Патенты с меткой «структура»

Номер патента: 1216837

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Панасюк, Самошенков, Симановский

МПК: H05H 9/00

Метки: заряженных, резонансного, структура, ускорителя, ускоряющая, частиц

...рах - электрическое поле соответст;вующей величины, Частицы из инжектора б, попадающие в первый зазорв ускоряющей фазе эпектрическогополя, ускоряются в нем и попадаютв трубку 1 дрейфа. Выходящие из трубки дрейфа частицы попадают во второй ускоряющий зазор также в ускоряющей фазе электрического поля,ускоряются в нем и выходят через выходное окно 3,Таким образом, в предлагаемойструктуре осуществляется резонансное ускорение заряженных частиц, при.чем условия резонансного ускоренияоказываются выполненными для релятивистских частиц ( т.е. частиц,имеющих после прохождения первогоускоряющего зазора скорость, блиэ 6837 1кую к скорости света), что и соот ветствует цели данного изобретения.Эта особенность данной структуры обосновывается...

Номер патента: 1236500

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Гуляев, Спиченков, Стасюк, Чаплыга

МПК: G06F 17/16

Метки: вектор, вычисления, вычислительная, матрицы, однородная, параллельная, произведения, структура

...схема однородной параллельной вычислительной структуры для вычисления произведения матрицы на вектор при ш щ 3, ищ 4; на фиг. 2 схема блока сумма торов К-й строки 1-го столбца матрицы е и сформируем матрицу бипар тон нида и векторы бипарных элементов соотвственно(4) О реализуется выражение Ь + АЬ, когда1., = 1, = Ь 2 = О, то вычисляетсятолько произведение матрицы А навектор Ь (каждый двухвходовый сумматор 20 блока сумматороввыпо 2(нен на интегральной схеме и реализует операцию суммирования, когда наего управляющем входе единичный сигнал, и пропускает информац:(ю с первого входа на выход без иэменеыия,когда на его управляющем входе нулевой сигнал)После подачи исходнойинформации в схеме устройства протекает переходной процесс, по...

Номер патента: 1242703

Опубликовано: 07.07.1986

Автор: Гузюкин

МПК: F28D 15/04

Метки: капиллярная, структура, тепловой, трубы

...повышение теплопередающей способности тепловой трубы,На фиг. 1 представлена предлагаемая капиллярная структура, общий вид,на фиг. 2 - сечение А-А на фиг, 1,нг фиг. 3 - цилиндрическая тепловая 1 бтруба. с предлагаемой капиллярнойструктурой, поперечное сечение,ф нафиг, 4 - капиллярная структура с пластинами П-образной формы; на фиг. 5плоская тепловая труба поперечное 15сечение,Капиллярная структура состоит иэнабора секций, выполненных в видеперфорированных пластин 1 с навитымина них нитями 2, причем между секци ями установлены дополнительные перфорированные пластины 3 с образованием поперечных сквозных каналов.Нити 2 в секциях 1 могут быть выбраны разного диаметра, а торцы пластин 1 выполнены пилообразными. Тепловая труба с предлагаемой...

Номер патента: 1249531

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Лисник, Нагорный, Пухов, Стасюк

МПК: G06F 17/16

Метки: вычислительная, матриц, однородная, разложения, структура

...д) уровня двух типов 25 30 35 10 45 50 55 операций; а+10 и деления. Это позволяет строить вычислительную структуру из существующих интегральных схем ограниченной номенклатуры илив виде отдельной СБИС. Благодаря организации логической структуры вычислителя в виде однородных слоев,она является параллельной (комбинационной), вычислительный процессв ней начинается с момента подачи исходных данных на входные шины,результат вычислений снимается извыходных шин после окончания переходного процесса в схеме, который длится, например, 4 мкс, если каждая из идентичных ячеек 1 выполненана базе одного типа интегральныхсхем К 155 ИПЗ серии 155 при п=10и гп=16.Формула из обретения Однородная вычислительная структура для 1 Л-разложения матриц,...

Номер патента: 1095829

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Плотников, Сагитов, Селезнев

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающая, оптоэлектронная, структура

...структуры. Поставленная цель достигается тем, что в оптоэлектронную запоминающую с"руктуру, содержащую полупроводниковую подложку одного типа проводимости, на одной поверхности которой размещены приповерхностные области полупроводника другого типа проводимости, межцу которыми на поверхности подложки расположены слои диэлектрика совстроенным зарядом на приповерхностных областях полупроводника другого типа проводимости размещен слой циэлектрика, общий прозрачный электрод, введены резистивный слой и прозрачные электроды. каждый из которьгх размещен на слое диэлектрика смежных приповерхностных областей полупроВОДНИКа ДРУГГ)ГО тиПа ПРОВОПИМОСЧИт резистиви.лй слой размещен между прозрачными электроцами и общим прозрачным электродом, а...

Номер патента: 1251104

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Лисник, Нагорный, Полевой, Стасюк

МПК: G06F 15/324

Метки: вычислительная, однородная, структура

..., которое подается на вход ячейки1 первой строки четвертой матрицы,в которой образуется значение 1 последней строки матрицы Ь, котороепоступает на выход 54 . Управлениеработой однородйой вычислительнойструктуры осуществляется с помощьюсинхросигналов, поступающих на, всевычислительные ячейки.Однородная вычислительная структура имеет параллельную организа цию, благодаря чему время решения равно задержке сигнала между входом и выходом структуры, т,е, вычисление элементов матрицы Ь и соответст% венно представления А=ЬЬ происходит за время переходного процесса в схеме. Это позволяет использоватьоднородную вычислительную структуру в качестве спецпроцессора для организации вычислительного процесса в реальном масштабе времени.Формула...

Номер патента: 1257672

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Гузик, Диомидов, Евтеев, Каляев, Криворучко, Крюков, Румянцев, Яровой

МПК: G06J 1/02

Метки: вычислительная, интегрирующая, структура

...сравнения, блок памяти, блоки образования приращений, шесть блоков коммутации, дешифраторцатчики управляющих воздействий, датчики управляемых параметров и элементы ИДИ, причем группа входов распределенных временных импульсов блока расчетных параметров, группа входов распределенных временных импульсов блока постоянных параметров, группа входов распределенных временных импульсов блока программно-изменяемых параметров и группа входо 25 30 35 40 45 50 55 распределенных временных импульсовблока граничных параметров соединеныс группой выходов распределенныхвременньгх импульсов управления, выходы счетцых импульсов и сброса блока управления соединены соответственно со счетным входом и входом установки нуля счетчика текущеговремени, вход...

Номер патента: 884508

Опубликовано: 30.10.1986

Автор: Урицкий

МПК: H01L 29/76

Метки: мдп, структура, тестовая

...ввецению прослойки слаболегированного поликрис таллического кремния р-птипа, а кривая 3 - и-типа). Введение слоя слаболегированного полупроводника приводит к изменению вида вольтфарадныххарактеристик МДП-структуры и позво ляет из анализа таких видоизмененныхфольтфарадных характеристик определить полный заряд в диэлектрике и заряды вблизи границ раздела диэлектрика, Изображенные на чертеже вольтфа радные характеристики нормированы кемкости окисного слоя (диэлектрика) С,Полный заряд О, в диэлектрике Заряд в диэлектрике вблизи границы полупроводниковый кристалл-ди- электрик где Ч - потенциал плоских зон полуапроводникового кристалла. Заряд вблизи внешней границы диэлекгде Ч - потенциал плоских зон вве 45 денного...

Номер патента: 1327810

Опубликовано: 30.07.1987

Автор: Свен

МПК: H05B 33/26

Метки: структура, электролюминесцентная

...нм, Слой 6может быть выполнен в виде пленки изТ 10 у ) 1 ПО р БП 02) индий-ОлОВяннОГО 35окисла (1 пБп О ) или из углероднойпленки, На поверхности слоя реэистивного материала 6 расположены электроды 7 и 8 второго электродного слоя,состоящие из связующего материала и 40электропроводных частиц и имеющиетолщину 40-50 мкм,В структуре, предназначенной дляработы на постоянном токе, дополнительный слой 3 выполнен в виде пленки иэ Т 10 толщиной примерно 100 нм,а второй дополнительный слой 5 - изтитано-танталового окисла с толщинойпленки 200-500 нм,а рым электродная слоями в непосредственном контакте с последним, о т - 45 л и ч а ю щ а я с я тем, что, сцелью повышения технологичности ссохранением равномерности свеченияпри выполнении второго...

Номер патента: 1337493

Опубликовано: 15.09.1987

Автор: Вартанян

МПК: E04B 7/16

Метки: складчатая, структура, трансформируемая

...структуры, При трансформации из плоского состояния (развертки) круговые поясапринимают кривизну отсеков конической поверхности, причем знаки кривизны у двух прилежащих друг к другу конических отсеков (круговых поясов) противоположны, т. е. вся система представляет собой структуру согласованных по сторонам псевдоконических отсеков (круговых поясов), а в области гибких шарниров образуются круговые ребра складок.Трансформируемая складчатая структура работает следующим образом.Для использования конструкции в различных сооружениях в экстремальных условиях строительства (в космосе, на Севере,5 10 15 20 25 30 35 40 45 в пустынях, в водной среде и т, д.) в соответствии с условиями строительства могут быть разработаны различные...

Номер патента: 1341487

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Боронин, Былинович, Лучков, Макаренков

МПК: F28D 15/02, F28D 15/04

Метки: капиллярная, структура, тепловой, трубы

...на Фиг.4 - фрагмент капиллярной структуры с канавками переменной ширины по длине тепловой трубы; на фиг.5 - капиллярная структура, общий 15 вид.Капиллярная структура тепловой трубы 1 содержит лист 2 с канавками 3 и 4 на обеих сторонах, образующими открытые и закрытые каналы. Канавки 3 и 4 на каждой стороне листа 2 выполнены пересекающимися глубиной более половины толщины листа 2 с образованием между канавками 3 и 4 на одной стороне листа 2, на другой - плос-г 5 ких участков 5, а в местах пересечения канавок 3 и 4, выполненных на разных сторонах, - сквозных окон б.Капиллярная структура тепловой трубы работает следующим образом. ЗОВ зоне испарения (Фиг,2,4 и 5) при подводе теплового потока к стенке тепловой трубы 1 в капиллярной...

Номер патента: 740077

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Власов, Остаповский, Портнягин, Ротман

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, структура

...содержит полупроводниковую подложку 1 р-типа с образованными на ней эпитаксиальными слоями 2 и 3 противоположного типа проводимости, В верхнем эпитаксиальном слое 2 выполнены области/р-и-р-транзистора: эмиттер 4, база 5, коллектор 6 (часть коллектора расположена в эпитаксиапьном слое 3).В эпитаксиальной базе транзистора выполнена дополнительная область 7 того же типа проводимости с поверхностной концентрацией донорной примеси М 1 = 6 10 см . Указанная концент 17 -3рация примеси дополнительной области превышает концентрацию примеси в остальной области базы, которая составляет М р = 5 10 см ; Область 8, выполненнаяна границе эпитаксиального слоя 3 и подложки 1 предотвращает смыкание области коллектора с подложкой. Для получения омических...

Номер патента: 1336930

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Бомко, Дьяченко, Кобец, Рудяк

МПК: H05H 9/04

Метки: ионов, линейного, структура, ускорителя, ускоряющая

...на токонесущих штангах на выходном конце имели место допОлнительные потери ВЧ-мощности.На чертеже схематически изображена конструкция ускоряющей структуры.55Ускоряющая структура содержит цилиндрический резонатор 1 с трубками дрейфа 2, расположенными соосцо оси резонатора, при этом группа трубок 10 2дрейфа одинаковой четности установ- лена с помощью проводящих держателей 3 ца общем пропольцом электроде 4, опирающемся ца отдельный опорный элемент 5, установленный и юстировочной системе б, которая позноляет устанавливать одновременно всю укаэанную группу трубок дрейфа по всем степеням свободы с заданной точностью. При наличии общего продольного электрода ч отпадает необходимость привязывать механически настроечные элементы 7 к проводящим...

Номер патента: 1444745

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Бурназян, Гунько

МПК: G06F 7/00

Метки: однородная, структура

...поступающий на первые входымажоритарных элементов первой строкии вторые входы мажоритарных элемен-тов первого столбца матрицы соответственно. Сигнал логического "О" с инверсного выхода триггера 2 через элемент ЗАПРЕТ 4 и элементы ИЛИ 8 группы подается на третьи входы мажоритарных элементов 1, - 1 матрицы,Если в матрице нет мажоритарных элементов, имеющих дефект "Константа О",то с выхода элемента 1на вход элемента СЛОЖЕНИЕ ПО МОДУЛЮ ДВА 6 пос -тупает сигнал логической "1", на другой вход которого поступает сигналс выхода элемента ЗАПРЕТ 3. В результате на выходы элемента ЗАПРЕТ 5, аследовательно, на контрольном выходе13 структуры будет сформирован сигналлогического "О". При наличии в матрицехотя бы одного мажоритарного элементас...

Номер патента: 1453127

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Адамович, Покровский, Севрук

МПК: F24J 2/50

Метки: антиконвективная, коллектора, солнечной, структура, энергии, ячеистая

...элемент выполнен в виде прямоугольной рамы, боковые стенки которой снабжены прорезями, открытыми с одной стороны а модули выполнены цилиндрическими и расположены в прорезях. Составитель К.ЗаграничнаяТехред А. Кравчук Корректор С,Черни Редактор Н.Бобкова Заказ 7264/32 Тираж 634 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретние относится к гелиотехике, к антиконвективным структурамолнечных коллекторов.Цель изобретения - упрощение сборМи с одновременным улучшением тепло 5Изоляционных свойств за счет уменьшения поверхности теплового контактаболее нагретых элементов...

Номер патента: 1118219

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Венгров, Кушин, Никитин

МПК: H01H 9/04

Метки: квадрупольной, пространственно-однородной, структура, ускоряющая, фокусировкой

...пучка в процессе ускорения.Целью изобретения является уменьшение потерь частиц в процессе ускорения за счет уменьшения искажения распределения полей.15Поставленная цель достигается тем, что в ускоряющей структуре с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой в виде четырех- камерного резонатора, содержащей гер-.20 метичный корпус резонатора, ускоряюще-фокусирующие электроды с профилированной кромкой, укрепленные с помощью механизмов юстировки на юстировочных балках, электроды выполнены в виде последовательно расположен-, ных секций, при этом два юстировочных механизма крепления каждой секции расположены симметрично относительно середины секции, а расстояние 1 между ними удовлетворяет вы" ражению 1/3 с 1/Ь1/2, где Ь - дли- на...

Номер патента: 1494254

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Гусев, Кушин, Орешников, Плотников, Селезнев, Угаров, Хоменко

МПК: H05H 9/04

Метки: ионов, линейного, резонансного, структура, ускорителя, ускоряющая

...поверхности, заключенные между стенками и днищами основного и дополнительного корпусов, в одном направлении и замыкается через поверхность между внешними поверхностями основного корпуса и вакуумным кожухом. Таким образом на кромках боковых стенок основного и дополнительного корпусов наводится синфазное напряжение, но различное по величине в местах крепления основных и промежуточных трубок дрейфа, Дополнительные трубки дрейфа оказываются под несколько меньшими потентипа Н-резонатора с трубками дрейфа и заметно увеличить электронныйКПД ускорителя, 2 ил. циалами, чем основные трубки, Обра эуется своеобразный высокочастотный делитель, который позволяет получить равномерное распределение поля на всем периоде ускорения (между основными...

Номер патента: 1513517

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Гаевский, Красин, Ксиров, Малаховский, Нецепляев, Орлов, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, структура, цилиндрических

...не покидает диск, перемещаясь вслое-носителе П 1 Щ в сторону вытравленной канавки 5, так как притягиваетсясмежным диском, который замыкает поле рассеяния ЦМД,Изложенное можно пояснить следующимобразом. Энергия ЦМД - Е определяетсяформулой Е - энергия, связанная с полемрассеяния Ц 1 рЩ,Из формулы (1) видно, что Е увеличиваетсв с ростом На и бе"ГА НаТ.е. при увеличении одноосной анизотропии Нд в слое-носителе ЦМД подсмежным диском энергия ЦМД будет возрастать, а при нахождении ЦМД на краюсмежного диска будет уменьшаться, таккак за пределами диска НА меньше. Таким образом, при повышении однооснойанизотропии под смежным диском ПМДбудет стремиться покинуть центр диска и сместиться к его краю. При выходе ЦМД из-под диска резко возрастает...

Номер патента: 1376931

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Бомко, Дьяченко, Кобец, Рудяк

МПК: H05H 9/04

Метки: ионов, линейного, структура, ускорителя, ускоряющая

...к образующейрезонатора 1 вырез 11 в виде окружности, Кроме того, на чертеже изображены настроечные элементы в видепроводящих стержней 12-16, однимконцом касающихся окружности выреза,а другим установленных в центре 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 окружности с возможностью вращениявокруг этого центра, В вырезе 11в виде окружности устанавливаетсянастроечный элемент в виде проводящего стержня 17, имеющего воэможностьвращения вокруг центра окружностивыреза,Рассмотрим работу ускоряющейструктуры,При возбуждении ее высокочастотной мощностью в зазорах между трубками 4 и 5 дрейфа устанавливаетсяускоряющее поле, профиль которогодолжен соответствовать расчетному,Наиболее высоким темпом ускоренияобладает ускоряющая структура сравномерным по всей...

Номер патента: 1424711

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Гусев, Кушин, Манусаджян, Плотников, Селезнев, Угаров, Хоменко

МПК: H05H 9/04

Метки: многоканальная, структура, ускоряющая

...н зазорах между трубками дрейфа. Напряженность электричес- кого поля в 1 зазоре между трубкамидрейфа пропорциональна площади лопе- речного сечения фигуры, образованной 1 держателем и средней стенкой.Дчя обеспечения планного нарастания напряженности электрического поля н ускоряющих зазорах, а между трубками дрейфа на участке формирования пучка достаточно ныполнить следующее условие: я, -я, в,/вгде В, - относительная скорость раз" новесной частицы в середине ускоряющего. зазора с индексом 1, 1-1 .М. Высота средней стенки Ь выбрана иэ сообрваений обеспечения необходимой электрической прочности в промежутках между трубками дрейфа и дополнительной стенкой. Пусть Н - расстояние от днища резонатора до центрального канала структуры, г -...

Номер патента: 1429919

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Петров, Смирнов, Терентьев

МПК: H05H 9/04

Метки: волне», линейного, резонаторного, стоячей, структура, ускорителя, ускоряющая

...,Г в соседних УскОРЯющих .0 крх, ОносЯЩнхсЯ к частЯИ стРУ г УГыр РЯ,.,еленным ускоряющей ячейкаЙ ,;2 т, в Ячейках 1,2,321 н," 2 Р р 2.", 26, 27 находятся в прорииаФЗе. Ья. ность фаз колебаний в у-корндтях ячейках 21 р 23, соединРнньГч с ":,:; кой 2, Выполненной В Виде Двух сВязянных резонансных объемов 32 и 33, Зависит От настройки резонансных Объ.- емов 32 я 33, Настройка последних производится цилиндрическими штырями 35 и 36, имеющнмя двя Фиксированных пслаженияр причем каждый из объемов 32 и 33 настраивается одинаково. Когда штыри 35 и 36 выведены иэ объемов 32 и 33, колебания этих объемов на рабочей частоте происходят синфазно и разность Фаз колебаний ВЬлны Е, В ускоряющих ячейках 21 и 23 состав-, ляет 2 рад. (Фиг.2), В этом случае...

Номер патента: 1515969

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Василевская, Кива, Фролов, Хатунцев

МПК: G01R 31/26, H01L 27/14

Метки: заряда, переносом, структура, фоточувствительная

...промьшленно И 3, с, 19-22,Василевская Л,М, и д фоточувствительная ., ми зарядовой связью типа К тронная промышленность, с, 10-13,(54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА ретения - сокращение рение процесса измеренияпередачи модуляцииредставлена предлагаая структура сдержит секцию 1ьными ячейками 2,истр 3, светоэащнтположенный над фоячейками 2, окнаане 4, которыекую последовате 515969 А 1 крытых фоточувствительных ся закрытых и равкрытых Фоточувстви ерным потоком оития в открытых фотоейках структуры ир е фотогенерируемьх По окончании ир- сформ эаствляет их неронс йству ирнпра, Сфор образом и сэевапакетов ирод тавсигалдктый подаче на фоточувстность структуры иэобвого автомата, уменьшается трудоемкость процесса измерения коэффициента...

Номер патента: 1654809

Опубликовано: 07.06.1991

Автор: Семеренко

МПК: G06F 7/00

Метки: вычисления, логических, систолическая, структура, функций

...очередная компонента д"(г " ) З 0.Ч ЧйО-покрытия (К,1-покрытия), а вЭ-триггер 24 - очередная компонепта1; набора Ь.1Поскольку значениями компонент кубов й,;- (г;) могут быть символы иэ 35алфавита О, 1, х, для представлениякомпоненты й," (г, ) в двоичном алЧзФавите необходимо два разряда (табл.2),Поэтому на первом такте. каждогоцикла в Э-триггер 25 и в Р-триггер 1026 записываются значения соотввтвтвеня и,ной; (г 1 ) иа; .(г;).После окончания записи соответствующей информации в Р-триггеры 24-26выполняется операция пересечения компоненты Й, (г, ) с компонентой 1;Поскольку значениями компоненты 13могут быть только символы О и 1,в ячейке 1 укаэанная операция пересечения выполняется согласно табл.З, 50В ячейке 1 реализована...

Номер патента: 1577678

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Комаров, Мишин

МПК: H05H 9/00

Метки: заряженных, линейного, структура, ускорителя, ускоряющая, частиц

...Определть из графических эави"симостей Нижним прецелом, органичинающим ноэможность применения предложенной ускоряющей структуры, является неЛличина л 1 2полученная аналог кр ,1гично соотношению2 ур логде ь - минимально возможная отно Крсительцэя скорость;6 - нид колебаний;толщина диафрагмы, м,Для максимальной неличины -- =о=-008 приведенной в справочных данных, 3 =0 096:0) 1,Тернал длины Й пролетного канала, образованного трубкой дрейфа получен из соображений, смысл которыхя ец иэ зависимости амплитуды пятойгармоники, нормированной на ее максимлльное значение от приведенногозначения длигы трубки дрейФа ,да,ч" еПри минимальном и максимальном значениях й определенных соотношением(2) амплитуда пятой гармоники...

Номер патента: 1702359

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Белоус, Крот

МПК: G06F 7/00

Метки: бинарных, вычислительная, матриц, однородная, структура, трехмерных

...выделить все АО, Если в качестве верхних гранич 17023595 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ных признаков использовать числа большие, чем.максимальные возможные значения отсчетов Ац, то можно выделить все А 101, Если задать О = 0 = В, то выполнится поиск по совпадению А=В,Однородная вычислительная структура для обработки трехмерных бинарных матриц позволяет выполнять за одну команду различные варианты операции поиска по интервалу элементов в трехмерных бинарных матрицах; в каждой строке задавать отличные от других строк значения границ интервала поиска, что позволяет осуществлять обработку трехмерных массивов, представляющих собой изображения двумерных функций от координат плоскости, при этом на обрабатываемом изображении выделяются...

Номер патента: 847841

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Крюков, Маковий, Ус, Федоров

МПК: H01L 27/04

Метки: инжекционная, полупроводниковая, структура

...переклюцающего транзистора, базовый контакт расположен симметричнр относительно любой пары коллекторных областей, при этом продольная осевая линия инжекторной области параллельна линейному расположению коллекторных областей.На Фиг, 1 представлена инжекционная полупроводниковая структура, продольнй разрез; на фиг, 2 - эквивалентная электрицеская схема, реализуемая на инжекционной структуре.На подложке и+-типа 1 с контактом 2 в эпитаксиальном слое и-типа 3 20 сформирована базовая область 1, в пределах которой выполнены три линейно расположенные коллекторные области и -типа 5.+Поверхность структуры покрыта ди электрической пленкой 6, в которой созданы окна для контактной металлизации 7 к крайним коллекторным областям 5 и для контактной...

Номер патента: 1719866

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Гладышев, Двирный, Заваруев, Подшивалов, Соколов

МПК: F28D 15/02

Метки: капиллярная, структура, тепловой, трубы

...трубы 1 выполнена в виде полотна 2 с основой 3, имеющей трикотажную структуру и выполненной из переплетенных нитей или волокон, и с ворсовыми петлями 4, введенными в основу 3 и выступающими над ней, причем петли 5 основы имеют меньший размер, чем ворсовые петли 4. Труба 1 имеет корпус 6 с эквидистантными поверхностями 7 и 8. При работе трубы 1 жидкий теплоноситель перемещается по основе 3, а пар движется между ворсовыми петлями 4. За счет равномерного прижатия основы 3 к стенке корпуса 6 ворсовыми петлями 4 обеспечивается высокая эксплуатационная надежность капиллярной структуры. 2 ил. казаны), размещена основа 3, а со второй Б контактируют вершины ворсовых петель 4.При работе трубы 1 жидкий теплоноситель перемещается по основе 3....

Номер патента: 1730698

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Ломухин

МПК: H01Q 1/52

Метки: развязывающая, структура, штыревая

...антенн 2: на фиг. 2 - зависимость ослабления поля от высоты штырей; на фиг, 3 - зависимость ослабления поля от длины волны,Структура содержит тонкие штыри (диаметр штырей намного меньше рабочей длины волны), установленные на поверхности с одинаковым периодом как вдоль, так и поперек линии связи, Размеры структуры в поперечном к линии связи направлении должны быть выбраны изусловия превышения радиуса существенной зоны аспространения (т.е, величиной 0,5 п О, при и2, где О - расстояние между антеннами), В продольном направлении чем длинее структура, тем выше ее эффективность,На фиг. 2 приведена измеренная завиость ослабления поля между антеннами1730698 25 В = 109 от высоты штырей, где Р -РРмощность поля в присутствии структуры; Ро -...

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...

Номер патента: 1741165

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Бобонец, Онуфрей

МПК: G06F 11/10

Метки: вычислительная, однородная, спиральная, структура

...генератор 42 предназначен для общей синхронизации работы устройства управления в вычислительной структуре.Регистр сдвига 43 предназначен для организации назначения очередной пары проверяемых ПЭ для внешнего контроля, В исходном состоянии в него занесена только одна "1" и все остальные "0", но сигналом генератора 42 в каждом интервале работы осуществляется циклический сдвиг разрядов регистра,Элемент задержки 28, элемент ИЛИ-НЕ 34, элемент ИЛИ 35, элемент 41 И предназначены для организации повторного счета в паре проверяемых процессорных элеменЭлементы задержки 28 и 29, элементы И 30 - 32, элемент ИЛИ-НЕ 33, группы И 39 и 40 предназначены для определения отказавшего процессорного элемента в СОВС,Группа элементов ИЛИ 36 и регистров...