Сверхпроводящая ускоряющая структура

Номер патента: 1748127

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Бородин, Красов, Чернов

МПК: G02B 27/44, G02B 27/48

Метки: лазерного, преобразования, пучка, структуры, фазового

...толщину напыленного слоя,Высоту щтриха решетки выбирают иэусловия подавления аберраций преобразуемого пучка и обеспечения максимальногодиапазона изменения формы огибающейраспределения интенсивности при измене нии пср,Выбор ширины штриха решетки осуществляют исходя из условия равенства диаметра облучаемой площади мишени икружка рассеяния, образованного при дифракции излучения-на размере шириныштриха решеткй. Для того, чтобы размерыкружка рассеяния от отдельных зон неодно родности были равны, период решетки выбирают вдвое большим ширины штриха,Дополнительная пластина 4 изготовлена из оптически прозрачного материала, например стекла или кварца, и с помощью манжеты 8 образует с подложкой 1 герметичную емкость. В исходном состоянии...

Номер патента: 705924

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/02

Метки: мощных, структур, транзисторных

...теле, например, и-типа проводимости, - подложке 1, создают маскирующее покрытие 2. затем через окно 3, вскрытое в этом покрытии, формируют диффузионную контактную область 4 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки,В процессе диффузии на поверхности окна выращивают или осаждают закрытое покрытие 5. Далее, фотогравировкой открывают окно 6. имеющее перекрытие 7 с окном 3. Через окно 6 последовательно с помощью диффузии формируют основную базовую область 8 и эмиттерную 9. Затем создают (возмокно - в процессе дифФузии) изолирующее покрытие 10, Далее вскрывают контактные окна 11 и 12 и проводят диффузию подлегирования с образованием области 13 в контактной области 4 с последующим созданием контактной...

Номер патента: 766423

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бреус, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, транзисторных

...источник диффузионного легирования, Поверхностное сопротивлениедиффузионного слоя составляет 50-70 -,ОмВо время второй стадии диффузии при1150 С в течение 120 мин ведения процессав комбинированной среде сухого и увлажненного кислорода диффузионную базовуюобласть 4 разгоняют до глубины 3 мк с поверхностным сопротивлением 150, ВОмпроцессе диффузии в окислительной средевырастает маскирующий слой 5,Толщина пленки должна быть достаточной для маскирования полупроводниковойподложки 1 от всех последующих воздействий имплантацией ионами бора или термической эмиттерной диффузии. Полученная 3величина 0,5 мк (и не менее) отвечает необходимым требованиям. Далее фотолитографией в маскирующем слое 5 вскрываютокно 6, через которое формируют...

Номер патента: 867224

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...в кислороде с аргоном на установке УВПосуществляют плазмохимическое осаждение маскирующего диэлектрического покрытия в двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм, Фотогравировкой вскрывают эмиттерное окно 7 и плазмохимическим способом в течение 5 мин во фреоновой плазме хладона 14 (тетрафторид СР 4) под давлением 44 Па, используя маскирующие свойства фоторезиста, вытравливают примесный слой 8 на глубину, большую глубины его залегания на 0,45 мкм. После снятия фотореэиста и отмывки пластин в перекисно-аммиачной смеси производят термическую разгонку базового примесного слоя 9 при температуре 1150 С вначале в сухом кислороде в течение б мин, а затем в нейтральной азотной среде до глубины 4 мкм. После стравливания тонкого слоя двуокиси кремния с...

Номер патента: 1145838

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Котов, Красножон, Медведков

МПК: H01L 21/265

Метки: вч-транзисторных, структур

...ионной имплантации ннеде 11 ие только взащитный диэлектрический слой надместом выхода р-и-переходз 1 д поверхность примеси, противоположной повоздействию на знак заряда в упомянутом окисле или знаку встроенного зарлда приводит к компенсации встроенного здрлда н окисле и устранениювозможности возникновения поверхностных каналов, что в случае транзисторной структуры уменьшает кривизну выходящего на поверхность слоя объемного зарядд, приолиждет характеристикипроводимости материала подложки вприпонерхностном слое к объемным иуменьшает токи утечки при увеличениипробивных напрлжений н основном коллекторного перехода за счет уменьшения плотности поверхностных токов инжекции и устранении причин термической неустойчивости и вторичного...