Способ совмещения рисунка маски с рисунком подложки

(19 6 03 Р 9/ САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВТОРСКО ВИДЕТЕЛЬСТВ жом, гд процесс цессам иэи полупростности к я черт схема ой 2 реэиста, тгенопрозрач тся топологиоглощающего ированы меттуры. На маске ненные такжеиэ рентгеноет мембрану ом толщиной нок 4 и метки я золота тол имеет раэске,На многослойную стают электрическое напряток, протекающий черезвеличине этого тока судятрентгеновского излученикаждую метку, а следоване рассовмещения,уктуру меток поджение и измеряюткаждую метку, Пооб интенсивя,попадающельно, и о ве ости его на личиируют м упровод типа пр тки 5 виковыхводимоСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ И ГКНТ СССР(54) СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКАМАСКИ С РИСУНКОМ ПОДЛОЖКИ(57) Изобретение относится к технологиирентгенолитографии в процессе производства полупроводниковых приборов, Цельизобретения - упрощение процесса. Наподложке формируются метки в виде многоИзобретение относится к проготовления интегральных схемводниковых приборов, в чатехнологии рентгеноли, ографии,Целью изобретения является упрощение процесса путем использования меток на подложке в виде многослойной структуры, состоящей из чередующихся полупроводниковых слоев противоположного типа проводимости или чередующихся проводящих и непроводящих слоев. Такие метки используются как датчики рентгеновского излучения, прошедшего через метки на маслойной структуры, Она состоит из чередующихся полупроводниковых слоев противоположного типа проводимости или чередующихся проводящих и непроводящих слоев. Подложку облучают рентгеновским излучением через маску, На метки подложки подают электрическое напряжение и измеряют электрический ток, протекающий через них. Ток возникает при. воздействии рентгеновского излучения на многослойную структуру меток, По величине этого тока судят о рассовмещении маски и подложки. Затем подложку и маску взаимно ориентируют до момента точного их совмещения, который фиксируют по максимуму или минимуму тока. 1 ил,Изобретение поясняетспоказана принципиальнаясовмещения.На подложку 1 нанесен слМаска 3 представляет собой ренную мембрану, На маске 3 имееческий рисунок 4 из рентгенопматериала. На подложке 1 сформки 5 в виде многослойной струк3 сформированы метки б, выполкак и топологический рисунок 4поглощающего материала.П р и м е р 1. Маска 3 имеиз кремния, легированного бор2-3 мкм. Топологический рису6 на маске 3 выполнены из слощиной 0,6 мкм, Каждая меткамер 5 х 200 мкм.На подложке 1 формвиде чередующихся полслоев противоположного1501759 вского излучения, и величина электрического тока, протекающего через метки 5, минимальна.П р и м е р 2. Все операции выполняют как в примере 1. Метки 5 на подложке 1 выполняют в виде многослойной структуры, состоящей из чередующихся проводящих и пепроводящих слоев. В частности, такая структура может состоять из слоя кремния, разделенного с кремниевой подложкой слоем окиси кремния толщиной 30-40 А. Составитель В.Рубцов Редактор Н.Каменская Техред М.Моргентал Корректор М.ДемчикЗаказ 4644 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул Гагарина, О 1Ъ сти. В этом случае каждая метка представляет собой плоский р-и-переход размером 5 х 200 мкм. Метки 6 на маске 3 и метки 5 на подложке 1 расположены в координатно сопряженных точках, 5На подложку 1 наносят негативный резист 2 марки ЭЛН. На р-и-переход каждой метки подают электрическое напряжение е обратном направлении. Это достигается с помощью расположенных, на 10 подложке .вспомогательных контактных площадок и токоведущих дорожек, соединяющих эти контактные площадки с метками. После предварительного поэициониро вания маски 3 и подложки 1 их облучают рентгеновским синхронным излучением. Метки 6 на маске 3 экранируют рентгеновское излучение. Однако, если маски 3 и подложка 1 совмещены не точно, то на не которую часть метки 5 на подложке будет попадать рентгеновское излучение. В результате в р-и-переходе возникает электрический ток. Чем больше величина рассовмещения, тем больше ток, 25Таким образом, по величине электрического тока, протекающего через каждую метку 5 на подложке 1, можно судить об интенсивности рентгеновского излучения, попадающего на данную метку. а следова тельно, и о величине рассовмещения.Затем проводят взаимную ориентацию маски 3 и подложки 1, При точном совмещении метки 6 на маске 3 полностью экрани руют метки 5 на подложке 1 от рентгеноФормула изобретения Способ совмещения рисунка маски с рисунком подложки, включающий формирование координатно-сопряженных меток на маске и подложке, облучение рентгеновским излучением подложки через маску и взаимную ориентацию подложки и маски по интенсивности рентгеновского излучения на метках подложки, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения процесса, метки на подложке формируют в виде многослойной структуры с чередующимися полупроводниковыми слоями противоположного типа проводимости или чередующимися проводящими и непроводящими слоями. а в процессе взаимной ориентации подложки и маски к многослойной структуре меток прикладывают электрическое напряжение, при этом интенсивность рентгеновского излучения на метках подложки определяют по величине электрического тока, проходящего через многослойную структуру меток