Патенты с меткой «структура»

Номер патента: 1741190

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Булгаков, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: мощная, свч-транзисторная, структура

...с металлизированными площадками для присоединения выводов, расположенными на поверхности подложки. Для уменьшения емкости этих площадок они разделены на изолированные друг от друга участки выемками в форме канавок, глубина которых не меньше толщины металлизации.В этой конструкции емкость каждой контактной площадки образуется лишь теми изолированными площадками, которые непосредственно контактируют с проволочным проводником.Кроме того, паразитная емкость контактной площадки велика, что уменьшает мак1741190сравнению с тем случаем, когда такой зазор отсутствует из-за заполнения объема канавки "ножкой" 12 проводника.Это уменьшение позволяет на -5 увеличить максимальную рабочую частоту и коэффициент усиления по мощности предлагаемой...

Номер патента: 1646481

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Соколов

МПК: H05H 9/00

Метки: сверхпроводящая, структура, ускоряющая

...1 ис автономными гелиевыми ваннами 3, отделенными друг отЪдруга зазорами между боковыми радиальными стенками 4 и размещена в вакуумном контейнере 5. 2 ил,На фиг.2 показан верхний секторданной ВЧ-структуры, состоящей из рабочей стенки 7 двух боковых ради" Б .альных плоскостей В с элементамиконцевых пролетных трубок 9 и узла- а ,ми 10 регулировки и фиксации величины радиальных зазоров при сборке, на" ружной обечайки 1 1 и торцевых кры век 12,Ка рабочем Е-типе колебаний вы- Оф сокочястотный ток течет лишь в осевом направлении и радиальные зазоры между секторами не вызывают дополнительных потерь ВЧ-мощности. Сверх- проводящая ВЧ-структура, состоящая иэ двух секторов, может быть использована для стабилизации плоскости по" ффффф...

Номер патента: 1744690

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната

...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...

Номер патента: 1746440

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 27/082

Метки: биполярная, интегральная, структура

...она эффективно собирает неосновные носители, инжектированные эмиттером горизонтального р - и - р-транзистора и увеличивает его коэффициент усиления,Возможен случай, когда вторая замкну-, тая область имеет глубину, равную глубине залегания базовых областей, Однако при этом необходимо учесть, что введенные первая замкнутая и эмиттерная области гори- зонтального транзистора имеют степень легирования больше, а глубину залегания меньше, что обеспечивает увеличение собирания носителей, инжектированных эмиттерной областью горизонтального р - и - р-транзистора за счет увеличения параметра (по кольцу) и площади собирающей части (носители собирает как первая замкнутая область. так и более глубоко залегающие участки баз вертикальных и - р -...

Номер патента: 1795565

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Бухарин, Завадцев, Рузин

МПК: H05H 7/00, H05H 9/00

Метки: структура, ускоряющая

...отверстиями в общих стенках с двумя ускоряющими резонаторами, между которыми расположено четное число ускоряющих резонаторов, а к четвертому плечу присоединена согласованная нагрузка, число ускоряющих резонаторов М нечет- но, соседние ускоряющие резонаторы связаны друг с другом отверстиями в общих стенках, крайние ускоряющие резонаторы связаны отверстиями в общих стенках с призматическим резонатором, ширина Ь и длина а которого связаны соотношением2 гп 2 2ь ) ( ,где т - натуральное число такое, что число - (К+2 пт-ф - нечетное.12На чертеже изображена предлагаемая ускоряющая структура.Ускоряющая структура содержит ускоряющие резонаторы 1, волноводный мост 2, согласованную нагрузку 3 и призматический резонатор 4,Ускоряющая структура...

Номер патента: 1807427

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Адамов, Ангелова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: металлизации, напряжений, структура, тестовая, электрических, электрооптического

...щуюгальванйческуюсвязьсметаллической рр.1083-1084.шиной, на котором измеряется напряжение, . (54) ТЕСТОВАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ЭЛЕКТРО- и йокрытую слоями диэлектрика и металла,3 ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ЗЛЕКТРИЧЕ-. образующими оптическое зеркало для ла- СКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА МЕТАЛЛИЗАЦИЙ зерноголуча, зондирующего указанйый эле- ВИС мент. контроля через подложку. В основе (57) Изобретение относится к электроопти- метода измерений лежит электрооптичеческим измерениям и предназначено для ский эффект, Измерение электрических сиг- ." проведения внутрисхемных .бесконтакт- валов осуществляется в рабочем режиме ных измерений электрических напряже- ИМСбесконтактнымспособомпутемэондиний в интегральных микросхемах(ИМС) на . рования лазерным лучом и анализа...

Номер патента: 1810932

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Игуменов, Крутоголов, Лункина, Плосконосов

МПК: H01L 31/0352

Метки: ик-излучения, приемника, структура

...Ферми, Е, - дно зоны проводимости, Еч - потолок валентной зоны.Структура содержит подложку 1 из уэкоэонного полупроводникового материала и -типа проводимости, на которую последовательно нанесены дополнительный слой 2 р -типа проводимости, слой 3 р-типа проводимости,Рассмотрим работу заявляемой структуры в фотоприемнике ИК-излучения, где излучение принимается со стороны подложки (хотя структура может работать и при освещении со стороны п-слоя).Воэможность работы структуры в фотоприемнике с засветкой со с 1 ороны подложки обеспечивается тем, что за счет сильного легирования материала подложки примесью п-типа регистрируемое излучение проникает через подложку 1, а за счет того, что толщина дополнительного слоя 0,1-1 мкм - через...

Номер патента: 1187656

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 29/41

Метки: полупроводниковая, структура

...разводка 5, материалол которой является алюл 1 инийПричем, при малых размерах окон к ЗОобластям полупроводниковых структур,например, для интегральных схем большой интеграции и СВЧ-транзисторныхструктур, толщину металла делают минимальной - 0,6-0,5 ллкм, с тем, цтобывоспроизвести малую ширину дорожектокопроводящей разводки,В конкретном примере толщина металлизированной разводки составляет0,65 мкм, Токопроводящая разводкаимеет контакты 6, вынесенные на пери"Ферийную часть подложки. Слой токопроводящей разводки покрыт пассиви"рующим диэлектрическим покрытием окиси алюминия 7 толщиной 0,1 мкм и сло" 45ем ФосФорно-силикатного стекла толщиной 0,9 мкм, в котором вскрь 1 ты окна9, 1(онтакты 6 металлизированной разводки 5 соединены церез...

Номер патента: 1272927

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Татьянин

МПК: H01L 29/73

Метки: планарная, структура, транзисторная

...заряда основных носителей ТЬка - электронов), расположенной в высакаомцой полупроводниковой 2 подлояскепленарной базовой аблас" тц 2 второго типа проводимости, эмгсттерцых областей 3 первого типа проводимости, йасснвирующего Обнасти с поверхности структуры, днэлектри" 25 ческога покрытия се толщиной с 1 ц с положительным знаком пастолцйага заряда коцтагстцьхх огсац 5 ц 6 соответственно к базовой и эмиттерцой Облас лм ц метахглпзцрОезаглньпс к ц 1 гм кантк" ЗО тов 7 и 8, 9 в , граница не расппгреннай эа пределами контактов базовой 7 и эмцттерцой 8 металлизацней, а 10 и, 1 - расширенные вне контактов и базовой облстц соответственно безовыс и эмиттерцые металлизированные контакты с постолццой длиной а12 и пснрцной /с 1 13 промежутка...

Номер патента: 1838472

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Бавенеш, Вернон, Дэвид, Фрэнсис

МПК: D02G 1/00

Метки: ароматического, волокнистая, волокно, извитое, полиамида, структура

...нелинейные волокна 10 имеют, в основном, отношение остаточнойдеформации и обратимой деформации более, чем 1,2;1, а предпочтительно 2:1 (при комнатных температурах), величину деформации изгиба менее 50 О, а предпочтитель но менее 30 ф(и при этом не имеют изгибовЧ-формы и/или фибриллярности.Волокна-заготовки могут быть подвергнуты процедуре по приданию извитости или нелинейной конфигурации с одновремен ной тепловой обработкой при температуре,превышающей 200 С с целью получения волокон со значительной остаточной деформацией, Предпочтительно, если термофиксация проводится в безводной атмосфере.Конкретными примерами ароматических полиамидов могут служить полипарабензамид и полипарафенилантерефталам ид. Другими пол н остью а ромати 30 ческими...

Номер патента: 910087

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Золотарев, Фетисов, Фукс, Хафизов

МПК: H01L 27/148

Метки: изображения, приемника, структура, электродная

ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА ПРИЕМНИКА ИЗОБРАЖЕНИЯ на пpибоpах с заpядовой связью с межстpочным пеpеносом, выполненная на основе нескольких пpоводящих слоев, изолиpованных дpуг от дpуга, содеpжащая электpоды накопления столбцов чувствительных элементов, pасположенные между ними электpоды пеpеноса pегистpов сдвига, пpисоединенные к тактовым шинам и pазделительные затвоpы, объединенные затвоpными шипами, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности упаковки, электpоды накопления выполнены общими для каждой паpы смежных столбцов из одного слоя и соединены между собой чеpез один, затвоpные шины и pазделительные затвоpы нечетных электpодов накопления и электpоды пеpеноса и тактовые шины одного такта выполнены из втоpого слоя, а четных и дpугого...

Номер патента: 1699313

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: полупроводниковая, структура

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА , содеpжащая высокоомную подложку пеpвого типа с активными областями пеpвого и втоpого типов пpоводимости и pасположенные в подложке пеpифеpийные высоколегиpованную область пеpвого типа и область втоpого типа пpоводимости, обpазующие между собой и с подложкой p-n-пеpеходы, повеpхностное диэлектpическое покpытие и токопpоводящую pазводку, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества стpуктуpы за счет повышения пpобивного напpяжения и уменьшения обpатного типа p-n-пеpехода между активными областями и подложкой, пеpифеpийные области pасположены на pасстоянии от активных областей, пpевышающем максимальную шиpину объемного заpяда p-n-пеpехода активных областей с подложкой, но не более диффузионной длины...

Номер патента: 1614738

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Вахрушин, Рябцев, Смирнов, Терентьев

МПК: H05H 9/00

Метки: линейного, структура, ускорителя, ускоряющая, электронов

1. УСКОРЯЮЩАЯ СТРУКТУРА ЛИНЕЙНОГО УСКОРИТЕЛЯ ЭЛЕКТРОНОВ, содержащая входной трансформатор типа волны и цепочку связанных резонаторов, оканчивающуюся согласованной резистивной нагрузкой, отличающееся тем, что, с целью повышения темпа ускорения за счет ослабления частотной и температурной зависимости прироста энергии ускоренных электронов, входной трансформатор типа волны установлен между ячейками цепочки и разделяет структуру на две части, причем первая по ходу пучка часть структуры выполнена с отрицательной дисперсией, а вторая - с положительной.2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что первая часть ускоряющей структуры выполнена из чередующихся участков резонансных структур с положительной и отрицательной дисперсией.

Номер патента: 1581150

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Аверина, Крымко, Кузнецов, Марков, Пресс

МПК: H01L 29/10

Метки: многослойная, структура, электродная

МНОГОСЛОЙНАЯ ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА, содержащая металлические шины, поликремниевые слои параллельных электродов с замыкающими шинами, чередующиеся с изолирующими диэлектрическими слоями, в которых выполнены контактные окна, предназначенные для создания омического контакта между металлическими шинами и поликремниевыми слоями и расположенные на участках, свободных от электродов нижележащего поликремниевого слоя, отличающаяся тем, что, с целью снижения вероятности короткого замыкания между электродами разных поликремниевых слоев, расстояние x между электродами нижележащего поликремниевого слоя и проекций на этот слой верхней границы ближайшего контактного окна к электродам...

Номер патента: 1766220

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Безрядина, Булгаков, Колесникова, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/73

Метки: мощная, свч, структура, транзисторная

МОЩНАЯ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, содержащая полупроводниковую подложку с коллекторными и базовыми областями, в пределах каждой из базовых областей размещены расположенные в ряд эмиттерные области, сформированные в виде непрерывных или имеющих посередине разрывы полосок, включающие области контактов с металлизацией, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности тепловыделения, области контактов с металлизацией каждой эмиттерной полости расположены на противоположных по длине полоски краях, а поверхностное сопротивление Rs полосок удовлетворяет условию

Номер патента: 1642868

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, структура

1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью повышения магнитооптической добротности и достижения легкоплоскостной анизотропии, подложка выполнена из Gd3Sc2Ga3O12, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима и висмута, причем висмут содержится в количестве не менее 0,5 атомов в формульную единицу граната, а празеодим в количестве не менее 1 атома на формульную единицу граната.2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната дополнительно содержит галлий в количестве до 1,2 атомов на формульную...

Номер патента: 1642869

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, структура

1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью достижения легкоплоскостной анизотропии и повышения угла фарадеевского вращения плоскости поляризации излучения, подложка выполнена из гадолиний-скандий-галлиевого граната, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима.2. Магнитооптическая структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната выполнена состава Pr3Fe5-xGaxO12, где x 1,2.3. Магнитооптическая структура по...

Номер патента: 1812917

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Дегтева, Корницкий, Кыласов

МПК: H05B 33/12

Метки: структура, тонкопленочная, электролюминесцентная

...уменьшению рассеяния электронов, к росту эффективности преобразования энергии электрического поля всветовую энергию и, как следствие, к росту 10яркости.Носители зарядов, поставляемые внутренним катодом, претерпевают ускорение вэлектрическом поле, прежде чем достигаютэнергий, необходимых для возбуждения 15центров свечения. Оценим толщины прослоек, выполняющих функции зон разгонаносителей.,Обозначим величину энергии возбуждения центров свечения через Р.Р=еЕ, где е 20- заряд электрона,- длина пробега электрона до того, как он без столкновений наберет энергию Р, Е - электрическое поле внрикатодной области. Обычно величина Ележит в пределах (1,5 - 2)106 В/см. Величина энергии возбуждения Р определяется типом центра. Есл в качестве...

Номер патента: 1093184

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Мирошников, Патюков, Чистяков, Шурчков, Щербинин

МПК: H01L 27/02

Метки: изоляцией, интегральной, комбинированной, структура, схемы, элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой в виде p n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.

Номер патента: 1639364

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борзенко, Вдовин, Касумов, Кислов, Кононенко, Кудряшов, Матвеев

МПК: H01L 39/24

Метки: планарная, сверхпроводящая, структура

Сверхпроводящая планарная структура, содержащая две сверхпроводящие пленки, разделенные субмикронным зазором и расположенные на проводящей подложке, отличающаяся тем, что, с целью увеличения критической плотности тока при большой ширине зазора, подложка выполнена или из массивных кристаллов или из кристаллической пленки сплава висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат.%:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное

Номер патента: 1426352

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Горохов, Шалапаев

МПК: H01L 21/316

Метки: двуслойная, диэлектрическая, структура

1. Двуслойная диэлектрическая структура на германиевой подложке, состоящая из верхнего слоя нитрида кремния и промежуточного слоя, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела германий-диэлектрик за счет снижения плотности поверхностных состояний, промежуточный слой выполнен из оксинитрида германия.2. Способ получения двуслойной диэлектрической структуры на германиевой подложке, включающий окисление подложки германия при 820 - 870 К в течение 5 - 60 мин, осаждение слоя нитрида кремния, отличающийся тем, что после окисления подложки германия проводят отжиг структуры в аммиаке при 900 - 1000 К и атмосферном давлении в течение 10 - 50 мин.

Номер патента: 1840166

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Егоркин, Емельянов

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрик, диэлектрика, многокомпонентный, переходной, слой, структура, —полупроводник

Структура многокомпонентный полупроводник - переходной слой диэлектрика - диэлектрик, содержащая в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры, химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15å 3.

Номер патента: 1667567

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Гранько, Солонинко, Турцевич, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, оплавления, планаризующего, степени, структура

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию ai=(1+k)·a i-1, aмакс