Патенты с меткой «подложки»

Номер патента: 1441274

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Вязовая, Джумалыев, Кижаев, Трофимович

МПК: G01N 19/04

Метки: нанесенным, нее, подложки, покрытием, прочности, соединения, сцепления

...направлении и длинудуги охвата стержня подложкой поее сцепленной с покрытием стороне. По данным измерениям строят зависимость 1/с = ,Й(Й), имеющую линейный вид (фиг, 2). Путем линейной экстраполяции находят ВеличинУ ЙятакУю что 50 Е(с 1 ) = О, По величине с 1 я судят о прочности соединения, а именно тем больше прочность, чем меньше д сьП р и м е р, Испытывались на прочность соединения из покрытий ХС, ХВи ХСна подложке.из стали - 3, покрытой окалиной или очищенной от продуктов окисления механическим способом. Размеры подложки 105к 5 х 1,Как видно иэ фиг. 2, прочность сцепленных покрытий, нанесенных на очищенной поверхности, больше прочности сцепления тех же покрытий, нанесенных по поверхности металла, покрытой окалиной. По прочности...

Номер патента: 1448332

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Антонов, Гайнутдинов, Даниленко, Лемещенко, Низамутдинова, Панчев, Цыганов

МПК: G03C 11/24

Метки: адгезионного, подложки, полимерной, слоев, удаления, фотоматериалов, эмульсионного

...256+0,4 С ПЭТФподложка плавится и после полного 45расплавления подложки расплав визуально просматривается и определяетсяего цвет. После полного удаления подслоя расплав должен быть от белогодо серого цвета. Допускается желтоватый оттенок. Расглав от желтого докоричневого цвета указывает на присутствие адгезионного слоя на подложке.П р и м е р 2 (сравнительный).Проводится аналогично примеру 1, нона. 11-ой стадии пленку обрабатывают4,87.-ным раствором ИаОН при 60 С втечение 30 мин,П р и м е р 3, Аналогичен примеру1, но на 11 - ой стадии пленку обрабатыовают 47.-ным раствором ГаОН при 43 Св течение 35 мин,П р и и е р 4 (сравнительный),Аналогичен примеру 1, но на 11-ойстадии пленку обрабатывают 3 67,-нымоораствором 11 аОН при 45 С в...

Номер патента: 1458855

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Кириенко, Марченко, Сутырин

МПК: G03C 1/74

Метки: гибкие, жидкостных, нанесения, подложки, покрытий, экструзионное

...из бака 19 в щелевую головку 1, формирующую плоскую струю жидкости, которая переходит на движущуюся подложку 23 в виде слоя 24. Поскольку при подаче жидкости насосом-дозатором 2 расход пропорционален скорости вращения рабочего органа насоса, то датчик 4, располо" женный на валу рабочего органа насоса 2, дает сигнал, пропорциональный расходу. Этот .сигнал сравнивается в блоке 6 с сигналом задания расхода и на выходе сравнения получается сигнал, пропорциональный отклонению расхода, Этот сигнал подается на вход блока 15 задержки, а с его выхода - на вход сумматора 13. Задержка сигнала об отклонении расхода необходима из-за наличия в щеленой головке поверхности свободного стекания жидкости, вследствие чего жидкость приходит в точку...

Номер патента: 1465739

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Головчанский, Марченко

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: исследований, кремниевой, микроскопических, нанесенных, образцов, пленок, поверхность, подложки, приготовления, электронно

...комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 3 14657 к мнатной температуре является насыщ иным),При температуре раствора менее Зф С увеличивается продолжительностьо процесса, а использование раствора с температурой более 80 С приводит к растворению,самой отделяемой пленки.В таблице приведены результаты р ализации способа приготовления о разцов при различных параметрах п оведения процесса.П р и м е р. Проводят отделенир пренки ниобия (%) толщиной 1000 А,апыленной на кремниевую подложку (100) в 453-ном растворе КОН при 65 С. Время отделения пленки составет около 5 мин при скорости растрения самой пленки .60-70 А/мин. осле отделения с помощью специальой сетки кусочки пленки помещают в стиллированную воду. Свертыванияки не...

Номер патента: 1497515

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Байдуганов, Исаев, Левтонова, Нам

МПК: G01N 19/04

Метки: подложки, покрытием, прочности, соединения

...Таким образом, фиксация образцов происходила по латунным поверхностям двух образцов, В качестве адгезива использовали клей марки БФ-1, используемый в авиационной промьпяленности, После окончания отверждения адгезива (30 мин 5 О 3 1497515 кости при помощи адгезива 3 (фиг,2). Прочность адгеэива при этом должна быть выше прочности испытываемого соединения, Затем в комплекте образцов одним из известных способов выполняют параллельные прорези с обеих сторон комплекта, обеспечивая ширину зоны соединения(фиг. 2) равной(О 1 09)вНподпв 1 О где Н ,д - толщина подложки,Нирнну зоны соединения 1 (в силу того, что образцы по слою покрытия соединены адгезивом, у которого прочность выше прочности соединения под ложки с покрытием) выбирают иэ того...

Номер патента: 1504190

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Гарин, Леонтьев, Печеный

МПК: B65H 23/04

Метки: нанесении, подложки, слоев, студенении, транспортирования, фотоэмульсионных

...динамического отклонения натяжения обуславливает односторонний силовой контакт в червячной передаче, т,е. предотвращение возможных люфтов. Указанные обстоятельства обеспечивают стабильность скорости движения подложки, определяемую точностью червячной передачи и электропривода,Проведенное аналитическое исследование рассматриваемого участкатракта как последовательной мцогомассовой системы с упругими свя ями и экспериментальная проверка найденных взаимосвязей показали возможностьрезонансноо возрастания амплитуды о 4колебаний скорости на поливном валике. При этом наиболее опасным является резонанс в пассивном. вакуумрольганге, когда одна из частот, имеющхся на участке возмущений, совпадает или приближается к од ой из частот...

Номер патента: 1533876

Опубликовано: 07.01.1990

Автор: Плюхин

МПК: B44D 7/00

Метки: живопись, образования, пастельную, подложки

...24 ч, клеевой слой наносят подо р тым до 90 С, а после цдцссенця гпуцтд осуществляют его постадцйное уцлотщ цц упругим и жестким валиками, прц этом в качестве грунта используют песок с размерами гранул 40 - 60 мкм. течение 48 ч с последующей шлифовкойи затиркой. Пример. Основу для аклиматиздции выдерживают при 30 С в течение 24 ч. Клеевой состав готовят следующим образом. 200 столярного клея (может быть использован мездровый клей) нагревают, предварительно разбавив в 2 л воды, и оставляют разбухать (до 90 С) в клееварке Горячий раствор клея процеживают, д затем используют.Основу закрепляют цо углам.Горячий клеевой состав посредством широкого флейца продольными и поперечными движениями наносят нд основу ц распределяют по ней. После...

Номер патента: 1544533

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Артемов, Васильченко, Михайлов

МПК: B23K 1/19

Метки: диэлектрической, металлическим, основанием, пайки, подложки

...и развязать по термомеханическимнапряжениям подложку от основанияблагодаря высокой жесткости промежуточного элемента,Выполнение основания гофрированным с регулярными пустотелыми выступами в форме правильных пирамицпозволяет получать довольно жесткиеконструкции из тонколистового металла с малыми изгибовыми напряжениямив подложке, а следовательно, уменьшить материалоемкость соединения в3-4 раза,Направление вершин всех выступовв одну сторону обеспечивает созданиеплоской перфорированной поверхностина промежуточном элементе со стороны,подложки и получение надежного соединения подложка - промежуточныйэлемент, увеличивает устойчивость соединения к изгибовым деформациям засчет заполнения выступами промежуточного элемента соответствующих...

Номер патента: 1626115

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Барташевич, Васьковский, Лепаловский

МПК: G01N 1/28

Метки: изготовлении, металлической, микроскопии, образцов, отделения, пленки, подложки, электронной

...в электронном микроско(е1 мере увеличпия давления и времени выдержки происходит все более полное глезнипленки. При Р, =О" Па и 1=-ЗО миц пленки отделяюгся целиком. Такимбрззм, большие значения указанных пзрдмсрн использовать нецелесообразно.В;(р ьи р вз и не тем пер дтуры водорода показ ы (;с (, (г при Т(Тл 50 в иэе;(ванных ,изп;(.(цх Р,=2 10 О Га и 1=5 60 мин .,(р,к;ерныдх придикнгтелеция илеск це бцдр жи(;стя(1 из рЧстдсх( ныоксчт тцо( о исц сспы.(е(:и 51 цз (оцокристз,(,(ичсских з 0 .рс хи ,(х (,.(т(жкзх получены пленки .рм;(,(,( .,Ь 1 мература подложек и( ции (.(еок сотзвляет 200 или 1,О (.и(дном (т 5(ниц ос(ждец( ,( .(с к,(;( (с(к( вькоЙ .(; сй Г) по(;(ет(яктся т ц длкск дажс при при.+, (:( значительного мехдцицс(,огс цз(ржци (1 (О"...

Номер патента: 1577364

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Гумаргалиева, Замбахидзе, Моисеев, Семенов, Фидлер, Хачатурова

МПК: C12M 1/00, C12Q 1/00

Метки: биоцида, водонерастворимого, гидрогелевой, нанесения, поверхность, подложки

...дляданной. концентрациибиоцида и в контрольной пробе, ч;- продолжительность выдержки, после которойпроизведен отбор, ч;- кинетический параметр,характеризующий способйость споры образовывать биомассу при данной концентрациибиоцида и,в контроль"ной пробе;Ь, - кинетический параметр,характеризующий удельную гкорость развитиямикроорганизмов наданной питательнойсреде (при -.той концентрации биоцида),ч эК; - константа, характеризующая зависимостьлаг"Фазы от концентрации данного биоцида;К с - константа, характеризующая зависимостьудельной скорости роста грибов от концентрации и численно равная концентрации био"цида, при которой параметр Ь уменьшаетсяв два раза но сравнению с развитием грибов на среде, не содержащей биоцида;С, - концентрация...

Номер патента: 1649389

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Массур, Северинова

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионной, подложки, покрытием, прочности, соединения

...Х от среднего, после чего центрифугируют в герметических пробирках 3 и опре О деляют прочность адгезионного соединения.Испытуемую суспензию 5 наносят на поверхность 2 подложек 1 по ;ГОСТ 9,054-75 слоем 5-10 В . При боль шей толщине слоя наблюдается снижение точности определения н воспроиз- водимости результатов за счет когезии. Подложки 1 с навесками суспензии 5 взвешивают на аналитических весах 20 вставляют их в пробирки 3 и герметизируют пробками 4 . Подложки, повора чивая пробирки 3 устанавливают так, чтобы поверхности 2 с суспензией 5 были нормальны по отношению к оси ро 25 тора центрифуги. Далее центрифугируют суспензию 5 с подложек при скорости 3000 об/мин в течение 5 мин, после чего взвешивают подложки 1 с остатками суспензии....

Номер патента: 1658039

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Кижаев

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионной, подложки, покрытием, прочности, соединения

...графическую зависимость Ч = 1(Р), характеризующую влияние испытуемой жидкой среды на эдгеэионную прочность соединения.Способ осуществляется с помощью роликового адгеэиометра, основной конструкционной особенностью которого является ролик, с которого эдгезив может быть отслоен только под постоянным углом.90 о. Разрушение адгезионного контакта осуществляется под воздействием внешней силы и расклинивающего действия жидкости, Верхним пределом при испытании данным способом является нагрузка, обеспечивающая механическое отслаивание адгезива на воздухе, Для разрушения соединения под воздействием жидкой среды достаточно задавать нагрузки по величине меньше, чем для разрушения на воздухе. При определении нижней границы интервала рабочих нагрузок...

Номер патента: 1675833

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Башлай, Кобызев, Омельченко, Тоцкий

МПК: G03B 27/02, G03B 27/44

Метки: подложки, совмещения, фотошаблона, экспонирования

...валов 38,на которых сидят шарикоподшипники 36(фиг, 2).Подвижная рама 33 вместе с зафиксироО ванным на ней фотошаблоном 22 начинаетколебаться на шарикоподшипниках 36, вращающихся эксцентрично и колеблется дотех пор пока базовые знаки 77 на фотошаблоне 23 не совместятся с базовыми знаками5 в датчике 79 базирования.Механизм совмещения в предлагаемомустройстве аналогичен механизму Я 2 МЗ,859, входящему в установку ЭМ - 552 А,Принцип работы механизма совмеще 0 ния серийной установки ЭМА Я 2 М 3.859основан на преобразовании аналогичныхсигналов фотодиодов, реагирующих на световой поток, проходящий через.базовыезнаки фотошаблона в положительные им 5 пульсы переменной скважности при отсутствии совмещения,фотошаблона с егобазовым положением...

Номер патента: 1681295

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Антонов, Даниленко, Лемещенко, Низамутдинова, Цыганов

МПК: G03C 11/24

Метки: адгезионного, желатиновых, подложки, полиэтилентерефталатной, слоев, удаления, фотоматериалов, эмульсионного

...подслоя - 354%-ным раствором гидроксида натрия при80 С в течение 120 мин,П р и м е р 3. Отличие от примера 1состоит в том, что для удаления эмульсионного слоя отходы обрабатывают 0,08%-ным 40раствором нейтральной протеазы при 45 Св течение 28 мин, а для удаления подслоя -3%-ным раствором гидроксида натрия при60 С в течение 90 мин.П р и м е р 4 (сравнительный). Отличие 45от примера 1 состоит в том, что для удаленияэмульсионного слоя отходы обрабатывают0,01%-ным раствором нейтральной протеазы при 45 С в течение 35 мин, а для удаления подслоя 4%-ным раствором гидроксида 50натрия при 80 С в течение 140 мин.П р и м е р 5 (сравнительный), Отличиеот примера 1 состоит в том, что для удаленияэмульсионного слоя отходы обрабатывают0,1%-ным...

Номер патента: 1681335

Опубликовано: 30.09.1991

Автор: Однолько

МПК: G11C 7/00

Метки: подложки, смещения, формирователь

...Напряжение в узле 15 равно пороговому напряжению МДП-транзистора, При переходе напряжения на входе 2 на низкий уровень, а на входе 3 на высокий напряжение узлов 14 и 15 меняется, Напряжение в.узле 14 повышается через емкостную связь с входом 3, транзистор 7 открывается, напряжение узла 15 через емкостную связь с входом 2 понижается и устанавливается равным напряжению выхода 4. При этом на выходе 4 "закачивается" отрицательный заряд. При1681335 оставитель С.Королеехред М. Моргентал Корректор С.Черни РедакторА.Лежни аказ 3314 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыти113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 при ГКНТ СССР оиэводственно-издательский комбинат "Патент", г; Ужгород, ул. Га 10 изменении напряжения на...

Номер патента: 1611158

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Самойлиди

МПК: G03F 7/20, H01L 21/312

Метки: маске, подложки, проводящего, рисунка, рисунком, совмещения

...поверхности другого совмещаемого обьекта ортогонально оси прецессии первого угол между плоскостями, а следовательно, и емкость конденсатора, будут постоянными по времени, цто позволяет использовать для измеоений мостиковую схему.Схема 9 узла контроля непараллельности рабочих поверхностей маски 1 и подложки 2 и микрозазора между ними постоянно следит за меняющейся емкостью конденсатора и совместно с блоком 3 обработки и управления вырабатывает и подает управляющие сигналы на двигатели б, добиваясь при этом такого положения подложки 2, когда величина электрической емкости конденсатора равна определенной наперед заданной велицине (эталонной емкости) и величина ее изменений отклонений от эталонной величины) за период прецессии ми...

Номер патента: 1501759

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Самойлиди

МПК: G03F 9/00

Метки: маски, подложки, рисунка, рисунком, совмещения

...кремния, легированного бор2-3 мкм. Топологический рису6 на маске 3 выполнены из слощиной 0,6 мкм, Каждая меткамер 5 х 200 мкм.На подложке 1 формвиде чередующихся полслоев противоположного1501759 вского излучения, и величина электрического тока, протекающего через метки 5, минимальна.П р и м е р 2. Все операции выполняют как в примере 1. Метки 5 на подложке 1 выполняют в виде многослойной структуры, состоящей из чередующихся проводящих и пепроводящих слоев. В частности, такая структура может состоять из слоя кремния, разделенного с кремниевой подложкой слоем окиси кремния толщиной 30-40 А. Составитель В.Рубцов Редактор Н.Каменская Техред М.Моргентал Корректор М.ДемчикЗаказ 4644 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1618158

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Генцелев

МПК: G03F 7/20, H01L 21/31

Метки: маске, подложки, рисунка, рисунком, совмещения

...критическому углу, соответствующему явлению полного внутреннего отражения электромагнитного излученияот границы рабочая поверхность маски -вакуум зазора.Для получения максимальной интенсивности излучения на выходе каждого светопровода угол 3 между ограничивающимиплоскостями призм 8 определен из законаСнелла/3 = дГС 1 П (П 1/П 2 З 1 ПГХ)где п 1 и п 2 - соответственно показателипреломления материала маски 1 и подложки2.Нормальчое по отношению к входнымграням призм 7 направление хода электромагнитного излучения от источника 5 задают оптическим блоком 9, расположенным напути хода лучей от источника 5 к призмам 7.Устройство для совмещения рисунка намаске с рисунком подложки работает следующим образом,Излучение от источника 5 падает...

Номер патента: 1529973

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Торопов

МПК: G03F 9/00

Метки: знак, маска, подложки, реперный, рисунка, рисунком, совмещения

...с концами элементов 85 Вр,1, а,01 рсшетки на мд.;ке;лектри- ЯГчески =оединены с третьей контдктой пло,сДКОй ,4 ЛЛЯ ЭТОГО О КРаЯМ МЕТК На ПОДл жхе; ьг ол ены элекгрогроводящие шины 1 О, которые легиродд ы аналогично кд;лам 3 металлические шины 1 Дляизе)ляции легированных шин 10 и летдлл 4 ческих шин 4, 5 между ними мегодом ло,:. нного хл 1 ческого оксид ровд 44 ЯГ,ГРМРОЕ На И.ОЛИРУЮЩДЯ ПЛЕН Д ТОЛсИИ 1 Ой 0 2-0,3 мкм.Уе. дллические шины 4, 5 и 11 сформирогд, ь мегодом сбратной лТогрдфа, имею)толщинь 0.1; м и не 4 зруе;От плоскостно.си поверхности меки.50 1 роводя 4;ие,ч)с; и 14 е) ки нд подложкенд Зее)ивдентне)1 Схем,. (См. фиг 3) Обг;нл 1529973чены сопротивлениями 12-19,которые подключены к двул одинаковым сопротивлениям 20, 21,...

Номер патента: 1595270

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Генцелев

МПК: H01L 21/02

Метки: маске, подложки, рисунка, рисунком, совмещения

...столы 12 и 13 и двигателя 15. управляемые от блока 3 питания и управления, систему приводов и механическую оснастку (на фиг. 1 - 3 не показаны). Еод рентгеновских лучей от точечного источника 16 в случае, когда рентгенонепрозрачная заслонка 17, приводимая в движение двигателем 18, убрана с их пути, показан пунктирными линиями. Блок 3 питания и управления содержитаналого-цифровые преобразователи АЦП) сигналов от схем 8 и 11, ЭВМ "Электрон,.ку", ключи управления шаговьми двигателями 14, 15, 18 и стабилизированные источники питания,Устройство для совмещения рисунка на маске с рисунком подложки работает следующим образом.Маску 1 и подложку 2 устанавливают соответственно на столы 12 и 13 с определенным предварительным микрозазором...

Номер патента: 1329599

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Демиденко, Короткевич, Костюченко, Татаренко

МПК: H05K 1/05

Метки: алюминиевой, гибридных, интегральных, микросхем, подложки

...Г,с Оп Бс.1" (с; яе М.ЛЫХ УС ИЛИИ РЕ ЛЦЛЯ и ОСя-, л- З- ги заусенцев ца кромках Применение з(Р 1 Т 11;слс гл 1 л (снов Ве Орто)ос(0 орОЙ ки(сит;1 Обе псив л "ет высо-(ую скорост рзг гл лц элц( го окисл; Г ; менее 0 э м:,г м-,ц) . -,б рлзовацяе структуры Оксилс (. Пор и болспого диаметра (тэ 1 ОГ)Г ,)ЗлПОЛЦЕЕИ" 1 ОР ПОЛ 1 Ы(гСЧм П;КОМ ЯО" ЗВОЛЯРТ ПОСЪСГИТЬ т(П 1 О(. Та 1 о.Ь ЗОЛ ПОЖЕК УЛУЧ 1 ИТЬ ЛР К 1 ССЭч Г РОБОТЯЩИХРРЗПСТИВЦ,СХ : г: с, УЦ г 11- 15 ть пл-сскостцо т 1, .Опсчс,(иП р "1 м е р. 11 одложя и. епг лсэа М 11 2 р заме)эом:ОЪ 8 "Я т.:1 Г 0,8-2,2 м обезжирисэлп э гс; .чсогл растворе, содержлщам .с(1 с цл р я трицлтряй 1 ОГ(сэат., приКцлсят , т Г,;ячей и холодной поде, сСе ег(; тепморихлуют г:.ри темп.ажуре 511 1( я усилии:жатия...

Номер патента: 1385932

Опубликовано: 15.12.1991

Автор: Мягконосов

МПК: B05C 5/00, G03C 1/74, H01L 21/312 ...

Метки: нанесения, подложки, слоя, фоторезиста

...в сосуд 1, Держатель .6 с подложками 7 закрепляют посредством кронштейна 8 на крьппке 2, которую уста иавливают на сосуд 1. Затем открывагот клапан 5 в трубопроводе 14; клапан 17 в трубопроводе 16 подачи сжатого газа и, создавая давление в реВерсивном баке(1,5-2,0) х 10 Па, подают в сосуд 1 жидкость 4,контролируя ее уровень по указателю 19 уровня. При подъеме уровня жидкости 4 в сосуде 1 нанна 9 с Фаторезистом 1 О также поднимается и при достижении заданного уровня жидкости 4 подложки 7 полностью погружаются в Фоторезист 10, После этого закрывагот клапаны 15 и 17, открывагот клапан 18, устаиавлггвая в реверсивном. баке 11 давление, равное атмосферному, и герметизируют сосуд 1 прижатием крьппки 2 к.уплотнению 3, Затеи открывают клапан...

Номер патента: 1697912

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Горбань, Шереметьев

МПК: B08B 7/04

Метки: металлической, подложки, слоя, удаления, фотополимерного

...осуществляют путем пропускания через подложку импульса электрического тока длительностью 1-2 с с амплитудой, достаточной для газовыделе1697912 их месте островки золы впоследствии при необходимости могут быть легко удалены механическим путем. Получают рекуперированный стальной скрап, освобожденный от слоя полимера, В качестве отходов получают остатки полимерного материала в виде бесформенных осколков, общая масса которых составляет около 70 - 80; от первоначальной массы слоя, а также твердые продукты сгорания в виде золы и ококсовавшихся мелких частиц полимеров, и газообразные продукты сгорания, в состав которых входит углекислый гаэ и пары воды,Составитель А.ОжередовТехред М.Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор О.Спесивых Заказ 4349...

Номер патента: 1701509

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Вавакин, Кудряшов, Мартынов

МПК: B25B 11/00

Метки: подложки, сборки, склеиваемых, состоящих

...7 и поперечные пазы 8 25на противолежащих сторонах 9 и 10Устройство снабжено опорной и под,пружиненной к ней планками 11 и 12 со,ответственно, каждая из которых закреплена на стороне с пазами соответстнующей стойки, двумя гребенчатымипружинами 13 и 14, проходящими черезпрорези 7 стоек 3 и 4 и закрепленнымина последних с возможностью продольного перемещения, и фиксатором торцов 35подложки в ниде самоустанавливающихсясухарей 15 и 16 и эксцентрика 17, закрепленного на оси 18, проходящей черезоснование 2,Устройство имеет упорные винты 19 40для предварительного закрепления подложки. Боковые стойки 3 и 4 крепятсяк основанию 2 при помощи шпилек 20 игаек 21. Для продольного перемещениягребенчатых пружин 13 и 14 устройство 45снабжено...

Номер патента: 1736625

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Арбузова, Гарин, Гридин, Павлов, Черепашкин

МПК: B05C 5/02

Метки: подложки, транспортирования

...пара 4-5 согласует линейную скорость вакуум-барабана со скоростью подложки на поливном валу, Из петли 3 подложка поступает на ребордный валик 10 под действием натяжения, развиваемого поливным валом 2 и преодолевающего вес подложки в "свободной" петле 3. Подложка прижимается к обечайке 17 поливного вала под действием перепада давления, развиваемого в полости 20, сообщающейся с системой создания разрежения. Обечайка .17 приводится во вращение от приводного валика 24 через фрикционную передачу, формируемую между ним и кольцами 25 из эластичного материала. Усилие прижатия подложки 7 к . поверхности обечайки по дуге, определяемой положением стенок 21 вакуумной полости, при вращении обечайки обуславливает возникновение силы трения,...

Номер патента: 1744690

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната

...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...

Номер патента: 818201

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Арифов, Кельберт, Розенблюм, Фахретдинов, Эстерлис

МПК: C23C 14/24

Метки: вакуумных, нанесения, поверхностью, подложки, покрытий, развитой

...за счет адсорбции ф атомов инертного газа,Целью изобретения является улучшение качества покрытия, "ееаеУказаннаяцель достигается спосо" бом нанесения вакуумных покрытий на подложки с развитой поверхностью, включающим создание атомарного потока наносимого материала его термическим испарением, рассеяние атомарного потока осуществляют путем термического испарения неравномерно нагретого на, 818201 СоставительТехред И.Моргентал Корректор 0 КравцоваТираж Подписноекомитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Редактор Е,ГиринскаяЗаказ ч 574ВНИИПИ Государственного113035,Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 носимого материала и осаждение егона подложку,При...

Номер патента: 1784868

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Волков, Колпаков

МПК: G01N 13/02

Метки: поверхности, подложки, чистоты

...частей,т.о, процесс измерения чистоты станет невозможн ы м.Если высота падения капли на исследуемую поверхность будет меньше величины1,4 О, то капля или касается поверхностиподложки или находится на таком маломрасстоянии, что силы поверхностного потенциала будут пригибать каплю и влиять на 25величину капли, искажая измеренияНа фиг.1 представлена схема устройства для определения чистоты поверхностиподложки; на фиг,2 - калибровочная эависимость скорости растекания капли воды по поверхности подложки от концентрации атомов примеси на поверхности подложки.Устройство (фиг.1) содержит фотоприемник, регистрирующий количество светового потока, прошедшего через прозрачную подлокку 2 и капл 1 о 3 жидкости или фото- приемник 4, если...

Номер патента: 1793014

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: C30B 29/28

Метки: знака, параметров, пленки, подложки, рассогласования, решетки, эпитаксиальной

...видиподлокки относительно неподвикного раствора-расплава. В случае синтеза монокристаллических материалов в виде твердыхрастворов типа ферритгранатов(ЫВ)з(ГеОа)в 012, где замещение внутрипар ионово-В 1 и Ге-Оа осуществляетсяпрактически неограниченно, имеет местозаметное влияние скорости роста Х на величины приведенных коэффициентов распределения 10К(1 о/В)- (-в 1 ВЬ(ба)ж (Ре 1 тгде в квадратных скобках указаны концентрации компонентов в твердой (т) и жидкой(ж) фазах соответственно,Для величин коэффициентов распрееления всегда выполняются соотношения;К( ц/В ) 1;К(.а/Ге)1,Кроме того, при увеличении скоростироста значения К(1 ц/В) и К(Са/Ре) всегдастремятся к единице.Таким образом., на периферии пленкиконцентрации (Бг и (РеЪ всегда выше...

Номер патента: 1797086

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Арбузова, Бусыгин, Гарин, Павлов, Черепашкин

МПК: B05C 5/02, G03C 1/74

Метки: подложки, поливе, слоев, студенении, транспортирования, фотоэмульсионных

...с одной стороны со стабилизированным приводом, а с другой - с тормозом с постоянным моментом сопротивления, Другое отличие состоит в том, что перед тормозным вакуумным барабаном с постоянным моментом сопротивления дополнительного компенсатора линейной скорости подложки установлен ребордный валик. Установка тормозного вакуум-барабана на выходе из "свободной петли" перед ПВ дает возможность, с одной стороны, устанавливать любое необходимое натяжение подложки в ТП и вертикальной секции студенения и, с другой, выполнить "свободную петлю" в виде свободно провисающего под действием силы тяжести участка подложки. Такая петля обладает практически нулевой жесткостью и полностью предотвращает передачу механических возмущений с участка размотки в...