G01N 23/225 — с использованием электронного или ионного микроскопа

Номер патента: 154613

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: G01N 23/225, G01R 31/26

Метки: 154613

...переходу с помощью батареи прикладывается фиксированная разность потенциалов в запирающем направлении, В целом потенциал образца относительно катода электронной пушки может меняться с помощью отдельной батареи с делителем, Путем изменения потенциала на делителе можно добиться, чтобы потенциал катода пушки соответствовал эквипотенциальной поверхности, которая названа нулевой. Поскольку отражение электронов прималых значениях начальных скоростей и при где 1 А - напряжение на р-п - переходе;д - ширина р-и - перехода;а Е - напряженность ускоряющего электроны поля на катоде, происходит от нулевой эквипотенциали, то слева от точки, где эта эквипотенциальная поверхность входит в образец, наблюдается характерное зеркальное изображение, а...

Номер патента: 396604

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01N 23/225

Метки: исследования, кристаллических, поверхностей

...100 С,100 А имер. На наносят т еского исл 1 л рт. с х 1 аС 1 терм ич 1 10 - 10 А/с к, Темп толщина пленк лагород декорир ература у 5 р 3 оци обл ью по о личным вероятно дцых м ерхности ые металль овать только(400 в 5 С сследуемой п дают слабо в тношению к по своей п ть осажден таллов ца сспосооцыпри ловы, что часто оверхности.ыраженной активным рироде. Не я кристаловер шенныхх Картина декорировация представлена ца электронной м икрофотографци, цз которой видно, что поверхность КаС лекорцруется кристалликами трех типов, резко различаю. щимися по форме и размерам: мелкими кристалликами А и Б треугольцой формы; более крупными нлоскцмц кристалликами В с тексагональным габцтусом ц цглообразцымц кристалликами Г, ориентированными ца пло:- кости...

Номер патента: 640185

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Барский, Боровский, Жижин, Кононов, Лукьянченко, Хилькевич

МПК: G01N 23/225

Метки: микроанализатор, рентгеновский

...микроаналиряженных частиц 3, фокусирующее устройство (электромагнитную линзу) 4, пары рентгеноспектральных каналов 5 и 6, основания 7 для крепления каналов 5 и 6, световой микроскоп 8, держатель 9 с исследуемым образцом 10,Пары рентгеноспектральных каналов 5 и 6 установлены на общем для каждой пары основании 7 под фиксированными углами например, 60 и 18) к плоскости образца 10, При этом механизмы фокусировки 11 каждой пары рентгеноспектральных каналов 5 и 6 развернуты друг к другу. Основания закреплены в радиальных пазах 12 на основании корпуса, что обеспечивает точную ориентацию рентгеноспектральных каналов относительно точки падения заряженных частиц на плоскость исследуемого образца 10. Электромагнитная линза 4 рас положена в...

Номер патента: 800837

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Дубакина, Ершова, Щербак

МПК: G01N 23/225

Метки: водо-содержащих, минералов, состава

...последний в рабочее положение,Под электронный зонд выводят исследуемый участок и анализируют его на содержание алюминия при ускоряющем напряжении 20 кВ и токе через образецпорядка 30-50 нА (оптимальный режимработы прибора при анализе данного вида сырья) . Определяют интенсивностьаналитической линии алюминия в точкенеподвижного образца в течение 100 с,затем определяют интенсивность той же.линии при перемещении образца под зондом со скоростью 10 мкм/мин на профиле длиной 20-100 мкм, и по полученным данным (фиг. 1) определяют отношение интенсивности линии КсМ 1 дегидратированного под зондом минерала к интенсивности той же линии недегидратированного (исходного) минерала. Полученное значение этого отношения сопоставляют с калибровочным...

Номер патента: 795163

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Бажанова, Кораблев, Кочетков

МПК: G01N 23/225

Метки: зоне, изучения, плотности, проводимости, свободных, состояний, твердых, тел, электронных

...вблизи и ниже уровня вакуума.По сравнению с известным способом снижаются требования к монохроматичности первичного пучка - допускается разброс по.энергиям -0,6 эВ. При измерении не требуется менять азимутальный и полярный углы. Все это упрощает исследование, повышает чувствительность и точность.Пример реализации,Экспериментальная проверка осушествлялась в установке, построенной с использованием общеизвестных принципов и методик. Распределения вторичных электронов по энергиям записывались с применением анализатора П. И. Лукирского с отношением диаметров сферического коллектора и плоской мишени 10: 1, метода электрического дифференцирования кривых задержки вторичных электронов и синхронного детектирования. Контактная разность...

Номер патента: 758846

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Куценогий, Пащенко, Семенов

МПК: G01N 23/225

Метки: микроанализатор

...первичного и;прошедшего через об,разец электроннотго пучка, а система построения изобракения установлена на пути прошедшего через образец электронного пучка,При этом,прорези во внутреннем цилиндре вьпполнены в виде двух систем, держатель образца установлен симметрично между системами прорезей, а средства детектирования оже-электронов выполнены в виде двух детекторов, каждый из которых связан с одной из систем прорезей,во внутреннем цилиндре анализатора,Сущность изобретения поясняет чертеж.Микроанализатор для оже-спектрометрического анализа вещества содержит электронно-оптическую систему, состоящую из трехэлектродной электрониой пушки 1 и системы электромагнитных линз 2, формирующих первичный электронный,паучок. За систеиой...

Номер патента: 946517

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Венгеров, Попенко

МПК: A61B 10/00, G01N 23/225, G01N 33/48 ...

Метки: белком, днк, исследования, комплексов, микроскопического, приготовления, электронно

...путем смешивания растворов ДНК и белка, перенесения их на пленки-подложки иконтрастирования, раствор ДНК наслаивают на поверхность гипофазы раствора белка,р и м е р. Исследование струккомплексов ДНХ с гистоном Н 1. 3 Каплю раствора ДНК (5 мгк/мл в 25 мМ ТЭА-НСЯ буфере) осторожно наслаивают на поверхность гипофазы, содержащей 2 мкг/мл гистона Н в присутствии 0,14 М НаСС.Образование пленки ДНК на поверхности контролируют по меткам талька. Затем через различные промежутФки времени касаются полученного пят" на электронно-микроскопической сеточкой, покрытой коллодиевой пленкой-подложкой, Избыток жидкости отсасывают фильтровальной бумагой. Сеточку контрастируют круговым напылением сплавом Рс-РЙ. Просмотр производят на электронном...

Номер патента: 947687

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Дубинчук, Комиссаров, Федотов

МПК: G01N 1/36, G01N 23/225

Метки: исследования, образца, подготовки

...Ю. Харитончик, Корректор М, Еароши Редактор М. Янович Тираж 887 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5в Заказ 5620/64 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 в 160 раз выбирают исследуемый участок. Затем помещают образец подколокол вакуумной установки ВУПКи проводят откачку воздуха до5 10 4 тор. После этого под углом90 к поверхности образца производятнапыление алюминием, Под колоколнапускают воздух, вынимают образеци переносят его снова под световоймикроскоп МИН, на выбранный участок образца наносят каплю этилового 10спирта, устанавливают .на расстоянии,15 мм от плоскости образца стеклянный экран и производят скалываниеультразвуковой иглой частиц...

Номер патента: 954399

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Носова, Погорельская, Репин, Шеин, Шутилин

МПК: G01N 1/36, G01N 23/225

Метки: пленок, полимеров, тонких, эластичных

...р и м е р 1. По предлагаемому способу готовят пленку дивинилстирольного термоэластопласта ДСТ, содер-О жащего 26 мас.% стирола. Для этого 0,13 г ДСТрастворяют в 50 мл толуола. Тщательно очищенную петролейным эфиром стеклянную пластинку, (покровное стекло для микропрепара25 тов) однократно погружают в раствор полимера и высушивают до получения на нем тонкой полимерной пленки(40 нм) .Затем стеклянную пластинку с находящейся на ее поверхности пленкой помещают в бюкс с четырехокисью осмин и обрабатывают ее парами в теченые 5 ч, После контрастирования стекло с находящейся на его поверхности пленкой медленно погружают под острым углом в раствор плавиковой кислоты35 (5 мас.Ъ). По мере погружения пленку постепенно отделяют от стекла,...

Номер патента: 960572

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Бочкарева, Усачев, Христич

МПК: G01N 1/28, G01N 1/44, G01N 23/225 ...

Метки: исследования, керамических, микроскопе, реплик, электронном

...скола напыляют одновременно углерод .иплатину при остаточном давлении невыше 4 10 4 ГПа, На слой углерода иплатины наносят концентрированныйраствор желатина, который после сушки вместе со слоем углерода и платины отделяют от поверхности материала, Отделение слоя углерода и платины от желатина производят растворением его в дистиллированной воде при60"70 С, Углерод-платиновый слой, который и представляет реплику, остаетсяна поверхности воды. Для полной очистки реплики от желатина операцию растворения,его производят дважды. Плавающую на поверхности воды реплику вылавливают на медную сетку-подложку исушат.Полученные таким способом С/Рсреплики с керамических материаловимеют более высокое качество дляисследования микроструктуры по...

Номер патента: 966544

Опубликовано: 15.10.1982

Автор: Комиссаров

МПК: G01N 1/36, G01N 23/225

Метки: реплик, угольных

...1010 мм, толщиной 1 мм, помещают их под колокол вакуумной установки типа ВУПК, доводят вакуум до 5 104 торр и подпрямым углом к поверхности пластинок напыляют алюминий (или хром). Напускают воздух под колокол, вынимают пластинки, на напыленную поверхность одной иэ них помещают порошок (технологическую пробу) в количестве 50 мг, состоящую иэ бокситовой руды. Проба, предварительно обогащенная, имеет раз" мер частиц (зерен) 0,1-1 мкм (удельный вес меньше 2,7, твердость 1), 60 т.е. состоит в основном из Рыхлых частиц, например каолинита, гидро- слюды. Затем обе пластинки помещают на предметные стекла, помецают на нагревательное устройство, например наэлектроплитку, нагревают пластинки до температуры жидко-текучего состояния й =...

Номер патента: 966545

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Толстикова, Херсонский

МПК: G01N 1/36, G01N 23/225

Метки: реплик, тисненных

...вакуумный пост ВУПК и обеспечивают в нем вакуум не менее 10 4 мм рт.ст. В качестве электродов применяют спектрально чистые угли цилиндрической формы, один из которых оканчивается 40плоским срезом (экраном), выполненнымпод углом, равным углу оттенения, а второй - усеченным конусом с вершиной, направленной к центру среза пер- вого электрода. диаметр вершины усе ченного конуса второго электрода составляет 0,5-1,0 мм, при этом диаметр1-го электрода значительно (более 3 раз) превышает диаметр второго электрода, У вершины второго электрода и в центре первого электрода выполнейы уступы-площадки для размещения платиновых петель, выполненных из платиновой проволоки диаметром 0,2-4 мм (отходы термопар ПП). Радиус петли 0.,5-1,0 мм. Полистироль...

Номер патента: 972315

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Вирник, Караганов, Юшко

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: изучения, микроскопии, морфологических, объектов, подготовки, предназначенных, структур, электронной

...отверстия 9 верхнего ряда 7 сообщаются со сквозными отверстиями 4 наружного концентрического972315 Формула изобретения 3ряда 5, а стопорные отверстия 9 нижнего ряда 8 - со сквозными отверстиями 4 внутреннего концентрического ряда 6. Между пластиной 1 и основанием 2 размещен диск1 с отверстиями 12 для капсул 13. Отверстия 4 и 12 строго соосны.В нижней части стержней 4 выполнен паз 15. Муфта 16 служит для закрепле)шя петли 17, снабженной брацшами 8, соединенными с опорной дугой 19, и изготовленной из упругой ленты, ширина которой соразмерна величине обьекта.Устройство работает следую)цим обр- зом.Через отверстия2 цоецают желатиновые капсулы 13, которые заполцяют заливочной средой. Через отверстия 4 вводят стержни 14. Под визуальным...

Номер патента: 975744

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Левенталь, Литвинов, Масхулия, Персинин, Серебряков, Яровицин

МПК: C08L 33/10, G01N 23/225, G01N 25/14 ...

Метки: исследовании, композиция, микроскопическом, пленки-подложки, полимерная, порошкообразных, электронно

...пленок является то, что при Оработе с большими увеличениями, когда требуется значительная плотностьтока электронного пучка, указанныепленки оказываются недостаточно устойчивыми и, кроме того, под действием дневного света они быстро делаются хрупкими и пребывание их насвету в течение нескольких часовдостаточно, чтобы пленки быстро разрушились в результате электронной р 0бомбардировки. Цель изобретения - улучшение стойкости пленки-подложки к электрон ному облучению и устранение агломерации частиц порошкообразных мате. риалов.Поставленная цель достигается тем, что полимерная композиция для пленки-подложки в электронно-микроскопическом исследовании порошкообразных материалов, включающая полимер и растворитель, в качестве полимера содержит...

Номер патента: 1045095

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Кац, Лемелехес, Малев

МПК: G01N 23/225

Метки: полной, рентгеновский, спектрометр, фокусировкой

...копир и обкатывающийего одним концом вспомогательный рычаг,другим концом . шарнирно связанный спрямолинейным рычагом, средства дляперемещения второй каретки по рычагу, взависимости от движения первой кареткии поворота рычага, включающие гибкуютягу, конец которой закреплен на второйкаретке и направляюпую опору, огибаемуюгибкой тягой21.Недостатком известного спектрометраявляется большое количество кинематических звеньев, что приводит к конструктивной сложности спектрометра и увеличениюего габаритов.лель изобретения - упрощение конструкции и уменьшение габаритов спектрометра.Поставленная пель достигается тем,что в рентгеновском спектрометое с полной фокусировкой, содержащем вакуумнуюкамеру, расположенные в камере прямолинейную...

Номер патента: 1081496

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Кипнис, Корсунский

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, локального, микроанализатором, микроскопе, образцов, рентгеноспектрального, электронном

...предназначен для анализа только тонких ббразцов.Известен также способ локального рентгеноспектрального анализа образцов в электронном микроскопе с микроанализатором, включающий выделение анализируемого участка образца и проведение микроанализа.Выделение участка произвоцят по отверстию в образце. Образец при этом помещается в микроскоп, и электронный зонд фокусируется у края отверстия 2 3.Однако при изготовлении отверстия в образце можно частично разрушить область поверхности вблизи отверстия или загрязнить ее.Цель изобретения - обеспечение проведения локального анализа образца беэ его разрушения и загрязнения.Цель достигается тем, что согласно способу, включающему выделение анализируемого участка поверхности образца и проведение...

Номер патента: 1086376

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Дубовик, Непомнящий, Поколенко, Райхел

МПК: G01N 23/225

Метки: дефектов, структурных

...структуру материала и цефекты; форму и размеры кристаллических частиц и включений, пиквапионных областей, ступеней роста и пр,с высоким разрешением2, 3 .Данный способ не позвопяет контропировать структурные деФекты типа трещин, так как участки угольно-платиновой 50реплики, заполняющие трещины, поврежца1 отся при отцепении реппики от поверхкости объекта.Цепь изобретения - повышение качества контроля структурных цефектов 55типа трещин.Поставленная цепь цостигается тем,что согласно способу контроля структурных цефектов, включающему операциинанесения тонкой металлической ппенкина контролируемую поверхность, отцепения ее с помощью желатины и изучения в электронном микроскопе просвечивающего типа, металлическую пленкунаносят путем...

Номер патента: 1089463

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Лакиза, Погорельская, Репин, Шеин

МПК: G01N 23/225, G01N 25/00

Метки: гетерофазных, контрастирования, микроскопии, объектов, полимерных, электронной

...в раствор полимера и высушивают до получения на нем тонкой полимерной пленки (около 50 нм). Затем стеклянную пластинку с находящейся на ее поверхности пленкой погружают.5 в стакан с водным раствором БпС 1 (концентрация 1 г/л), подкисленнйм НС 1 в количестве 1 мл/л раствора. Через 10 с стеклянную пластинку вынимают из раствора и промывают в дистиллированной воде, Затем стек ло с находящейся на его поверхности полимерной, пленкой медленно погружаютпод острым углом в раствор плавиковой кислоты (5 мас.7), По мере погружения пленку постепенно отделяют от стекла, после чего ее переносят в чашку с дистиллиров иной водой и тщательно промывают, После промывки пленку переносят на опорную сетку и высушивают при комнатной температуре....

Номер патента: 1105792

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Гимельфарб, Ли, Лотоцкий, Орлов, Фатюшин, Фатюшина

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, диэлектриков, послойного

...поверхности диэлектрика слой, проводимость которого достаточна, чтобы обеспечить отток зарядов на проводящую пленку, не подвергающуюся ионному травлению. Применение напускаводорода в камеру образца позволяет проводить послойный анализ диэлектриков и композиционных материалов металл-диэлектрик,.при этом предел обнаружения элементов составляет 10 .ат,Ъ, а относительное стандартное отклонение, характеризующее воспроизводимость способа, равно 0,1. Кроме того, в предлагаемом способе нет ограничений по толщине исследуемых слоев.На фиг, 1 и 2 показаны масс-спектры диэлектрика на основе Аб О,полученные при напуске и без найуска водорода.Способ реализуется следующим образом.П р и м е р 1, Послойное распределение элементов Ма и А в керамическом...

Номер патента: 1117506

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Канченко, Крынько, Мельник, Находкин

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, количественного, поверхностных, слоев, твердых, тел

...20 01 ЗО 40 концентрация рассеивающих центров в образце второго химического элебг 190-- дав кого элемента пространственном распределении упругоотраженных электронов для первого химического элемента при энергии первичных электронов Е 1,поток первичных электронов с энергией, при которой наблюдается минимум в пространственном распределении упруго- отраженных электронов при угле рассеяния Я дляобразца первогохимического элемента; мента;сечение упругого рассеяния первичных электронов вторым химическим элементом при угле рассеяния 91длина свободного пробега электроновс энергиеи Е от 1 носительно неупругих соударений; телесный угол регистрации упруго 1117506отраженных электронов- угол скольжения1потока первичныхэлектронов при 5угле рассеяния Я-...

Номер патента: 1012667

Опубликовано: 15.01.1985

Автор: Суворов

МПК: G01N 23/225

Метки: автоионно-микроскопического, исследования, металлов

...направление падения бомбардирующих частиц на образец..На чертеже показан схематически ход лучей и взаимное расположение элементов, необходимых для реализации предлагаемого способа.Установка для реализации способа ,содержит расположенный напротив образца 1 флуоресцирующий экран 2, источник 3 бомбардирующих частиц, который может перемещаться в вакууме с помощью устройства движения 4 вдоль оси 7 и вдоль оси, при этом одновременно смещается жестко с ним соединенный дополнительный флуоресцирующнй экран-индикатор 5. Установив источник 3 в определенном положении (его можно оценить заранее, исходя из известной геометрии прибора и выбранного для анализа кристаллографического направления смещений атомов) и заполнив объем микроскопа...

Номер патента: 1155925

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Красов, Рудакова, Тимонин

МПК: G01N 23/225

Метки: микроанализа, рентгеноспектрального

...системы регистрации рентгеновского излучения, а именно, импульсы задают длительностью не больше "мертвого" времени системы регистрации рентгеновского излучения Кроме того, их подают с интервалом длительностью не меньше того же мертвого" времени.При этом в объекте в промежутке между импульсами происходит полное торможение электронов предыдущего импульса и прекращается возбуждение рентгеновского излучения, В отсутствие последнего система регистрации рентгеновского излучения переходит в состояние ждущего режима работы. Приход очередного импульса электронов вызывает возбуждение рентгеновского излучения прежде всего в месте встречи импульса с объектом. Поскольку система регистрации находится в ждущем режиме, то она срабатывает от первого...

Номер патента: 1200176

Опубликовано: 23.12.1985

Автор: Олейников

МПК: G01N 23/225

Метки: диэлектрика, изображения, металл, микроскопе, микроструктуры, растровом, формирования, электронном

...потока 2 установлен детектор 3 отраженных электронов. Образец имеет 25 металлическое покрытие 4, нанесенное на диэлектрике 5. Между диэлектриком и покрытием имеется переходный слой 6. С покрытия снимается сигнал, регистрируемый измерительным устрой- ЗО ством 7.На фиг,2 показаны эпюра 8 сигнала отражейных электронов, эпюра 9 поглощенных электронов, эпюра 10азности между этими сигналами и 35 эпюра 11 проинтегрированного разностного сигнала.Способ осуществляют следующим образом.Импульсное облучение образца мо О жет осуществляться как с помощью специальных схем, так и электромеханическим путем, например, с помощью диска с отверстиями, приводимого во вращение электродвигателем, При этом 45 часть электронов отражается, образуя поток...

Номер патента: 1224691

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Келле, Саммелсельг

МПК: G01N 23/225

Метки: объектах, однородных, распределения, слоисто, состава

...зонда. По калибровочной кривой опрецеляют(фиг.1) диаметр области генерациихарактеристического рентгеновскогоУсловия эксперимента для дляА 1 К,Ав 1Энергия электронов зонда Е ,кзВ; 156,5 38 Ток зонда,нА Диаметр зонда д,мкм; Диаметр областигенерации рентгеновского излученияпри д=О, О, мкм 1,2 Поперечная локальность, 1 , мкм; 1,8 1,6 Время счета в точке, С, с; 40 20 Суммарное времясчета .всех точек,Т, мин 12 Переход от относительной шкалы распределения состава к абсолютной осуществляют посредством определения концентрации составных элементов при помощи стандартной процедуры рентгеноспектрального микроанализа на участке линии сканирования с постоянным составом. Для измеренной структуры максимальные значения кодизлучения А 1 К и Ав...

Номер патента: 1260785

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Драненко, Новиков

МПК: G01N 23/225

Метки: дислокаций, монокристаллах, типа

...3, регистрирующее устройство 4, вакуумную колонну 5, держатель образца 6Определение типа дислокаций в кристаллах со структурой сфалерита проводят с помощью метода тока, индуцированного электронным зондом. Спбсоб заключается в следующем. Сканирующим электронным лучом 1 облучают монокристалл 6, в котором при этом генерируются электронно-дырочные пары, создающие ток. Полученный сигнал подается на операционный усилитель 3, после чего регистрируется, например, на оспиллоскопе, На усилитель 3 подается ток неравновесных носителей заряда, разделенных полем барьерной структуры, существующей вокруг ядра дислокаций.В качестве примера может служить определение типа дислокаций в образцах СаАз Сг 7 кристаллы которых имеют структуру сфалерита с...

Номер патента: 1260786

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Волейник, Минеева, Русаловская

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, локального, микрорентгеноспектрального, образцов

...метки и, перемещая образец, регистрируют интенсивность выбранной линии до появления всплеска интенсивности, что свидетельствует о попадании под электронный зонд выбранного для анализа участка. Вьдерживая образец в найденной позиции, а при необходимости, меняя режим работы микроанализатора и параметры зонда, добиваются полного испарения вещества метки, о чем свидетельствует падение интенсивности выбранной линии до уровня фона. После этого приступают к проведению рентгеноспектрального анализа.П р и м е р. Проведение локального микрорентгеноспектрального анализа поверхности образца из титанового шлака в просвечивающем электронном микроскопе с микроанализатором ЭММА. Диаметр образца 3 мм, толщина 1 мм. На участок образца, выбранный...

Номер патента: 1390526

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Галахин, Никитин, Пленов, Суслов

МПК: G01N 23/225

Метки: микроскопии, световой, срезов, ткани

...тем,что, с целью снижения ломкости срезов и повышения четкости иэображения, перед изготовлением тканевого среза его поверхность обрабатывают насыщенным водяными парами воздухом при 36,4- 36,7 С в течение 10-15 с. Составитель А.БобровТехред М.Коданич Корректор А.Обручар Редактор С.Пекарь Заказ 1760/42 Тираж 847 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, гУжгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к медицине,биологии и ветеринарии, а именно кморфологии, где применяются замороженные срезы из органов и тканей человека и животных для исследования всветовом микроскопе.Цель изобретения - снижение ломкости срезов и...

Номер патента: 1394113

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Кущук, Тутнов

МПК: G01N 23/225

Метки: вершины, зоны, конструкционных, материалах, пластичности, трещины

...деформации необходимо осуществить послойное шлифование образца, определение границы скачка концентрации (вприведенном примере титана) по данному слою и представить результаты одной диаграммой в пространственныхкоординатах,Формула изобретения Способ определения зоны пластичности у вершины трещины в конструкционных материалах, включающий выявление трещины на поверхности образцапосредством шлифовки, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью снижениятрудоемкости и повьппения точности определения размеров зоны, измеряютраспределение концентрации одного излегирующих элементов, наиболее удаленных по номеру периодической системы элементов от номера элемента матрицы, вдоль лежащего в плоскости шлифа направления, идущего от трещины,и устанавливают...

Номер патента: 1396025

Опубликовано: 15.05.1988

Автор: Рыбалко

МПК: G01N 23/225, H01J 37/26

Метки: наблюдения, цмд-структур

...ЦИД-структуры и изображения, а во-вторых - к перемещениюиэображения на проекционном экране,и, следовательно, к его изменению.Оба эти обстоятельства снижают достоверность наблюдения. Второй вариантрегулировки амплитуды поля смещениязаключается в изменении тока возбуждения формирующей линзы, амплитудаполя которой изменяется пропорционально току возбуждения.Для того, чтобы условия фокусировки потока заряженных частиц неизменялись при регулировке поля смещения операция совмещения плоскостифокусировки с плоскостью объектодержателя осуществляется путем изменения амплитуды возбуждения поля конденсорной линзы. В этом случае реализуется независимая регулировка фокусного расстояния и амплитуды полясмещения, что также повьппает достоверность...

Номер патента: 1402877

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Канченко, Крынько, Мельник, Находкин

МПК: G01N 23/225

Метки: внутреннего, потенциала

...источника 1, регистрируют поток упруго отраженных электронов, проходящих во входную апертуру анализатора 4 при угле рассеяния 8 =- 180 + (Ы - /Ъ) и, таким образом, регистрируют угловое распределение упруго отраженных электронов, .т е, зависимость величины потока упру с1 раженних электронов, проходящих во входную апертуру анализатора 4, от угла рассеяния 0 первичных электронов. Затем фиксируют угол 1вновь сканируют источник по углуои измеряют угловое распределение упруго отраженных электронов для этого случая.Экспериментально установлено, чтоугловое распределение упруго отраженных электронов, измеренное при угле ,(или М, ), смещено по оси углов 6 рассеяния относительно углового распределения, измеренного при угле / (или ). Такое смещение...