Патенты с меткой «подложки»

Номер патента: 975426

Опубликовано: 23.11.1982

Автор: Кетерлинг

МПК: B29C 29/00

Метки: отделения, подложки, полимерного

...Использование изобретения позволитболее качественно отделять полимерныйматериал от бумажной основы, котораяпредназначена для дальнейшего промышленного использования,1 О 3На фиг.,1 схематически изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сбоку.Устройство содержит барабан 1 с приводом вращения (не изображен), направляющий стол 2, прижимной ролик3, скребок 4, смонтированный по наружной поверхности барабана 1, лоток (не изображен), нагреватели 8 в виде трубок, в которые подается пар, установленные в верхней части барабана 1. Средства охлаждения выполнены в виде йатрубков 6 для подвода охлаждающей жидкости, расположенных в нижней части барабана 1. Разделительный ролик 15 7 размещен между подложкой 8 и барабаном Х. Для намотки...

Номер патента: 989446

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Гордеев, Даирова, Зарецкас, Козин, Крылов, Лепесов, Нагибин, Чен

МПК: G01N 27/48

Метки: взаимодействия, жидкометаллического, металлической, параметров, подложки, покрытия

...известный способ недостаточно надежен, так как при определении качества покрытия твердометаллических поверхностей жидким возникают ошибки, обусловленные небольшой разнипей в измеряемых величинах корроэионного тока у по крытых жидким металлом и непокрытых образцов (величина тока для покрытого образца всего в 1,3 раза меньше величины тока для непокрытого образца).Кроме того, известный способ сложен в расчетах и длителен (на проведение измерений требуется 1,5-2 ч).(ото. жженныйобразец) 120 70 20 20 Как следует из таблицы, качество покрытия подложки ртутью определяют по величине тока через 2-3 мин после за 25 мыкания. В случае больших величин тока (3560-380 мкА/см ) подложка покрыта2ртутью не полностью, если же величина тока невелика (20...

Номер патента: 1007764

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Белицкая, Белицкий, Лазаренко, Мервинский, Николайчук, Яхимович

МПК: B08B 3/10

Метки: металлической, подложки, слоя, удаления, фотополимерного

...температуре.П р и м е р 1 (прототип). Фото" полимерная печатная форма на основе ацетосукцината целлюлозы после печатания тиража укладывается в ванну с 1-ным раствором едкого натра, подогретым до 45 С. После выдерживания в течение 60 .мин фотополимерный слой отделяется от металлической подложки протиранием металлической щеткой в течение 5 мин. На металли 5 10 ческой подложке после промывания водой обнаружены очаги коррозии.П р и м е р 2 (известный).Фотополимерная печатная форма на основе ацетосукцината целлюлозы подвергается кипячению в водопроводной воде на протяжении 80-100 мин, после чего фотополимерный слой частично отделяется от металлической подложки немедленным протиранием с усилием металлической щеткой в течение 10-15 мин.П р...

Номер патента: 367747

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Златковская, Китаев, Плоских, Чернышева

МПК: C25D 5/54

Метки: диэлектрик-металл, комбинированной, металлизации, поверхности, подложки

...получения покрытия, прочно сцеплен- .ного как с диэлектриком, так и сметаллом. При этом полученное электрическое покрытие обладает стабильными электрофизическими и механическими свойствами,Сущность предложенного способазаключается в том, что после сенсибилизации изделие , выполненноеиз диэлектрика и металла, активируют в растворе хлористого палладия. В процессе активации на поверхности изделия контактно оседаетпленка металлического палладия.Эта пленка имеет хорошее сцепление с поверхностью диэлектрическойчасти подложки и обладает стабильной электропроводностью (от десятых долей ома до десятков ом), достаточной для непосредственного осуществления электрохимического про,цесса наращивания металлическогослоя до необходимой толщины.Вместо...

Номер патента: 1022270

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Попова, Свердлов

МПК: H02M 7/217

Метки: интегральной, подложки, смещения, схемы

...конденсатора является уменьшение напряжения смещения, вырабативаемого схемой.Цель изобретения - увеличение на" пряжения смещения подложки; Указанная цель достигается тем,что в устройство автоматическогосмещения подложки интегральной схемы,содержащее источник управляющих импульсов, соединенный с инвертором накопительный конденсатор, включенныймежду выходом инвертора и стокомтранзистора заряда и дополнительныйтранзистор, включенный между стокомтранзистора заряда и подложкой интегральной схемы, введены дополнительный конденсатор и резистор, включенные последовательно, точка их соединения подключена к затвору дополнительного транзистора, а другие выводыконденсатора и резистора соединенысоответственно с источником управляющих...

Номер патента: 1027654

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Гурылев, Дикушин, Зюзин, Ковешников, Лопухин, Шумилин

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: больших, интегральных, подложки, схем

...соответственно к шестому выходу перво го бпока 1 управления и к выходу блока 2 представления первичной информации, а первый выход - к второму входу анализатора 3 годности, бпок 8 установки в исходное состояние, два входа которого З подключены соответственно к седьмому выходу первого блока 1 управления и второму выходу биока 7 управляемого сопоставления, два выхода - к первому входу первого блока 1 управиения и третьему входу биока 7 управляемого сопоставления, мультиплексор 9, три первых входа которого подключены соответственно к восьмому выходу первого блока 1 управления, выходу анализатора 3 годности и второму выходу блока 5 сравнения, а первый выход - к третьему входу блока 5 сравнения, второй блок 10 управления, первые два входа...

Номер патента: 1035844

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Былкина, Морозов, Розыев

МПК: H05K 3/00

Метки: нанесения, подложки, фоторезиста

...зазор экрана 40с подложкой некруглой формы по еепериметру.Наиболее близким к предлагаемомупо технической сущности являетсяустройство для нанесения фоторезиста 45иа подложки, содержащее центрифугусо столиком для размещения подложкии съемный экран, расположенный наупорах над столиком центрифуги 2,.Однако это устройство также непозволяет получить высокое качество.изделий, так как не устраняет полностью краевое утолщение слоя фотореаиста, обусловленное силами поверхностного натяжения.Цель изобретения - повышение качества изделий. Указанная цель достигается тем, что в устройстве для нанесения Фоторезиста на подложки содержащем центрифугу со столиком для размещения подложки и съемный экран, расположенный на упорах над столиком центрифуги...

Номер патента: 1046734

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Гревцев, Гриценко, Сажнев

МПК: G03F 9/00

Метки: знак, маски, подложки, реперный, рисунка, рисунком, совмещения

...знак 5 - для совмещения по углу М . Далее накладываютмаску на подложку таким образом,чтобы квадраты реперных знаковчастично перекрывались, и освещают ихкогерентным излучением, напримерлазерным лучом. Затем проводят собственно процесс совмещения путем грубой и точной ориентации маски иподложки.Процесс грубой ориентации осуществляют по принципу сравнения площадей периферийных участков 3 наподложке, неперекрытых квадратоммаски, Поскольку интенсивность дифрагированного излучения пропорциональна освещаемой световым пучком площади этой решетки, то величину смещения ДХ, ЬУ, йУцентров квадратовна маске (01)и подложке (02)можноопределить, измеряя Фотоприемникамии сравнивая интенсинность излучения, .дифрагированного на периферийныхучастках 3 в...

Номер патента: 1101475

Опубликовано: 07.07.1984

Автор: Ряхин

МПК: C23C 13/00

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

...оценки результата визуального контроля, в связи с чем достоверность получаемых результатов мала. Кроме того, способ неприменим к гидрофобным по верхностям. цветовой окраски чистых и загрязненных участков поверхности.Фиг. 1-4 иллюстрируют достоверность определения чистоты поверхности контрольных подложек согласно предлагаемому способу.П р и м е р. Определение чистоты поверхности проводилось на подложках из керамического материала М, применяемых в производстве основных типов тонкопленочных цилиндрических резисторов: МЛТ, ОМЛТ, С 2-13, С 2-14, С 2-29 В, С 2-36, С 2-50 и др. Керамические подложки специально загрязнялись различными способами для возможности оценки объективности предлагаемого способа.Анализируемые цилиндрические...

Номер патента: 1108520

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Ильин, Конев, Медведев, Пиголицин

МПК: H01G 13/02

Метки: керамической, отделения, пленки, подложки

...роликом 12 и поджатым к его образующей поверхности с возможностью взаимодействия между собой при пропускании 50 между ними подложки 5, сматываемой со шпинделя 2 в бобину 14 в направлении; противоположном ходу перемещения подложки 5 с керамической пленкой 4, сматываемой в бобину 15. 55 Направляющие прижимные ролики 12 и 13 служат для уравнивания скоростей перематываемых лент пленки и под 520 4ложки в месте отделения пленки при изменении диаметров бобин.Уравнивание скоростей перематываемых лент пленки с подложкой и отделяемой пленки происходит за счет их прижатия между прижимными направляющими роликами - основным 12 и дополнительным 13 и промежуточным барабаном 6, определяющим скорость перемотки, так как этот барабан связан с приводным...

Номер патента: 1135728

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Векслер, Голуб, Ларионов, Мецик, Тимощенко

МПК: C03C 17/06

Метки: подложки, ситалла

...не пригоденЦелью изобретения являетсй увеличение, сил адгезионнай связи пленок с поверхноствю ситалла. Наставленная цель достигается тем, что согласна способу обработки подложки из ситалла перед вакуумным у напылением тонких пленок путем термообработки, одну сторону подложки нагревают.до 220-250 С в течение 10-15 мин, охлаждая одновременно другую для создания градиента температур 4-5 10 град/м, затем подложку охлаждают на воздухе до комнатнойтемпературы; 3Предлагаемую обработку производятна воздухе в специальном устройстве,отделенном от напыляемой камеры,Обработка увеличивает электрическуюактивность подложек, а такое активи.рованное состояние подложек сохраняется .скопь угодно долго.Предлагаемый, способ обработкине искЛючает, а дополняет...

Номер патента: 1144075

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Зейликович, Платонов, Спорник

МПК: G02B 5/32

Метки: аберраций, голограммы, компенсации, подложки

...плоскость держателя голограммы.10 борачивающий элемент, может быть выполнен здесь, например, в виде плоского зеркала 2 .Существенным недостатком такогоустройства является низкая дифрак 35ционная эффективность голограммывследствие взаимной интерференции наголограмме трех .волн - падающей сигнальной, сигнальной, отразившейсяот оборачивающего оптического элемента, и опорной волны. Таким образом,на голограмме регулируются три голографические решетки и ее дифракцион"ная эффективность в 3 -9 раз меньше,2,чем дифракционнаа эффективность голограммы, на которой зарегистрированаодна решетка.Цель изобретения - увеличение дифракционной эффективности голограммыПоставленная цель достигается тем,что в устройстве для компенсацииаберраций подложки...

Номер патента: 1149311

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Лушников, Минков, Однолько, Романов

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральных, подложки, сигнала, смещения, схем, формирователь

...подключены соответственно к первой 12, второй 15 и третьей 16 входным шинам, затвор погрузочного транзистора 8 соединен с третьей входной шиной 16, затвор и сток другого порогового ф транзистора 6 соединен с истоком нагрузочного транзистора 8,Формирователь сигнала напряжения смещения подложки работает при подаче последовательности импульсов напряжения одинаковой частоты на входные шины 12, 15, 16 с временными соотношениями, указанными на фиг. 2. Начала фронтов на первой и второй входных шинах 12 и 15 совпадают, фазы противоположны.Импульс на третьей входной шине 16 опережает импульс на первой входной шине 2 на время 1, равное 0,25 - 0,1 от периода следования импульсов.Импульсы должны иметь амплитуду, превышающую по крайней мере в...

Номер патента: 695433

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Зайцев, Кадомский, Свиридов

МПК: G03B 27/20, H01L 21/68

Метки: подложки, рисунков, совмещения, фотошаблона

...систему, манипулятор совмещения, держатель фотошаблона, столик для подложки, механизм образования микрозазора, калибратор с базовыми упорами со стороны.подложки, выполненный с воэможностьюгоризонтальных перемещений иа базо 1 вых упорах калибратора выполненывакуумные прихваты, а на его обратнойстороне - дополнительные базовыеупоры, параллельные первым, причемкалибратор выполнен с возможностьювзаимодействия с механизмом созданиямикрозаэора, в который введен узелкомпенсации толщины калибратора,выполненный, преимущественно, в видекулачка со ступенью подъема, имеющей высоту, равную толщине калибратора.На фиг. 1 представлен общий видустройства для совмещения рисунковподложки и фотошаблона; на фиг. 2 развертка рабочей поверхности кулачка....

Номер патента: 1151916

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Вишин, Воробьев, Кудрявцев

МПК: G03D 3/12

Метки: нанесении, подложки, транспортирования, фотослоев

...вала между вакуумными камерами.При таком исполнении .устройства колебания скорости подложки в зоне нанесенияфотослоев не возникают даже при биенииповерхности вала, неизбежной при изготов 51916 30 35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 2ленни. Это достигается за счет того, что колебания скорости, вызываемые биением, в зонах вакуум-камер, расположенных диаметрально противоположно, практически равны по величине и обратны по знаку и поэтому в зоне нанесения слоев они, суммируясь, взаимно уничтожаются, и скорость подложки в этой зоне остается стабильной.На фиг. 1 дана принципиальная схема устройства; на фиг. 2 - поливной вал, продольный разрез; на фиг, 3 - сечение А - А на фиг, 2; на фиг, 4 - вариант исполнения сечения А - А на фиг. 2.Устройство...

Номер патента: 1185664

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Петухов, Рутберг

МПК: H05K 7/02

Метки: керамической, конструкция, корпусом, подложки, прибора, соединения

...состоящаяиз нескольких микрополосковых плат, соединенных с металлическим основанием и с корпусом.В зоне соединения керамической подложки 1, покрытой металлическим слоем 2, сметаллическим основанием 3 помещают двухслойную прокладку, которую выполняют излиста фольги 4, припаеваемого к керамической подложке 1 по всей площади ееэкранной поверхности, и слоя эластичногоадгезионного материала 5, например герметика ВГО, соединенного с фольгой 4 иоснованием 3. Лист фольги 4 выступает на4-10 мм за размеры керамической подложки 1по всей ее периферии.Подложку 1 с припаянной фольгой 4 прижимают к основанию 3, на котором размещен адгезионный материал 5, и послевулканизации края фольги загибают в сторону керамической подложки, полученныйузел помещают...

Номер патента: 1185396

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Бочков, Кузнецова, Однолько

МПК: G11C 11/40, G11C 7/00

Метки: интегральных, подложки, смещения, схем, формировтель

...смещенияподложки содержит входной транзистор 1, управляющий транзистор 2,нагруэочный транзистор 3, выходной 15, транзистор 4 и ключевые транзисторы 5 и 6, конденсатор 7, дополнительный конденсатор 8, информационныйвход (шину) 9, управляющий вход (шину) 10, общую шину 11, шину 12 питания, выходную шину 13,Формирователь работает следующимобразом.В исходном состоянии на шине 10 -высокий потенциал, а на шине 9 - ниэ кий. Напряжение на истоке транзистора 2 равно Ц напряжение на истоке транзистора 3 Нт 1 пороговое напряжение транзистора 4). Конденсатор 7 заряжен до напряжения 30Ноак (Нвк 3 Лт), На затворе транзистора 3 - отрицательное напряжение,но не ниже Ч -Ч , транзистор 3 закрыт.Затем на шину 9 подают низкийпотенциал, а на шину 10 -...

Номер патента: 1210913

Опубликовано: 15.02.1986

Автор: Шевченко

МПК: B05C 5/02

Метки: гибкие, нанесения, подложки, покрытия, фотографического

...с системой ваку ум-отсоса 1 не показана), огряницеца спереди стеной 8, а сверху закрыта крышкой 9, которая, кроме того, прикрывает часть вакуумной камеры 5 и расположена от опорного вала 2 с зазором 10.Устройство снабжено пластиной 11, которая закреплена на перегородке 7 короба 4 цод крышкой 9, под ее участком 12, который частично перекрывает вакуумную камеру 5. Между крышкой 9 и пластиной 11 установлен распорный элемент 13, крышка 9 с пластиной 11 соединены винтами 14, а зазор между крышкой и пластиной образует канал 15, сообщающий между собойвакуумную камеру 5 и предкамеру 6. Крышка кренится с помощью виц)тов 16к наклонным плоскостям 17 и 18 перегородки 7 и стенки 8. Головка 1 устанавливается от подложки 3 с зазором...

Номер патента: 1211825

Опубликовано: 15.02.1986

Автор: Хан

МПК: H01J 37/30

Метки: корпускулярного, облучения, подложки

...чтоприводит к простою, в течение которого облучение не производится.Для того, чтобы создавать изменяемые рисунки облучения и с высокой скоростью, было предложено,как представлено на фиг.2, воздействовать на поле излучения,электрической или магнитной силойс целью изменения его Формы,и величины. Рисунок в соответствии сустанавливаемыми преимущественнопрямоугольными сечениями пучка мозаично разделяется, и облучениепроизводится согласно соответствующей управляющей программезадающей положение, форму и величину импульсов тока на мишени, Так какмозаичное облучение производитсяпоследовательно, отдельное облучениедолжно быть очень коротким (1 микросекунда), и тем самым является незначительным по сравнению с временемустановки отклоняющих систем,...

Номер патента: 1229658

Опубликовано: 07.05.1986

Авторы: Алейникова, Корпусов, Михович, Муллер, Топоров

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионного, аэрозоля, взаимодействия, параметров, поверхностью, подложки, частиц

...), элЕктрически связаннойс Фильтром 7. В трубе 1 напротивподложки ) выполнено смотровое окно 9,Устройство работает следующимобразом,В аэродинамической трубе 1 с помощью вентилятора 2 создают воздушный поток, Вводят в воздушный потокчастицы аэрозоля, полученные распылением высокодисерсных порошков вгенераторе 5 и нейтрализованные внейтрализаторе 6 источника 4 аэрозоля. Воздушный поток аэродинамической трубы 1 подхватывает частицы аэрозоля ч они соударяются с поверхнос-тью подложки 3. Постепенно увеличивают скорость потока частиц аэрозоля.При малой скорости потока частицыаэрозоля оседают на поверхности подложки ). При увеличении скоростичастицы аэрозоля начинают отскакиватьот поверхности подложки ) и попадать на Фильтр 7. Начало...

Номер патента: 1247730

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Почежерцев, Пузанов, Пяткова

МПК: G01N 23/203

Метки: взаимной, гетероэпитаксиальной, кристаллических, ориентации, пленки, подложки, решеток

...рассеяние 5 на большой угол ядрами атомов одного сорта. Чем выше энергия, тем ближе к поверхности произошел акт рассеяния, Разрешение по глубине определяется энергетическим разрешением спектрометрической системы, тормозной способностью вещества мишени и геометрией рассеяния. При энергии ионов 0,5 МэВ/нуклон для большинства веществ легко достижимо разрешение по 15 глубине 0,01 мкм. Имея в наличии совокупность спектров обратнорассеянных ионов, измеренных при различных углах 6 между направлением регистрации и кристаллографическим направле нием, строят зависимость х(9) для выбранного интервала глубин рассеяния (= сопят).Такая зависимость для образца 1 пР/СаАз имеет вид, показанный на 25 фиг,3. Значение угла 8, при котором . х(В) = х ,...

Номер патента: 1278320

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Великанова, Левина, Литвинов, Метельников, Троицкий, Фурман, Хентов

МПК: C03C 17/22

Метки: подложки, покрытий, снятия, состав, стеклянной

...до 98-100 С, Образцы из стекла Кили кварца с много слойным покрытиями, включающими 1 - 20 слоев покрытий (толщина покрытия 0,2-15 мкм), опускают в ванну с приготовленным составом и фиксируют время полного удаления окси дов. Обработанные образцы промываются в разбавленной соляной или серной кислоте и в проточной воде. Опреде ляют чистоту (Р) измерением коэффициента отражения от поверхности 50 стекла на спектрофотометрв и качество полированной поверхности визуальным методом с.помощью 40-кратной лупы (черный Фон).П р и м е р 1. Используют состав,содержащий, мас,7; 307,-ный гидроксид калия 98,5; ПАВ ОП1,5, и обрабатывают оптическую деталь Кс мноалов,Цель изобретейия - обеспечениеудаления многослойных покрытий типа2 гО -Б 10 , НГО -Б...

Номер патента: 965248

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Губич, Лифлянд, Мазаник

МПК: B05C 1/02, H01L 21/70

Метки: гибридных, интегральных, кристаллов, подложки, преимущественно, схем, установки

...механизма подачи и установки кристаллов.Устройство работает следующим образом. 40 45 50 55 На фиг.1 изображено предлагаемое устройство; на фиг.2 - узел Т на фиг.1; на фиг.3 -то же, нанесение клея; на фиг.4 - вид А на Фиг.2.Устройство содержит подвижное основание 1, на котором установлены координатный столик 2 для подложек 3 и координатный столик 4 для кристаллов 5, и механизм 6 для нанесения клея, включающий установленную с возможностью вращения при помощи привода 7 ванночку 8 для клея. Над ванночкой8 для клея неподвижно установленакрышка 9, на которой закреплен скребок 10 для формирования слоя клеяна дне ванночки, установленный с зазором относительно дна ванночки, величину которого можно регулировать. В дне ванночки выполнена кольцевая...

Номер патента: 1310229

Опубликовано: 15.05.1987

Авторы: Демченко, Кетерлинг

МПК: B29B 17/02

Метки: отделения, подложки, полимерного

...содержащий полиэтилен. 5Цель изобретения - повышение производительности устройства за счет увеличения зоны нагрева и охлаждения полимерного материала.На чертеже схематически представленоо предлагаемое устройство.Устройство для отделения полимерного материала от подложки содержит опорный барабан 1 с установленными в его верхней части нагревателями 2 и смонтированным по его наружной поверхности скребком 3. Устройство содержит также привод вращения (не показан) опорного барабана 1, прижимной ролик 4, разделительный ролик 5 и сре/яства охлаждения. Устройство снабжено подающим орагном и дополнительными нагревателями 6. Средства охлаждения выполнены в виде по меньшей мере двух охлаждающих барабанов 7 и 8. Последние смонтированы с зазором...

Номер патента: 1322374

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Земцовский, Однолько

МПК: G11C 11/40, G11C 7/00

Метки: интегральных, подложки, смещения, схем, формирователь

...низкий потенциал, и на информационную шину 1 О входа - высокий потенциал.По причине емкостной связи напряжение на истоке второго порогового транзистора 2 становится отрицательным, при этом напряжение на затворе второго порогового транзистора 2 становится больше, чем Гвв+Г транзистор 2 открывается и происходит выравнивание напряжений истока второго порогового транзистора 2 и информационного выхода 13. В конце переходного процесса устанавливается напряжение на затворе второго порогового транзистора 2, равное Г, +Г, за счет третьего порогового транзистора 3, а на истоке второго порогового транзистора 2 - напряжение, равное ГавТаким образом, конденсатор 6 смещения заряжен до напряжения Г-н=Гэв(Заряд в подложке равен Я = ( К.1 кон ) С= (Гв 1...

Номер патента: 1326429

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Александров, Евсеева, Правдиченко

МПК: B29B 17/02

Метки: отделения, подложки, полимерного

...материалов, например типа стералкон или ламистер, которые состоят из алюминиевой фольги толщиной 50 - 150 мкм, покрытой с одной стороны лаком, а с другой - полипропиленовой пленкой толщиной 20 - 10 мкм. Поли-, пропиленовая пленка приклеивается к фолы е методом сухого каширования полиуретановым клеем.Цель изобретения - уменьшение усилия отделения полипропиленовой пленки от алюминиевой фольги, соединенных полиуретановым клеем.Слоистый материал типа стералкон, ламистер, состоящий из алюминиевой фольги и приклееной к нему полиуретановым клеем полипропиленовой пленки, помещают в рабочую среду - воду, нагретую до температуры не менее 95 С. При такой температуре усилие, прикладываемое к материалу для его разделения, уменьшается прак тически...

Номер патента: 1397087

Опубликовано: 23.05.1988

Автор: Кириенко

МПК: B05C 5/02

Метки: гибкие, нанесения, подложки, покрытий, экструзионное

...вакуумнуюкамеру 2 через сливное отверстие.Во время увеличения разреженияв вакуумной камере 2 нижняя поверхность жидкостной перемычки между55щелевой головкой 1 и подложкой 12увеличивает свою кривизну (фиг. 3),объем перемычки увеличивается, поглощая часть жидкости из того расхода, который должен попасть на подложку, что должно привести к уменьшению толщины слоя покрытия на подложке. Однако в это же время иэ-за увеличившегося разрежения вполости жесткой корОбки 7 (фиг.1 и 2) возрастает перепад давлений на эластичной крышке 8. Последняя перемещается вниз, сжимая емкость 6. При этом из последней выталкивается дополнительная порция материала покрытия, расход в головке увеличивается, компенсируя то уменьшение расхода, которое произошло из-за...

Номер патента: 1408424

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральной, подложки, смещения, схемы

...соединен с обидней шиной 5, а затвор - с его стоком, вход инвертора соединен с первой шиной 6 управляющих импульсов, сток транзистора 4 заряда - с подложкой 7 ИС через МДП- транзистор 8 разряда, затвор которого соединен с второй шиной 9 управляющих импульсов, второй вывод конденсатора 3 - с эмиттером биполярного транзистора 1 О, коллектор и база которого соединены,с подложкой 7 интегральной схемы. При реализации в виде ИС конденсатор 3 образован обкладками из поликристаллического кремния и диффузионного (например, п)слоя, от которых сделаны отводы в схему устройства, а вокруг диффузионной обкладки конденсатора расположена диффузионная шина, отделенная от конденсатора участком подложки,Устройство работает следующим образом.Во время...

Номер патента: 1412598

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Вильям, Лоренц

МПК: B29C 45/06

Метки: виде, выступами, давлением, листов, литья, непрерывного, подложки, равномерной, термопластичного, трехмерными, трехмерных

...разделены вертикально, когда термопластичный материал проходит через отверстие 8 в поперечную щель 7. Во время вращения цилиндра 1 пресс-формы мундштук 4 для экструзии и цилиндр 1 пресс-формы находятся в непосредственной близости один от другого. Когда задняя кромка 6 приближается к вращающемуся цилиндру 1 и размещается на тонком слое полимерной подложки, полимер сначала обильно выдавливается через зазоры между боковыми кромками мундштука 4 для экструзии и периферией цилиндра 1. Затем, когда передняя кромка 5 мундштука 4 для экструзии приближается к периферийной поверхности 2 цит; линдра 1, перекрывая более тонкий5 14 слой полимера, выдавливание полимера через боковому кромку уменьшается, а во многих случаях, например, когда...

Номер патента: 1428703

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Гурьев, Кулешова

МПК: C01G 23/04, C01G 55/00

Метки: иридия, отделения, подложки

...диоксида циркония.Цель изобретения состоит в извлечении иридия из подложки на основедиоксида циркония непосредственнов виде металла.П р и м е р 1. Подложку рыхлой,структуры иэ диоксида циркония и 20металлического иридия помещают в графитовый тигель металлом вверх в одинслой, засыпают равномерно едким натром. Тигель помещают в печь и спекаоют при температуре 500 С в течение30 мин. Затем тигель охлаждают, избыток щелочи удаляют интенсивной струейводы из водопроводного крана, Содержа.ние тигля заливают концентрированнойсоляной кислотой и выдерживают 30около 1 ч для растворения образовавшегося гидроксида циркония. После этогообразец еще раз промывают водой,В результате спекания иридий легкоотделяют механически в виде компактной пленки.П р и...