Патенты с меткой «подложек»

Номер патента: 1168635

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Билоголовка, Волощук, Кустов, Мазуркевич, Пешехонова, Щербина

МПК: C30B 33/00, H01L 21/00

Метки: жидкофазной, кассета, поверхности, подложек

...10 в межоперационный период.На фиг. 1 изображена кассета для жидкофаэной обработки поверхности подложек, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху. 15Кассета состоит иэ корпуса, содержащего основание и фиксатор подложек, которые при помощи направляющей стойки 1, гайки 2 и шпилек 3 жестко соединены между собой. Осно ванне кассеты образовано тремя параллельно расположенными распределяющими трубками 4, которые посредством несущей трубки 5 соединены с направляющей стойкой 1. В последней имеет ся осевое отверстие для подачи газа, сообщающееся посредством несущей трубки 5 с полостью распределяющих трубок 4, в которых прорезаны попе,речные пазы для размещения подложек, 30 причем глубина пазов больше толщины стенок распределяюидх трубок, что...

Номер патента: 1218343

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Газаров, Дергачев, Подковырин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, неразрушающего, подложек, проницаемости

...подложек в миллиметровом диапазоне длин волн,Цель изобретения - повышение точ-.ности и упрощение контроля.На чертеже приведена конструкцияустройства, реализующего способ неразрушающего контроля диэлектричес-,кой проницаемости подложек.Устройство содержит диэлектрический волновод 1, возбуждающий подложку 2, и диэлектрический волновод 3,соединенный с индикатором резонансных частот.Способ неразрушающего контролядиэлектрической проницаемости подложек осуществляют следующим образом.В подложке 2 с помощью диэлектри-.ческого волновода 1, который образует с одним из торцов подложки 2участок распределенной связи, возбуждают колебания бегущей волны типа Н 1 р , где Е и у - порядки резо"нанса по смежным сторонам подложки2. По толщине подложки...

Номер патента: 1252712

Опубликовано: 23.08.1986

Авторы: Морозов, Савченко, Синицын

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, адгезиометр, поверхностям, подложек, порошков, твердым

...7 и 8 вблизи мембраны 5 и закрывают клапаны 15 и 16. Ца поршне 9 закрепляют подложку 11 г нанесенным на нее испьгтуемым порошком, Предварительно определяют массу нанесенного порошка взвешиванием, Изменяют положение балангира 12 на поршне 10 и добиваются рявенгтвя центробежных гил инер ции г подложкой 11 на поршне 9. Вклю чают привод 1 и, изменяя скорость вращения редуктором 2, начинают вращать цилиндр 4 на выходном валу 3 приводя 1, При вращении цилиндра 4 поршни 9 ц 10 начицают перемещаться под действием возникающих центробежных гил на одинаковые расстояния от мембраны 5, увеличивая обем секций 7 и 8 цилиндра 4. Перемещение поршней 9 и 10 ца одинаковые расстояния от мембраны 5 приводит к одинаковому измееию давпеция в секциях 7 и 8,...

Номер патента: 1315525

Опубликовано: 07.06.1987

Автор: Милушкин

МПК: C25D 3/38

Метки: меднения, подложек, стальных, электролит

...осадков, полученных из предлагаемого электролита и известного, представлены в табл. 2; характеристика внешнего вида медных покрытий, получаемых из предлагаемого и известного электролитов, в табл. 3. Наводороживание металла основы изучают по изменению пластичности пружинной проволоки из углеродистой стали диаметром 0,8 мм и рабочей длиной 100 мм, измеренной числом оборо. - тов до разрушения при скручивании на машине К. Ингибирующее наводороживающее действие (Н) определяют по формуле опредема; Кая фиксивид покры кроскопа. тво и внешнии т с помощью м рдость оса боре ПМГков меди измеряютметодом статистичесалмазной пирамидки а пр давливания грузкой 20 г од Пори ляют по ют с по тост ГОСТ медных покрытии опредеВыход по току измеряедного...

Номер патента: 1342943

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Казанцева, Низник, Хейленко

МПК: C23F 4/00

Метки: металлических, подложек, покрытий, тонкопленочных, удаления

...беэ разрушения покрытия при пе 5 ределе бракованных микросхем, фото- шаблонов, электролюминесцентных индикаторов и прочих изделий радиоэлектроники и приборостроения.11 елью изобретения является улучше О ние технологии очистки подложек за счет упрощения операции снятия металла покрытия и его утилизации, Способ осуществляют следующим образом. 15,Петали с нанесенным тонким металлическим слоем помещают на конвейерную енту слоем вниз и подают на ванну аг гоматической линии пайки волной.о Волна расплава (температура 200-250касается нанесенного металлического слоя и отрывает его от подложки.Б качестве образцов служат стеклянные подложки размером 38 х 54 х 11 ммс нанесенным покрытием иэ серебра.Б качест 1 е расплава используютприпой ПОС, 11...

Номер патента: 1379764

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Клюшин, Котов

МПК: G03G 5/00

Метки: носителя, подложек, электрофотографического

...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, чл. Проектная, 4 Изобретение относится к электрофотогрдфии и может быть использовано при изготовлении промежуточных носителей изображений: электрофотогрдфических цилиндров и пластин.Цель изобретения - повышение качестна подложки путем обеспечения в том, что жидкостные процессы, охлаждение резца ири механической обработке эмульсиями полностью исключаются ири конечной операции механической обработки подложки до 8-9класса чистоты. Охлаждение резца производится парами спирта при алмазном точении, чистовая конечная обработка подложки производится шлифованием, ири этом обеспечивается отсутствие органических включений на поверхности подложек. Подложку...

Номер патента: 1294226

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Бархатов, Грязнова, Малышев, Плеханова, Поляков, Семирунний, Семко

МПК: H01L 21/66

Метки: корундовых, подложек, поликристаллических, свч-устройств, сортировки

...для подложек толщиной 10 и 1,010 м соответст венно в различныхмасштабах интервала25 дискретизации выборочных данных на отрезках одинаковой длины, Интервалыразбиения при построении гистограммвыбирались кратными удвоенной абсолютной ошибке измерения коэффициента светопропускания, равной 0,005с вероятностью 0,99.Полученные линейчатые гистограммы распрецеления выборочных данных-эУбо 1,0 1 О м (фиг,4,6); исходя изЗ 5 экспериментально обнаруженных интервалов смещения резонансных частотмикрополосковых фильтров, разбивались на три практически равные зо".ны изменения коэффициента пропуска 40 ния, аналогичные подложкам групп А,Б и В на фиг 1. Для подложек толщиной 0,5 1 О мсоответствующий интервал А охватывает значения коэффициентов...

Номер патента: 1469330

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Колосов, Савченко, Синицын, Чернов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезиометр, поверхностями, подложек, порошков, прочности, сцепления, твердых

...19 скорости враще":;ния выходного вала 4 привода 3.Адгезиометр работает следующимобразом,Исследуемый порошок 17 наносятна подложку 16, которую закрепляютна штоке 5. Вводят в ЭВМ данные оначальном расстоянии К от оси вращения вала 4 до порошка 17, о массе ш порошка 17 на подложке 16 и о степени дисперсности 0 исследуемого материала, Затем производят пуск программы. ЭВМ через регулятор 9 скорости вращения привода 3 изменяет (плавно увеличивает) скорость вращения выходного вала 4, Сигнал, пропорциональный скорости вращения с тензодатчика 5, поступает в АЦП 10,где измеряется и преобразуется в цифровой код, При вращении шток 15 сподложкой 16 начинает перемещатьсявдоль цилиндра 1 на опорах 18 вовнешнюю относительно оси вращениясторону....

Номер патента: 1513062

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Виркер, Хелбиг, Эккерт

МПК: D21H 3/78, G03C 1/87

Метки: плоских, подложек, покрытия, приготовления, составов

...4,6 10 Ом.8П р и м е р 2. .Обратную сторонупокрытой термопластическим слоембумаги-основы покрывают массой в расчете 0,5 г/м с целью улучшения не-.которых свойств, таких как антистатические, пригодности для письма, повышение сопротивления слипаемости бумаги, Масса для покрытия имеет следующий состав, указанный в табл.4,Крахмал диспергируют в холоднойоводе, нагревают до ,- 95 С, растворяют, потом раствор охлаждают до 3035 С и добавляют разбавленный натронный щелок, рН 7,9.После добавления натриевого жидкого стекла раствор хорошо перемешивают (время перемешивания 15 мин) и,наконец, очень медленно (20 мин),энергично перемешивая, добавляют суль-"фат алюминия. Получают мельчайше диспергированный осадок Иа-А 1;силикат(ИаА 18 зО), рН 6,5. Затем...

Номер патента: 343324

Опубликовано: 15.10.1989

Автор: Кузнецов

МПК: H01L 21/20

Метки: крепления, подложек, полупроводниковых

...разогреваемой полупроводниковой подложки 1 помещены между двумя парами брусков 2 и 3 кремния. При по 5 мощи металлических зажимов 4 токоподводящие металлические пластины 5 и 6 зажимают концы брусков; Токоподводя щие пластины подсоединены к источнику 10 электрического тока.Бруски изготовлены из низкоомного, вырожденного кремния, Это объясняется тем, что с уменьшением удельного сопротивления полупроводника уменьшает ся и сопротивление области его контак. та с металлом. Размеры брусков выбирают такими, чтобы нагрев металлических токоподводящих пластин за счет тепловыделения на самих брусках и путем теплопроводности от подложки был наименьшим, так при нагревании образцаокремния до 1400 С контакты нагреваются до 200 С. Градиент...

Номер патента: 1541306

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Зелионкайте, Крылова, Яницкис

МПК: C23G 1/00

Метки: алюминиевых, подложек, селеновых, слоев, тонких, удаления

...электрографических пластин наибо лее пригодны водные растворы дихромата калия и пероксодисульфата калия концентрацией 0,03-0,05 моль/л, При их использовании не выделяется ядовитый сселеноводород, в растворе не образуется коллоидный селен, а качество регенер 1 рованных алюминиевых подложек 99- 1007 Бремя отслаивания селена в растворах дихромата калия75 мин, пероксодисучьфатакалия - 45 мин.В течение термообработки в растворе дихромата калия или пероксодйсульфата калия выкристаллизовавшийся се лвн может быть отделен от раствора и использован в производстве электрографических пластин, а раствор применен для повторного удаления слоев.Растворы перманганата калия, хро мата калия, перекиси водорода исследованных концентраций для удаления...

Номер патента: 1565867

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Дмитриева, Марченко, Яцик

МПК: C09G 1/02

Метки: подложек, полирования, полупроводниковых, суспензия, химико-механического

Номер патента: 1605289

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Беневоленский, Кубрин, Лисов, Тянгинский

МПК: H01L 23/34

Метки: диэлектрических, подложек, полупроводниковых, термической

...зону ее контакта спринудительно охлаждаемым подложкодержателем. Для этого во время обработки подложки, когда она изгибаетсяпод действием на нее теплового потока,с помощью интерферрометрического контроля измеряют прогиб подложки, находят область ее максимального прогиЬа и изгибают подложкодержатель таким,оЬразом, чтобы ликвидировать этот зазор. 25На подложкодержатель 1 помещают. подложку 2 (фиг.2), во время воздействия на нее теплового потока освещают подложку когерентным монохроматическим излучением, в качестве источника которого используют лазер 3.Луц лазера сканирует по всей подложке и по интерференции в зазоре междуподложкой и подложкодержателем определяют .оЬласть максимального прогиба,интерференция регистрируется с помо-щью...

Номер патента: 1627601

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Ракитин, Раков, Федоров

МПК: C30B 29/30, C30B 33/10

Метки: волнах, лития, ниобата, поверхностно-акустических, подготовки, подложек, фильтров

...1 Л ОИНЫ 5(ЛОК ТРДВ,(ЦИ 51Пг)и.)( г) I. 10 пц;ь 1 ожк и ( нио 6;т( .1 ития дидметроч 50 чм и толп(Но 1 мч с о;(ной стороны Илифуюг алманыч дбрдивм ло о 6 р( ц В ( н и 5 н (н (. й ч и к р о н р 0 В н Ост и Гл у нци 20 м кч. 11 оков;1 01 ь ил(еря к)т и; прфи,цгрдф(-профГол( гр н;1 пяти рд - ,изныл отрнкдк. 11 ц.ьо кку 06 рдбдтывдк; н рави (,е и ( У(П/ь нгр Ол,(ц 240 (:,И ци( 1 О чн. 1 ц,л ;1 о Ин( ркнцсь ,м 6 ипци ячцк Гр;н 1 ня,)81;) л(кч, 11 ылцл и)лложек в 0,(нук п 1 нлук(ию тгяц,учния фильтров нд поверкностпо-акусти искик Вцлндк 1(Н)".П(и, р 2 110.1 ожкирис цтдвливдк)т к( к (при л 1 ре. Иц ил 1(Н 5 к)т ВИ.1, и ст( и(.нь лилН(кц) 06 р;160 тки, сос:и( 1 р;Вит(,1 я,ЛПрдтурЛ И .ЬИт.ЬНОТЬ тр;ГкСиня 2104(:1 О(.1 11,11 ОБ)л 11 111 ;(л 1. )л 1...

Номер патента: 1673550

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Абдусаламов, Бобкова, Гласова, Зверева, Папко

МПК: C03C 8/02

Метки: подложек, стальных, стекло, электроизоляционное

...печь. Скорость подъема температуры в печи 250 С в 1 ч, время выдержки при максималь ной температуре варки (1400 С) 1 ч. Стекло массу вырабатывают методом отливки в Од воду для получения гранулята. Последний (Л высушивают и раэмалывают в планетарной (Л мельнице. Нанесение изолирующего по- С) крытия на металлические подложки (сталь 15 Х 25 Т) проводят методом трафаретной печати. Нанесенные покрытия сушат в муфельной печи при 100 С, после чего обжигают в электрической конвейерной печи при 700 С.Изготовление образцов для определения физико-механических свойств стекол осуществляют методом отливки в стальные формы с последующим отжигом при 570 С1673550 вгог 13,В 124 11,О 1 О,713,65 4 О,В,О,3,9 4,5 4,5,3 62 7,О 666 57,3 58,2 Вао 56,5 65,94...

Номер патента: 1734884

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Ильин, Филин

МПК: B08B 3/08, B08B 7/04

Метки: металлических, оптических, подложек

...чной концентрации БТА продолжает расти после образования монослоя до 35 создания пленки толщиной 3000-40000,Рост толстых пленок СцБТА обычно включает перенос ионов Сц через поверхность пленки. Эти ионы на границе твердая фаза/жидкость реагируют с ионами БТА, со здавая дополнительный слой пленки, Приэтом атом меди захватывается через координационные связи с атомами азота в триазольный цикл с образованием химических связей, причем подвижный атом водорода в 45 группе Н замещается Сц, а второй атом Сцсвязывается координационной связью с ненасыщенным атомом азота в кольце.Данные по частотному распределениюв твердом БТА показывают, что пленка Сц50 БТА имеет двухзубчатую структуру комплекса меди:/И,МгИД50 55 Такой специфический характер...

Номер патента: 1741032

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Бородин, Волков, Иванова, Рафельсон

МПК: G01N 21/88

Метки: поверхности, подложек, чистоты

...теневого и преломленного изображений капли жидкости, полученного на матовом экране после нанесения капли жидкости на исследуемую поверхность,При значениях краевого угла смачивания О5 измерение диаметров становится затруднительным, поскольку разница диаметров теневого и преломленного изображений становится трудно различимой,Цель изобретения - упрощение контроля чистоты поверхности подложек и повышение точности измерений степени чистоты поверхности подложек при значео ниях краевого угла смачивания5 .Поставленная цель достигается тем, что в устройстве контроля чистоты поверхности подложек, содержащем источник света, дозатор капель рабочей жидкости и регистрирующее устройство, последнее выполнено в виде фотодиода, подключенного к пиковому...

Номер патента: 1405361

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Глушко, Кричков, Помазенко, Пушных, Савостиков, Сергеев

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, ионно-плазменной, подложек

...счет сил трения части нижней торцовой поверхности с рифленойповерхностью выступа приходят но вра -щательное движение вокруг собствен 140536115 20 25 30 35 40 50 ной оси и проходят через зону обработки ионным пучком как от верхнего,так и от бокового источника ионов.Таким обра зом, обработке поднергаются верхняя торцовая и боковая поверхности подложек 7. При необходимостина вращающиеся подложки 7 можно подать регулируемый (от 200 до 70000 В)эдектрический потенциал и, не снимаяего, переместить подложки 7 иэ однойпозиции обработки в другую.Во второй позиции 4 обработка осуществляется аналогичным образом (сосменой вида рабочего вещества - ионовв зависимости от требований техпроцесса).В позиции 3 обработки можно осуществить процесс...

Номер патента: 1775752

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Банный, Петкевич

МПК: H01L 21/00

Метки: базовому, ориентации, подложек, полупроводниковых, срезу

...полупроводниковую подложку на полный оборот, осуществлять преобразование профиля подложки в электрический сигнал, анализировать в нем количество импульсов, находить из них наибольший,Использование вместо датчиков угла поворота и базового положения кругового потенциометра с линейным сигналом, зависящим только от угла поворота столика, позволяет находить середину наибольшего бокового среза путем нахождения полусуммы величин сигнала от этого же потенциометра в моменты открытия и перекрытия оптронной пары регистратора базового среза, Уравнивание сигнала потенциометра с вычисленной полусуммой приводит к подводу середины базового среза подложки к базовой точке, т,е, к ориенггцгги подложки в базовом положении. На основании вышеизлокеннпго,...

Номер патента: 1685210

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Пузиков, Семенов

МПК: H01J 27/08

Метки: ионами, подложек, углерода

...образом, за счет перезарядкипучка ионов с повышенной энергией (70- 100 эВ) в потоке собственных нейтральных атомов, формируется интенсивный поток, 15 вторичных медленных ионов, энергия которых может быть предельно малой. Если .сравнивать интенсивность первичного пучка ионов с энергией 20 эВ с интенсивностью потока вторичных ионов с той же энергией, 20 полученных в результате перезарядки первичных ионов с,энергией 100 эВ, то интенсивность потока вторичных ионов оказывается больше примерно на порядок величины,На фиг. 1 схематично изображено пред лагаемое устройство; на фиг,2 - график зависимости тока первичных и вторичных ионов на подложку от потенциала дополнительного электрода, приведенного к потенциалу извлекающего электрода, где кривая...

Номер патента: 1816331

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Варнаков, Грибов, Кирюхин, Родионов, Шевякова, Шукшина

МПК: H01L 21/324

Метки: подложек, сушки

...они неравномерно прогреваются (хужепрогрев в центральной их части), что вызы-вает снижение качества осушенной поверхности, наличие на ней сыпи, точек, потекови неравномерное распределение гидрофобности. При создании интервала "Ь" между10 новременное попадание всех точек поверхности разогретых подложек из зоны высокой относительной влажности в зону с низкой относительной влажностью, в результате чего участки подложек, находящиеся внизу, за счет теплоотвода попадают в зону с низкой относительной влажностью 15 уже значительно остывшие, но недосохшие, что приводит к снижению качества осушенной поверхности и возникновению на ней 20 потеков, сыпи, а также к неравномерному распределению гидрофобности.При скорости вертикального вытягивания...

Номер патента: 1190871

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, подложек, полупроводниковых, транспортировки

...пазы 9, по шагуи размерам соответствующие пазам втрубках, 0 одной стороны штоки 8 подпружинены пружинами 10, а с другойстороны своими торцевыми поверхностями контактируют с эксцентриками 11,жестко сидящими на поворотной оси 12и имеющими ручку 13. Эксцентрики .11 2 Ои пружины 1 О служат рля фиксации. иосвобождения полупроводниковых подложек 14 и защитных экранов (или другихполупроворниковых подложен) 15.Один из штоков 8 имеет продолжение 25в виде втулки 16, проходящей черезстойку 1, на которой, жестко закреплена планка 17, которая другим своимконцом соединена с нижним подвижнымстержнем 5, илеющил возможность пере мещаться в соосных отверстиях в стой"ках 1.Пазы 6 в неподвижном стержне 4 выполнены так, что при взгляде (наблю"дателя) на...

Номер патента: 2002337

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Зорина, Иванов, Кудрявцева, Кулик

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, плазменного, подложек, полупроводниковых

...требованием получения равномерной воронки в зоне слияния плазменных струй. Примесь в газообразном состоянии по трубе вводится в зону слияния струй. В среде плазмы, нагретой до температуры 10 К, осуществляется полная диссоциация, активация и частичная ионизация газов плазменного потока и материала примеси. При соударении этого потока с поверхностью подложки под действием температурных и ионизационных факторов происходит одновременное осаждение и внедрение легирующей примеси в подложку с образованием тонкого легированного слоя. Затем прекращают подачу примеси и продолжают обрабатывать подложку при пересечении ей плазменного потока по меньшей мере один Раз, осуществляя тем самым дальнейшее внедрение примеси и плазменный отжиг. В...

Номер патента: 1766045

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Журавлева, Кузнецова, Товмасян

МПК: C03C 3/066

Метки: индикаторов, подложек, стекло, электролюминесцентных

СТЕКЛО ДЛЯ ПОДЛОЖЕК ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИНДИКАТОРОВ, включающее SiO2, Al2O3, B2O3, As2O3, отличающееся тем, что, с целью снижения температуры варки и повышения температуры начала деформации, оно дополнительно содержит CaO, MgO, SrO, ZnO при следующем соотношении компонентов, мас. % :SiO2 25,4 - 29,7Al2O3 34,2 - 37,5B2O3 12,5 - 12,7As2O3 0,2 - 0,4CaO 13,0 - 16,8MgO 1,9 - 2,1SrO 3,7 - 7,3ZnO 0,6 - 3,0

Номер патента: 1105075

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бакун, Брюхно, Долгих, Матовников, Огнев, Четвериков

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, монокристаллических, подложек, пьедестале, размещения

СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ при газофазном осаждении на них полупроводниковых слоев, включающий установку подложек на пьедестал с закреплением на стержнях, съем подложек с осажденными слоями с пьедестала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных подложек с осажденными слоями за счет уменьшения вероятности их разламывания при съеме, при установке подложек на пьедестале биссектрису угла между двумя смежными плоскостями преимущественного разрушения каждой подложки ориентируют параллельно плоскости, проходящей через оси стержней.

Номер патента: 1634054

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Зайдлин, Зайцев, Кононов, Красников, Нестеров

МПК: H01L 21/316

Метки: кремниевых, окисления, подложек

...для ввода окислителя, щелью 4, отверстиями 5 и 6 для ввода и вывода парогазовых смесей, подвижной заслонки 7, подложкодержателя (кварц) 8, кремниевых подложек 9, заглушки 10 реактора (кварц).Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии подвижная заслонка 7 входит в щель 4 в реакторе и разделяет его на,две части, Щель в реакторе выполнена шириной 12 мм на 3/4 его диаметра. Реактор свободен от заглушки 10. Кремниевые подложки 9, помещенные на подложкодержатель 8, загружают в переднюю часть реактора 2 перед заслонкой 7 и крышку реактора закрывают, Затем в отверстие 5 вводят парогазовую смесь (например, смесь паров соляной кислоты с азотом), которая, очищая кремниевые подложки, выходит через отверстие 6 и зазор между...

Номер патента: 1671057

Опубликовано: 30.09.1994

Автор: Ряхин

МПК: C23C 14/00, H01C 17/00

Метки: белого, керамических, микрозагрязнений, обнаружения, поверхности, подложек, резисторов, тонкопленочных, цвета

СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МИКРОЗАГРЯЗНЕНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК БЕЛОГО ЦВЕТА ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий термическое испарение в вакууме и конденсацию материала-анализатора на поверхности подложки при комнатной температуре и последующее выявление микрозагрязнений путем визуального контроля наличия темносерых участков конденсата материала-анализатира на поверхности подложек, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности, в качестве материала-анализатора используют цинк, а его термическое испарение и конденсацию осуществляют при величине вакуума (3,99 - 13,3) 10-3Па.

Номер патента: 1544170

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Борисов, Воробьев, Петрова, Тельминов

МПК: H05K 3/44

Метки: гибридных, микросхем, подложек

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий получение стеклопорошка путем измельчения гранулята стекла, нанесение на металлическую подложку слоя стеклопорошка методом электрофореза из суспензии, содержащей стеклопорошок и алифатический спирт, формирование покрытия из ситаллоцемента путем термообработки слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложек за счет улучшения равномерности покрытия по толщине и снижения его дефектности, перед измельчением гранулят стекла подвергают термообработке в течение 30 - 45 мин при температуре, равной 0,97 - 1,03 температуры размягчения стекла.

Номер патента: 1466260

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Андреев, Григорьев, Луценко, Попов, Саблев, Ступак

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, подложек

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ВАКУУМЕ, содержащее подложкодержатель, электрически изолированный от рабочей камеры, электродуговой испаритель, оптически не прозрачный экран, разделяющий рабочую камеру на два отсека, в одном из которых установлен электродуговой испаритель, а в другом - подложкодержатель, и анод несамостоятельного газового разряда, источник питания электродугового испарителя и регулятор температуры подложкодержателя, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, в качестве катода несамостоятельного газового разряда использован катод электродугового испарителя, при этом положительная клемма источника питания электродугового испарителя соединена с общим выводом двухпозиционного переключателя, управляемого...

Номер патента: 646705

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Жидков, Лизин, Романова

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, окисления, подложек

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИИ И ОКИСЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК, содержащее реактор с нагревателями, соединенный с системой ввода газа-реагента и инертного газа, отличающееся тем, что, с целью повышения равномерности глубины диффузии по подложке, реактор выполнен в виде двух коаксиальных труб, входы которых соединены соответственно с системами подачи инертного газа и газа-реагента, а выходные отверстия соединены между собой, причем на цилиндрической образующей внутренней трубы выполнены отверстия для подвода газа-реагента.