце СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИ 2) Е.В.Козеев и А.П.Бондарь3) 621.317 (088.8)(56) 111 аймеев С.С. Автоматический емкостной спектрометр для измерения параметровглубоких центров в полупроводнйках. - ПТЭ, 1985, Ф 1, с. 175-177.Козеев Е.В., Бондарь А.П, Особенности измерения параметров тензочувствительных элементов на основе барьеров Шоттки. - Межвузовский сборник: Полупроводниковые тенэорезисторы, НЭТИ, Новосибирск, 1985, с. 39- 46. Изобретение относится к измерительной технике, а именно к исследованиям структур металл - полупроводник и тензопреобразователей на их основе с целью определения их электрических характеристик (тенэоэлектрических, фотоэлектрических и т.п.) .Целью изобретения является расширение функциональных возможностей за счет определения ряда дополнительных свойств полупроводникового материала и структур иа его основе.(параметров ГПЦ, фотоэлектрических свойств). ют однооснои статич с кои на груз ками, темоматическим излучени ной частоты и определяют На чертеже представлена схема устйства для осуществления способа.3 15064Устройство для исследования тензоэлементов на основе структур металл полупроводник содержит генератор 1 синусоидальных сигналов, выход которого соединен с входом устройства 2 дпя создания динамических и статических нагрузок, выход которого подклю" чен к входу устройства 3 контроля величины, формы и фазы нагрузки, пер вый выход которого электрически соединен с первым входом коммутатора 4, а второй механически соединен с образцом 5, находящимся в камере 6 с нагревателем и датчиком 7 температу ры. Нагреватель соединен с блоком 8 питания, а датчик 7 температуры - с входом устройства 9 для измерения температуры, выход которого подключен к второму входу коммутатора 4. 20 Первый выход образца 5 электрически соединен с источником 10 питания, а второй выход - с входом нагрузочного сопротивления 11, выход которого соединен с входом усилителя 12. Выход усилителя. 12 подключен к входу детектора 13, выход которого соединен с третьим входом коммутатора 4, выход которого подключен к входу регистрирующего устройства 14 . Образец 5 30 оптически соединен с монохроматором 15, кроме того, к второму входу его подключено устройство 16 для определения параметров глубоких примесных центров, выход которого подключен к 35 четвертому входу коммутатора 4. Коммутатор 4 соединен с микро-ЭВМ 17.Сигнал синусоидальной формы с генератора 1 поступает на устройство 2 для создания динамических и статических нагрузок, представляющее собой генератор механических колебаний для создания синусоидальных линий на образце и специальный держатель для создания статических нагру зок. Величина, форма и фаза динамической и статической нагрузок контролируются с помощью устройства 3, Электрический сигнал, пропорциональный нагрузке, подается на первый вход коммутатора 4. На исследуемый образец 5 подается напряжение смещения с источника 10 питания. Изменение высоты потенциального барьера и состояния ГПБ, вызванное прикладываемой динамической и статической нагрузками, температурой и освещением от монохроматора 15, приводит к 00изменению тока в цепи и, следовательно, к изменению падения напряжения на сопротивлении 11, и далее оно подается на вход селективного усилителя 12, с выхода последнего - на синхронный детектор 13. Опорное напряжение для синхронного детектора формируется генератором 1. После детектирования сигнал поступает на третий вход коммутатора 4. На второй и четвертый входы коммутатора 4 поступают сигналы с устройства 9 контроля темгературы в рабочей камере 6 и устройства 16 для определения параметров глубоких примесных центров соответственно . С выхода коммутатора 4 электрические сигналы, пропорциональные измеряемым величинам, поступаютна вход микро-ЭВМ 17. На дисплее микро-ЭВМ 17 и регистрирующем устройстве 14 строятся зависимости вольт-амперной характеристики и чувствительности по току и напряжению к механической нагрузке тензопреобразователя от одновременного воздействия освещения, ГПЦ, температуры, статической и динамической механических нагрузок, а также изменение названных зависимостей во вре" мени.Формула изобретенияСпособ определения тензоэлектрических характеристик структуры металл - полупроводник, включающий подачу на исследуемую структуру напряжения смешения при одновременном приложении одноосной статической и динамической нагрузки и нагреве, измерение изменений тока через исследуемую структуру и определение зависимости тока от напряжения смещения, статической и динамической нагрузок и температуры, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, одновре.менно с подачей напряжения смещения подают напряжение переменной частоты и воздействуют лгонохроматическим излучением, затем определяют параметры глубоких примесных цен Гров и зависимость величины тока от параметров глубоких примесных центров, времени и величины освещения при одновременном воздействии статической и динамической нагрузок и температуры.1506400 Составитель Н. Саришвилиактор О.Юрко 8 ецкая Техред М,Ходанич орректор И.Куск здательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 онэводстве Заказ 5432/48 Тираж 714 Подпис коеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5