Патенты с меткой «структура»

Номер патента: 787873

Опубликовано: 15.12.1980

Автор: Рябченков

МПК: F28D 15/04

Метки: капиллярная, структура, тепловой, трубы

...должны прилегать одна к другой без зазора, не перекрывая одна другую. Затем эту заготовку вместе с оправкой вводят в трубу, внутренний диаметр которой больше внутреннего диаметра изготавливаемой тепловой трубы на величину, равную отклонению при прессовой посадке. Нагревают заготовку вместе с оправкой и трубой до температуры,при которой никелид титана данного состава "запоминает форму". Никелид титана в зависимости от процентного содержания титана и никеля имеет широкий диапазон температур "запоминания фОрм". Например, если капиллярную сетку выполнить иэ сплава Тй, состоящего из Т,+ 51 ат.В И 1, то такой сплав запоминают форму при 120 С и выше. После "запоминания формы" заготовку совместно с оправкой и трубой охлаждают до нормальной...

Номер патента: 581755

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Долгинов, Дружинина, Мильвидский, Рогулин

МПК: H01L 33/00

Метки: структура, эпитаксиальная

...типа. Шихта длявыращивания эпитаксиального слоя10Оах 1 п х А 9 5 Ь содержит: индия 4 г,антимонида индия 1,2 г, антимонидагаллия 20 мг, арсенида индия 300 мг.Шихта для выращивания ОаАь 5 Ь содержит:. галлия 3 г, антимонида галлия 500 мг, арсенида галлия 3 мг,цинка 30 мг.Подложку арсенида индия подводятпод расплав для выращиванияОах 1 пл. А 5 Ь 9 при 520 С, а под 20,расплав для выращивания ОаАь 5 Ьок-цпри 500 СПроцесс эпитаксии проводят в режиме принудительного охлаждения раствора-расплава со скоростью0,8 град/мин.Толщины полученных эпитаксиальныхслоев: Оа 1 п Аь 5 Ь.З 20 мкм,ОаА 5 Ь40 мкм. Состав полученныхэпитаксиальных слоев, по данным локального рентгеноспектрального анализа, соответствует Оа 009 и Аь 5 Ьи О А 5 Ь0,09...

Номер патента: 834786

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Белавин, Карамов

МПК: H01G 4/008, H01G 4/40, H01G 9/22 ...

Метки: параметрами, распределенны-ми, структура, управляемая

...сопротивление, Слой 1 находится5 в контакте со слоем 2, который представляет собой смесь мелких (диаметр .зерен порошка платины от 30 до 50 мкм) порошков платины и твердого электролита ЙЬА 9,1 . Слой 3 состоит из чистоО го твердого электролита ЙЬА 9.15 Таким образом, контакт слоев 1, 2 и 3 представляет собой контакт резистивного слоя 1 с искусственно развитой поверхностью твердого электролита, граница раздела которых образует распределенную емкость. Процентное содержание порошка платины в слое 2 выбирается таким, чтобы оно мало влияло на величину резистивного сопротивле О ния слоя 1. Слой 4 состоит из коллоидного серебра.На клеммы 8 и 9 через делитель напряжения, образованный резисторами 12 и 13, подается положительное...

Номер патента: 842380

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Бутырский, Репин

МПК: F28D 15/04, H01L 35/28

Метки: капиллярно-пористая, структура, тепловойтрубы

...напор (0,05 - 0,5 атм) .Постоянная циркуляция теплоносителя возможна в тепловой трубе.Цель изобретения - расширение функ 1 Оциональных возможностей тепловой трубы.Поставленная цель достигается применением пористых полупроводниковых элементов р и и вида в качестве капиллярнопористой структуры тепловой трубы.На фиг. 1 изображено термоэлектрическое устройство (тепловая труба), в котором установлена описываемая капиллярнопористая структура из пористых полупроводниковых элементов р и п вида; на фиг, 2 разрез А - А на фиг. 1.Термоэлектрическое устройство (тепло 20вая труба) содержит корпус 1, пористые полупроводниковые элементы 2 р вида, пористые полупроводниковые элементы 3 и вида,установленные по периметру корпуса , искоммутированные шинами...

Номер патента: 857987

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Гузик, Криворучко

МПК: G06F 7/64

Метки: интегро-вычислительная, структура

...и группы 4/ триггеров поступают временные импульсы и управляющие потенциалы, обеспечивающие процесс вычислений.Начинается этап вычислений на первой итерации, в течение которого в узле 8 каждого решающего блока 7 производятся вычисления приращений интеграла для следующей итерации, Одновременно с выхода триггера 37 узла 21 поступает на управляющий вход счетчика 20 разрешающий сигнал, который разрешает суммирование, и первый временной импульс, соответствующий началу итерации, поступает с выхода распределителя 41 импульса узла 22 и перебрасывает счетчик 20 в состояние, равное единице.По окончании этапа вычислений на первой итерации последний временной импульс, соответствующий концу итерации, поступает с третьего выхода распределителя 41...

Номер патента: 864573

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Анисимов, Веркутис

МПК: H03K 19/23

Метки: мажоритарная, структура, универсальная

...сумматоров 1-1, 1-2, 1-3, 1-4 первого ряда,сумматоров 2-1, 2-2 второго ряда и сумматора 3-1 третьего ряда. Выходы переносов сумматоров 1-1, 1-2, 1-3,поданына вход сумматора 2-1, а выходы суммы 15и переноса сумматора 1-4 и выход суммысумматора 2-1 поданы на вход сумматора 2-2, выход суммы и переноса которого совместно с выходом переноса сумматора 2-1 подан на входы сумматора 203-1, Выход переноса сумматора 3-1 естьискомая мажоритарная функция.Для структуры фиг.1 при разомкнутой связи выхода суммы сумматора 1-2 навход сумматора 2-1 и подаче на оборванный вход сигнала логического нуля15имеем5 =5 (Х);Р,54 (Х)где 5, Р - выходы суммы и переноса ф ЗОсумматоров при соответствующих индексах.При замыкании входа сумматора 2-1на выход суммы...

Номер патента: 871129

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Даценко, Домахин, Сергеев, Серебренников, Фель

МПК: G02F 1/17

Метки: структура, электрохромная

...структуре, состоящей из обращенных друг к другу прозрачных диэлектрических пластин с нанесенны ми прозрачными проводящими .электродами и расположенными между ними слоями трехокиси вольфрама и моноокйси кремния, соответственно введены слои восстановленной окиси вольфрама И 05 Х и двуокиси кремния 510 к,в которых 1 Е х2, причем слой 510 х непосредственно прилегает к слою 510, а отношение толщины слоя ЧОв к к слою ЧО соответственно составляет 1/15-1/7.На чертеже представлена предлагаемая электрохромная структура.871129 Формула изобретения Составитель Г.Александактор О. Филиппова Техред М.Рейвес Г, Н Коррек в Заказ 8432/19 ВНИ п 113 ФТираж 542 ПИ Государственного комитета С делам изобретений и открытий 35, Москва, Ж, Раушская...

Номер патента: 900279

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Артюхов, Шалыто

МПК: G06F 7/00

Метки: однородная, структура

...ячеек структуры мажоритарных элементов , требующихся дляреализации произвольной логическойформулы из Ь букв, заданной в базисеИ,ИЛИ,Н 6, при условии равной доступности прямых и инверсных выходовисточников информации, определяется соотношением14 11 +2Ь2. )где- - символ округления до ближайшего целого меньшего Ь,Древовидная структура из двухвходовых элементов И,ИЛИ определяетсяпо ФормулеУ= 1 х ч х хь) (х хьЧХ х),которая "вкладывается" в предлагаемую однородную структуру в соответст"вии с верхней оценкой 1. 10 фиг 3)ПРИ этОм вхОД-ВыхОД 4 з стРУКтуры используется в качестве ее выхода, три входа-выхода 4, 4, 4,"в качестве входов структуры, на ко"торые подаются информационные переменные хз, х, х, два входа-выхода 4 формула изобретения...

Номер патента: 900300

Опубликовано: 23.01.1982

Автор: Криворучко

МПК: G06J 1/02

Метки: интегрирующая, структура, цифровая

...канала прираще ний 10 и элементы И отрицательного канала приращений 11.Выход блока ввода 1 соединен с первым входом каждого решающего блока 2, второй вход каждого из которых соединен с первым выходом блока управления 3, 10Первый выход каждого решающего блока 2 соединен со входом блока управления 3 и с первым входом блока вывода 4, второй вход которого соединен со вторым выходом блока уп равления 3, третий выход которого соединен с первым входом каждого сдвигающего регистра положительных приращений 5, с первым входом каждого сдвигающего регистра отрицатель- .20 ных приращений 6 и со входом каждого программного регистра сдвига 7.Вход блока ввода 1 соединен также с первым выходом блока управления 3, а группа выходов блока ввода 1...

Номер патента: 793343

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Андреев, Белугин, Прохоров

МПК: H05H 7/00

Метки: структура, ускоряющая

...длина радиальной части разреза и половина длины азимутальной части разреза не составит (0,22 - 0,23)А, где Х - рабочая длина волны.На чертеже изображено сечение предлагаемой ускоряющей структуры,Проводящие шайбы 1 размещены на приливах диафрагмы 2 и закреплены ка трех полуштангах 3, равноудаленных друг от друга. В каждом модуле, который включает в себя шайбу с диафрагмой, полу- штанги и отрезок цилиндра 4, в середине каждого промежутка между приливами диафрагмы в плоскостях пучностей электрического поля колебания типа Е делают разрезы по радиусу, начиная от внутреннего края диафратмы, разветвленные симметрично по азимуту в одну и,другую сторону от тех пор, пока суммарная длина радиальной части разреза и половина длины азимутальной...

Номер патента: 911653

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/00

Метки: микролитографии, разрешающей, способности, структура, тестовая

...проводимости, проводники 3 первого слоя - диффузионные области и"типа проводимости, проводники 4 второго слоя из поликристалического кремния, межслойные контакты 5 .проводников второго слоя к проводникам первого слоя ВК, ЙК, ВК ВкЪ, области,тонкого окисла 6, отверстия 7 для снятия с поверхности тонкого окисла в 25. зоне, общая диффузионная область 8 +и-типа проводимости - область истоков МДП-транзисторов, подзатворные: области 9 " рабочие каналы МДП-транзисторов.На поверхности слоя окисла 1 (фиг.1) кремниевой пластины 2 р-типа проводимосги выполнена тестовая структура, содержащая проводники 3 первого слоя в виде диффузионных областей З 5 д "типа проводимости, проводники 4 второго слоя из поликристаллического кремния, образующие при...

Номер патента: 786748

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Галузо, Матсон, Пожиток

МПК: H01L 29/72

Метки: многоколлекторная, структура, транзисторная

...разделяется на базовый ток, текущий от эмиттерной области 2 через каналв подложке (базе), окруженный коллекторной областью 4, к омическому контакту базовой области 7 и коллекторный ток, текущий от эмиттера 2 через подложку(базу) 1 к коллектору 3,Вначале при увеличении выходного напряжеция коллектор-эмиттер прибор работает как обычный биполярный транзистор,т. е. с ростом напряжения происходит увеличение, а затем и насыщение тока коллектора (при этом входное напряжение базаэмиттер и ток базы остаются постоянными).Когда величина выходного напряжениядостигает значения, при котором ширинаобласти пространственного заряда р-и-перехода коллектор-подложка (база) сгановится равной расстоянию между коллекторными областями 3 и 4, происходит...

Номер патента: 960842

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Гузик, Иванов, Криворучко

МПК: G06F 17/13

Метки: интегрирующая, структура, цифровая

...первый элемент ИЛИ 34,третий 35 и второй 36 триггеры,второй элемент И 37, второй элемент 38задержки, третий 39 и второй 40 элементы ИЛИ, первый дешифратор 41, группу элементов 42 сравнения, счетчик 43,второй дешифратор 44, первую группуэлементов И 45, третий элемент 46задержки, элемент НЕ 47, четвертыи 48 и третий 49 элементы И,ч35вторую группу элементов И 50, регистр 51, генератор 52 импульсов, пятый элемент И 53, группу триггеров54,Блок 1 управления предназначен длявыработки управляющих сигналов, необходимых для работы устройства, блок2 ввода - для ввода настроечной информации (начальных значений подынтег.ральных функций и программ коммута 45ции) в регистры 14 блока 3 динамических регистров и в регистры 13 блока 8 задания выборки...

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...

Номер патента: 974088

Опубликовано: 15.11.1982

Автор: Лазаренко

МПК: F28D 15/04

Метки: капиллярная, структура, тепловой, трубы

...профиль или форму трехгранных пирамид.На фиг. 1 изображен Фрагмент капиллярной структуры, когда лунки имеют форму трехгранных пирамид; на Фиг, 2 - тепловая труба, на фиг, 3 узел 1 ( продольного сечения корпуса трубы в зоне испарения) на фиг. 2.Капиллярная структура 1 тепловой трубы 2 выполнена в виде системы лунок 3 в стенке корпуса в зоне 4 испарения, имеющих форму трехгранных пирамид. Каждая лунка 3 контактирует по своим кромкам 5 с соседними лунками 3. Внутри трубы 3 размещено устройство 6 для распыливания конденсата теплоносителя в зоне испарения. Внутри лунок 3 конденсат теплоносителя образует мениски 7Капиллярная структура функционирует следующим образом.При подаче конденсата теплоносителя в виде капель на поверхность корпуса...

Номер патента: 985701

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Антоненко, Кривешко, Толубинский

МПК: F28D 15/04

Метки: капиллярная, структура, тепловой, трубы

...- то же, поперечное сечениепри расположении на стенке тепловойтрубы.1Капиллярная структура расположенана стенке корпуса тепловой трубы 1,выполнена из пористого гндрофильногоматериала 2 и содержит дискретнорасположенные участки 3 из гндрофобного материала.Предлагаемая структура работаетследуккаим образом,В зоне испарения при подводе теплового потока к стенке тепловой трубы 1 начинается парообраэованне вкапиллярной структуре, и образовавшийся,пар выходит через участки 3 впаровое пространство, оставляя настенках капли захваченного теплоносителя,который транспортируется взону испарения эа счет капиллярных985701 Формула изобретения г г ЮОУ ф фгфОфф ффффф ОЮЮ ф О О Ффф ф фШОУ ф Фу О ф, ффф Оф фффайф фОРО ф фМ Составитель С.Бугорседактор...

Номер патента: 991411

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Герцев, Мищенко, Окулович, Панчиков

МПК: G06F 7/00

Метки: логических, однородная, реализации, структура, функций

...55 Однородная структура для реализациилогических функций, содержащая элеме 3 п И и неравнозначности, о т л и ч а ю ш я с я тем, что, с целью упрощения и Эгруппы 11% =1,2Ь 211%Г щ 12Ю ности т-го уровня является выходомуструктуры,На чертеже представлена функциональ- ная схема устройства,для и = 5.Схема устройства содержит элементы. И 1-5, на входы 6-10 кот урых подаются управляющие сигналы, элементы 11- 14 неравнозначности, реализующие функцию сложения по модулю два, Выходы 15-18 элементов И 1-4 являются входы ми элементов 11 и 12 неравнозначно-сти соответственно, выходы 19 и20 которых подключены к входам элемента 13 неравнозначности. Так как число выходов элементов И, составляющих первый ранг схемы, не четно, то выход 21 элемента 5...

Номер патента: 998974

Опубликовано: 23.02.1983

Автор: Устинов

МПК: G01R 27/00

Метки: объемного, пластины, полупроводниковой, сопротивления, структура, тестовая, удельного

...2 В + 2 С области 3,т.е. р = р 35С целью компактности размещенияэлементов на рабочей поверхностипластины контактные зоны могут иметьболее сложный вид (фиг. 3). Здеськаждая из областей 2 и 3 содержитодинаковое количество однотипныхтопологических элементов, т.е. пять.внешний угол О = 900(один внутренний угол Р = 270) .Тестовая структура работает следующим образом.Для каждой области 2 или 3 (фиг.1),контролируемая зона полупроводниковой пластины 5 составлена иэ двух 50параллельно включенных резистивныхчастков: внутренней зоны 11 илиопределякицей объем пластинымежду областью 2 или 3 и ее проекцией на общую контактную область 8; 55 сопротивление у этого объема пластины равное60где- удельное объемное сопротивление пластины Ом м 3 внешней зоны...

Номер патента: 1000725

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Опрышко, Сасин, Яценко

МПК: F28D 15/04

Метки: зоны, испарения, капиллярная, структура, тепловой, трубы

...- 0,1)с 3 0 =(0,0054001 фРи= ( О, 3 - О, 0 05)Ргде сМ - диаметр пор мелкопористогослоя,Д - диаметр пор крупнопористого 45слоя;толщина мелкопористогослоя,л - высота ребра,толщина крупнопористого 50слоя,При этом поверхность ребер, кроме поверхности основания, снабженапокрытием из мелкопористого матерна.ла. 55На фиг. 1 изображена предлагае. мая капиллярно-пористая структура, на фиг, 2 - узел 1 на фиг. 1,Капиллярная структура эоны испарения тепловой трубы выполнена в 60 виде продольных ребер 1 из капиллярно- пористого материала, расположенных на внутренней поверхности эоны 2 испарения, ребра 1 в основании имеют мелкопористый 3 и хрупнопористый 65 7254/4 слои, последний из которых имеет контакт с поверхностью эоны 2 испарения, причем...

Номер патента: 1038790

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Белоусов, Головенкин, Двирный, Жижкин, Изжеуров, Лапшов, Онуфриенко, Смирнов-Васильев

МПК: F28D 15/04

Метки: каппилярная, структура, тепловой, трубы

...сопряженные по торцам цилиндрические втулки иэ проволочного материала, каждая втулка выполнена многослойной в поперечном сечении, а сопряжения втулок в смежных слоях расположены со смещением на величину наружного диаметра слоя с меньшим радиусом изгиба, при этом втулки каждого последующего слоя в направлении от большего радиуса изгиба к меньшему выполнены иа материала с большим эффективным диаметром пор по срав" нению с предыдущим.На фиг.1 представлена тепловая труба с предлагаемой капиллярной структурой, продольный разрез на фиг.2 - то же, поперечный разрез, 35Тепловая труба содержит герметичный корпус 1, в котором установлены втулки, образующие многослойную пористую структуру, Каждый из слоев состоит иэ набора цилиндрических тон...

Номер патента: 1053336

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Березин, Тучинский, Шеревеня

МПК: H05K 1/00

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки, соединительная, структура

...компенсирующих элементов, расположенных врабочей зоне, может быть В виде любой 55геометрической фигуры,. например колец, полых тонкостенных ромбов,прямоугольников,На чертеже представлена конструкция соединительной структуры,Соединительная структура состоитиз двух зон; рабочей и технологи. ческой, Соединительная структурасодержит диэлектрическую подложку 1,с токопроводящими выводами 2 (Выводы,65 находящиеся в технологической зоне,в работе готового прибора не участвуют и после монтажа кристалла ккорпусу технологическая зона удаляется),Выводы, находящиеся в рабочейзоне, состоят из внутренних концов 3,которые присоединяются к контактнымплощадкам 4 полупроводникового прибора 5, и внешних концов б, которыеприсоединяются к...

Номер патента: 1064115

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Александров, Витязь, Капцевич, Конев, Мазюк, Савич, Федорова, Шелег

МПК: F28D 15/04

Метки: капиллярная, структура, тепловой, трубы

...лиофильного материала препятствует продвижению фронта раздела пар -жидкость внутрь пористого лиофильногоматериала, внутри которого всегда находится жидкость, Вследствие этого в тепловойтрубе с капиллярной структурой устраняет.ся пережог.Вследствие увеличения объема частиц55иэ лиофильного материала при поглощении теплоносителя свободное пространство между металлическими частицами не может быть заполнено более чем на 70/,. При заполнении укаэанного пространства менее чем на 200/О процессы кипения ипарообразования, как и в известной капиллярной структуре, определяются, в основном, свойствами и количеством теплоносителя, заполняющего капиллярную стРуктуРуРазмеры частиц определяются условиями удержания последних в порах капилляР-...

Номер патента: 1084701

Опубликовано: 07.04.1984

Автор: Устинов

МПК: G01R 27/14

Метки: пленочных, резисторов, сопротивления, структура, тестовая, удельного

...которой расположены последовательно соединенные прямоугольные 4резисторы с одинаковой длиной и разной шириной реэистивных зон (2).Удельное сопротивление и отклонение ширины резистинных эон определяют по формулам на основе изМеренийсопротивления этих зон через контактные площадки, Контактными площадкамив этой тестовой структуре являютсявнешние участки резистинной зоны,вынесенные за пределы реэистивнойэоны и предназначенные для контакти.рования с металлическими зондами,Однако эта тестовая структура непредусматривает учета влияния нарезультат контроля особенностейметаллических пленочных контактовв частности отклонений их размеров,что приводит к большой погрешностипри контроле и практически делаетее неприменимой для контроля...

Номер патента: 953967

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Власов, Гаврилов, Тюрин

МПК: H05H 9/04

Метки: структура, ускоряющая

...известного устройства является низкая эффективность ускорения в ней именно ионов, в диапазоне малых и средний энергий, так какао при приемлемых поперечных габаритах соединения радиальных стержней между кожухом, центральным проводником и коаксиальными трубами пролетных каналов не позволяют получить достаточ-, но большое замедление фазовой скорости ускоряющей волны.Целью изобретения является устранение указанного недостатка, т.е. повышение эффективности ускорения тяжелых частиц в структуре.Поставленная цель достигается тем, что в ускоряющей структуре, содержащей внешний цилиндрический кожух и расположенные внутри него 45 центральный стержень с радиальными перемычками и пролетный канал коль - цевой формы, в поперечном сечении...

Номер патента: 856370

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Громов, Кушин, Плотников

МПК: H05H 9/04

Метки: структура, ускоряющая

...по сравнению со структурой типа Видерое.дднако эта структура обладает тем , недостатком, что даже на ее оси поперечная составляющая. электрического поля не равна нулю.45Это явление становится особенно нежелательным, если в "такой структуре попытаться осуществить одновременное ускорение нескольких параллельных пучков ионов, так как центральный и боковой пучки оказываются . в разных условиях.Целью изобретения является уменьшение величины радиальной составляющей электрического поля в ускоряющих зазорах.Поставленная цель достигается тем, что в ускоряющей структуре линей ного ускорителя ионов, содержащей цилиндрический объемный резонатор, внутри которого параллельно продольной оси расположены один или несколько потенциальных электродов, с...

Номер патента: 831044

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Громов, Кушин, Плотников

МПК: H05H 9/04

Метки: структура, ускоряющая

...распределения ВЧ поля к ним приходится подсоединять в поперечной плоскости дополнительные индуктивности,Целью изобретения является упро О щение конструкции структуры.Цель достигается .тем, что в ускоряющей структуре типа многопроводной линии с пространственно-однородной фокусировкой, содержащей вибраторы 55 с периодически меняющимся по длине поперечным сечением расположенные параллельно продольной оси, и узлы 2ввода ВЧ мощности, вибраторы размещены н виде системы из и столбцов и уп рядов, соединены поперечными перемычками, каждая из которых объединя-, ет внбраторы из каждой строки и каждого столбца через один и содержит пролетные отверстия, число М которых удовлетворяет выражению И=(п) в(т), гдеп,ш 2, 3, 4, 5Так как для...

Номер патента: 1123525

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Дядин, Зарубин, Кушин

МПК: H05H 9/04

Метки: ионов, линейного, структура, тяжелых, ускорителя, ускоряющая

...и каркас, каждый индуктивный шлейф выполнен в виде трех спиралей, оси которых расположены,подуглом 120 друг к другу, одни концы этих спиралей присоединены копорной ферме, а другие закрепленына каркасе с помощью температурныхкомпенсаторов, выполненных в видекаретки с регулирующими винтами.На Фиг, 1 приведен поперечныйразрез ускоряющей структуры с двумя опорными Фермами, на фиг. 2 -ее продольный разрез,Ускоряющая структура выполненаследующим образом. Каркас структуры состоит из продольных балок 1,поперечных элементов жесткости -треугольных рам 2 и платформ 3, Накаркасе закреплены цилиндрическиеспирали 4, расставленные вдольструктуры на платформах 3 периодически по три спирали в каждом сечении, эти три спирали...

Номер патента: 1164713

Опубликовано: 30.06.1985

Автор: Ильин

МПК: G06F 11/20, H03K 17/00

Метки: вычислительная, однородная, структура

...с горизонтальным и вертикальным выходами функционального элемента 3 той же ячейки, выход состояния которогОсоединен с входом элемента НЕ 8 ивторым входом элемента И 5 той же-й ячейки, а также с вторым входомэлемента И 1 О и входом элементаИ 2 (1-,-й коммутационной ячейки12 -го столбца, выходь элементовИ 5 и 7 каждой операционной ячейки1 соединены с соответствующими входами элементаИЛИ 4 той же ячейки,выход элемента НЕ 12 каждой коммутационной ячейки 2 соединен с вторымвходом элемента И 11 той же ячейки,выход элемента И 11 1-й коммутационной ячейки 2 ш-го столбца соединенс горизонтальным входом функционального элемента 3 ( +ш)-й операционной ячейки 1,В.качестве примера функционального элемента рассмотрим процессормодели 40...

Номер патента: 1200111

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Антоненко, Островский, Толубинский

МПК: F28D 15/04

Метки: капиллярная, структура, тепловой, трубы

...экрана.Цель изобретения - повышение теплопередаю 10 щей способности трубыПоставленная цель достигается тем, что кромки перфорации экрана со стороны стенки трубы закруглены по радиусу г, определяемому иэ неравенства 0,1( .соз 6/ к ( 1,0,. тде 8 - половина ширины перфорации в свету; 8 - угол смачивания экрана,На чертеже изображен участок капиллярной структуры и участок стенки трубы в зоне испарения. 20Капиллярная структура содержит перфориро. ванный экран 1, кромки перфорации которого со стороны стенки 2 трубы закруглены по радиусу г, определяемому из неравенства0,1( в сов В /й( 1,0, где В - половинаширины перфорации в свету; 8 - уголсмачивания экрана 1. Между экраном 1 истенкой 2 трубы размещен слой 3 теплоноси теля,...

Номер патента: 656432

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Ассесоров, Булгаков, Горохов, Кожевников, Кочетков

МПК: H01L 29/70

Метки: мощная, свч, структура, транзисторная

...во входную цепь транзистора. Поэтому при конст 5 10 15 20 25 30 миссные решения, в результате чего возможности транзисторной структуры в отношении мощности рассеивания и выходных эксплуатационных параметров в полной мере не реализуются.Вместе с тем при работе транзистора центральная часть каждой ячейки структуры и центральная часть всего кристалла нагреваются сильнее вследствие того, что теплообмен крайних участков происходит более интенсивно, и они лучше охлаждаются,В результате на кристалле всегда существуют тепловые пятна-участки с более высокой температурой. Существование их и экспоненциальной зависимости тока эмиттера от температуры способствуют возникновению положительной обратной связи, приводящей к тому, что наиболее нагретые...