Патенты с меткой «подложки»

Номер патента: 1800335

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Беляев, Тюрнев

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, подложки, проницаемости

...Соответствие между частотой полюса ГР и величиной диэлектрической проницаемости е рассчитывают теоретически или устанавливают эмпирически с помощью набора подложек с известной диэлектрической проницдемостью.Положительный эффект при осуществлении изобретения достигается благодаря тому, что вместо измерения резонансной частоты одиночного резонатора, то есть нахождения координаты плоской вершины достаточно широкого пика прохождения СВЧ мощности, измеряется частота ГР чрезвычайно узкого полюса затухания СВЧ мощности, проходящей от одного металлического проводника к другому.1800335 Составитель В.ТюрневТехред М.Моргентал Корректор С.Шекмар РедакторЗаказ 1160 Тираж ПодписноеВНИИПИ Г(нудзрсвенного комитега по изобретениям и открытиям при...

Номер патента: 1819776

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Александров, Копылова, Лобанов, Правдиченко, Штерензон, Юрченко

МПК: B29B 17/02

Метки: отделения, подложки, полимерного

...углероде. После обработки пленка полипропилена самопроизвольно отделяется от алюминиевой фольги,первом случае слои необходимо разделить механически, во втором - самопроизвольно разьединиешиеся материалы разделяют любым известным способом, например гидро- или аэродинамическим сепарированием. При таком варианте реализации способа возможно отделение покрытия от подложки на обрези материала любой формы, в т. ч. крошки, Производственный процесс в этом случае состоит из стадии загрузки обрези в камеру или реактор, впуска в нее жидкостиили пара, выдержки, удаления среды, сушки обреэи и сепарации разъединенных материалов.П р и м е р 1, Пластину размером 5 х 5 консервной ленты типа ламистер. представляющей собой алюминиевую фольгу толщиной 110...

Номер патента: 1822876

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Дронов, Завлин, Каранов, Литвинчук, Нурмамедов

МПК: C12N 5/00

Метки: глаза, заднего, клеток, культивирования, подложки, приготовления, роговицы, эпителия

...малоновой кислоты. Пленки готовятгя аналогично примеру 1, но в отличие от него высыхают на 5-10 мин скорее, т,е. в течение 30 - 35 мин, После промывания в 2 сменах физиологического раствора и в растворе питательной среды по 15 мин пленки использовались в качестве подложки для культивирования клеток заднего эпителия роговицы глаза кролика, Через 48 ч культивирования 1/3 площади подложки была заполнена распластанными и активно растущими клетками, форма и размер которых также характеризовались выраженным полиморфизмом; подложка выглядела гладкой и равномерно растянутой на всем протяжении. На 5 - 6 сутки культивирования клетками было покрыто 2/3 площади подложки. Большинство клеток сохраняло отросчатую форму, но их полиморфизм был менее...

Номер патента: 1828455

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Максимов, Соловьева

МПК: C03C 3/07, C03C 8/24

Метки: ионноплазменного, напыления, пленок, подложки, стекло, тонких, ферритовые

...0,1 - 0,3 мкм в рабочем зазоре шириной 0,3 мкм на участке его длины в 100 мкм,Стекло синтезируется при температуре 1300 С в платиновом тигле, Обладает хорошими варочными свойствами. Отлитые из него диски - мишени содержат незначительное количество пузырьков, однородны, не растрескиваются при их распылении. Стекло химически устойчиво, обладает высокой адгезией к ферриту и напыляемой на него пленке Я 02. Температура спаивания ферритовых элементов посредством напыленной пленки этого стекла, не превышает 720 С,Кроме того, достигается существенное повышение однородности, Как видно из таблицы, полости (пузырьки) в зазоре совершенно отсутствуют, чего нельзя сказать в отношении прототипа. Исследование пленки под микроскопом показалотакже...

Номер патента: 1829131

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Веприков, Сучков, Федоров

МПК: H05K 13/04

Метки: автомат, выводных, гребенок, монтажных, пайки, плат, подложки, присоединения

...прижимом 23 с иглами 24, Кантователь 10 имеет две вилообразные площадки 25 с прижимами 26. Каретка 13 оснащена подпружиненнь 1 ми штоками 27, на которых закреплены две продольные и две поперечные площадки 28 и 29 с базирующими элементами для подложек 5, выполненными в виде прижимов ЗО и планок 31 и 32, в которых выполнены прорези ЗЗ под выводные гребенки, Прижимы ЗО и планки 31 установлены зеркально у каждой пары одноименных площадок 28 и 29, что дает возможность при присоединении отрезков ленты 7 к противоположным сторонам подложки 5 сохранить единство баз. Для взаимодействия с фиксатором 17 в каретке 13 выполнен паз 34, а дляоблегчения хода каретки 13 в ее основаниивыполнены каналы воздушной смазки на5 чертеже не показаны),Автомат...

Номер патента: 1835422

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Николаев, Сироткин

МПК: C09G 1/02

Метки: инструмента, подложки, полировального, состав

...от известного введением новыхкомпонентов, а именно хлористого аммония и,частиц фрикционного материала.Применение в известных составах некоторых известных веществ, например хлористого аммония в сочетании с другими компонентами не обеспечивает составам такие свойства, которые они проявляют в заявляемом решении, а именно повышение производительности процесса полирования иобеспечение стабильности Формообразования и, как следствие возможность автоматизации процесса полирования. Таким образом данный состав компо" нентов придает подложке полировального инструмента новые свойства,П р и м е р. Компоненты состава полировальной подложки: эпоксидную диановую смолу ГОСТ 10587-78, хлорид калия ГОСТ 4234-77, оксид церия, частицы Фрикционного...

Номер патента: 1566777

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/06

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости способа в материале, выявляющем места загрязнения, компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%:Окись кадмия 7,5 - 12,5Алюминий 7,5 - 12,5Окись алюминия 75 - 85причем соотношение окиси кадмия и алюминия в материале составляет 1 : 1, а испарение проводят при температуре испарителя 1080 - 1210oС.

Номер патента: 1131379

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Воробьев, Григоришин, Котова, Шкунов

МПК: H01J 9/02

Метки: подложки, структур, управляющих, электродных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР, включающий получение углублений и отверстий в них путем анодирования алюминиевой пластины на заданную толщину, фотолитографии и травления через маски металла и оксида и удаление непрореагированного алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложки, в анодированном алюминии вначале формируют углубления, затем анодируют алюминий со стороны углубления и в нем формируют отверстие со стороны непрореагировавшего алюминия.

Номер патента: 1565064

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/02

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет выявления загрязнений в виде натиров капролона и паров масла и упрощения процесса, подложку предварительно нагревают при 400 - 700oС в течение 15 - 90 мин в замкнутой капсуле из керамического материала.

Номер патента: 1491269

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гунина, Дынник, Поярков

МПК: H01L 21/312

Метки: нанесением, поверхности, подготовки, подложки, фоторезиста

СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ФОТОРЕЗИСТА, включающий очистку подложки и обработку ее органическим гидрофобизирующим веществом, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных подложек за счет снижения дефектности наносимого слоя, в качестве гидрофобизирующего вещества используют 0,01 1%-ный (по массе) водный раствор катионоактивного ПАВ катамина АБ алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы[ Cn H2n+1N+ (CH3)2 CH2C6 H5]Cl-,где n 10 18.

Номер патента: 882250

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Грищук, Королева, Косарев, Манвелян, Шитова

МПК: D06P 5/00

Метки: бумаги, подложки, текстильных, термопечатания

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ИЗ БУМАГИ ДЛЯ ТЕРМОПЕЧАТАНИЯ ТЕКСТИЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ путем нанесения на нее краски с последующим пропуском между валами при давлении 0,1-3 кг/см2, отличающийся тем, что, с целью получения одновременного эффекта крашения и контурного рисунка различной интенсивности окраски, подложку пропускают через валы, на нижнем из которых наклеен материал из бумаги, кожи или полимерной пленки с вырезанным рисунком.

Номер патента: 1653531

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Гольдберг, Зайдман, Караваева, Петрова

МПК: H05K 3/00

Метки: диэлектрическим, металлической, подложки, покрытием, стеклянным

Способ изготовления металлической подложки с диэлектрическим стеклянным покрытием, включающий предварительную термообработку гранулята стекла, его сухое измельчение, приготовление суспензии, электрофоретическое нанесение суспензии стекла на подложку и термообработку полученного покрытия, отличающийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических характеристик подложки и технологичности процесса, при приготовлении суспензии используют частицы стекла диаметром 1-7 мкм с добавлением не более 20 мас. частиц диаметром более 7 мкм.

Номер патента: 906304

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: внедрения, ионного, кристаллические, подложки

Способ ионного внедрения в кристаллические подложки, включающий имплантацию ионов до набора дозы и отжиг путем воздействия импульсного излучения, отличающийся тем, что, с целью избежания накопления радиационных дефектов и снижении температуры полного отжига дефектов, процесс внедрения проводят повторяющимися циклами имплантация-отжиг, причем отжиг проводят после набора дозы не более одной десятой дозы аморфизации, а повторяют циклы после остывания подложек до температуры имплантации.

Номер патента: 1820787

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, подложки, полупроводниковой, удаления, фоторезиста

Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности удаления фоторезиста относительно нижележащего слоя и снижения окисления нижележащих материалов при сохранении высокой скорости процесса, в газовую среду дополнительно вводят аргон, при этом содержание аргона в смеси составляет 20-95 об.%.

Номер патента: 1461319

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Кирменский, Матвеев

МПК: C30B 19/00, H01L 21/68

Метки: держатель, жидкофазной, подложки, полупроводниковых, преимущественно, проведения, эпитаксии

Держатель подложки, преимущественно для проведения жидкофазной эпитаксии полупроводниковых материалов, содержащий втулку, опорный диск и стержни с установленными на них фиксаторами подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, он снабжен проволочной обвязкой, втулка закреплен на опорном диске, стержни выполнены в виде консольно закрепленных на опорном диске упругих пластин, а фиксаторы подложки размещены в геометрической плоскости, наклонной к геометрической оси втулки и опорного диска, причем на концах упругих пластин выполнены загибы в форме крючка с возможностью размещения на них проволочной обвязки.