Патенты с меткой «подложек»

Номер патента: 1814451

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Неустроев, Родионова

МПК: H01L 21/467

Метки: локального, олова, подложек, растворов, свинца-теллурида, твердых, теллурида, травления

...из компонентов смеси - метана в смеси с водородом для травления полупроводниковых соединений. В заявляемом изобретении используется смесь другого состава.В отличие от процесса по прототипу, где для травления ОаААз используют образующий плазму газ, содержащий треххлористый бор и хлор, в описываемом способе травления щелей твердого раствора теллурид свинца-теллурид олова проводят продуктами распада смеси метана и аргона, позволяющем увеличить скорость травления, понизить температуру нагрева, повысить разрешающую способность, устранить использование высокотоксичных веществ.Как показывают экспериментальные данные, наилучшими условиями плазмохимического травления щелей в подложках твердых растворов теллурид свинца-теллурид олова...

Номер патента: 1779198

Опубликовано: 10.03.1996

Автор: Зайдман

МПК: H01L 21/00, H05K 3/00

Метки: металлодиэлектрических, подложек, покрытий, стеклокристаллических, термообработки

УСТРОЙСТВО ТЕРМООБРАБОТКИ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК, содержащее камеру нагрева с размещенным внутри нее конвейером, средство изменения скорости перемещения подложки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытия, оно снабжено подложкодержателем, выполненным в виде двух профилированных стрержней из жаростойкой стали с упорами на их концах, скрепленных между собой в центре тяжести каждого стержня, и теплопроводящей пластины с упорами, жестко соединенной со стержнями одним своим концом, причем упоры пластины выполнены из материала с большей теплопроводностью и с большим поперечным сечением, чем упоры стержня, средство изменения скорости перемещения подложки выполнено в виде лебедки, барабан...

Номер патента: 1628838

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Космодемьянская, Шурова

МПК: H05K 3/26

Метки: гибридных, интегральных, микросхем, подложек

...воздухом. Далее подложкипоступают на визуальный контроль качества очистки. Показатели качества очисткиприведены в таблице,15 Как следует из таблицы, состав обеспечивает качественную очистку подложек гибридных микросхем от канифольного флюсав процессе монтажа. Отклонение значенийсопротивлений резисторов после очистки от2 первоначальных составляет +0,6. Повышается стабильность процесса УЗ-сварки,увеличивается прочность сварного соединения. Отсутствуют механические нарушенияповерхности (изолирующей, проводниковой, резистивной). Выход годных увеличивается до 100,1628838 Продолжение таблицы Выход годных,Способность к Качество очиПример разварке стки Канифоль флюс не обнаружен0,016 2 3 4 5 6 7 100 100 100 100 100 71 6,5-8,0 6,5-8,5 6,5-9,5...

Номер патента: 524440

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, подложек

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по высоте внутри углублений, пластину вначале анодируют в местах консольных навесов, затем покрывают эти места защитной пленкой и анодируют остальную часть пластины до тех пор, пока не будет достигнуто требуемое возвышение уровня поверхности окиси алюминия над уровнем навесов.

Номер патента: 1706235

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Барвинок, Богданович, Журавлев, Козлов, Малкин, Плотников, Хомов

МПК: C23C 14/34

Метки: диэлектрических, подложек, разряде, тлеющем

Устройство для обработки диэлектрических подложек в тлеющем разряде, содержащее рабочую камеру, подложкодержатель, нагреватель-катод и источник питания нагревателя-катода, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и расширения функциональных возможностей, катод выполнен в виде гирлянды из нескольких подвижных трубок, электрически соединенных между собой с возможностью изменения конфигурации по форме обрабатываемой подложки.

Номер патента: 1114258

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Латута, Марончук, Носовский, Тузовский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, подложек, термической

Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают нерабочие стороны подложек до температуры 900 - 1200oC.

Номер патента: 1530020

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кантер, Федоров

МПК: H01L 21/68

Метки: крепления, подложек

Устройство для крепления подложек, содержащее основание и установленные на нем держатели в виде пружинной скобы с изогнутыми концами в плоскости держателя, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, концы держателя выполнены с дополнительным изгибом в плоскости, размещенной под углом к плоскости держателей.

Номер патента: 1662127

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Лубышев, Мигаль

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, нагрева, подложек

Устройство для нагрева подложек в вакууме преимущественно к установкам молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащее корпус с размещенными в нем нагревателем и держателем подложек, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения однородности температурного профиля на подложках, нагреватель снабжен тепловыравнивающими пластинами из пиролитического нитрида бора и размещен между ними, при этом плоскости спайности пластин параллельны нагревателю, а толщина каждой пластины менее 4 мм.

Номер патента: 1748579

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Мажирин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, подложек, профиля, распределения

Способ определения профиля распределения параметров материала подложек, включающий изготовление химического среза подложки путем вертикального погружения ее в травитель с последующим постепенным ее подъемом из травителя и измерение значений параметра материала подложки вдоль поверхности химического среза, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения профиля параметров, перед изготовлением химического среза подложки теоретически или по результатам предварительных измерений рассчитывают в виде кусочно-линейной функции приближением П(х) для искомого распределения параметра по глубине х подложки, травитель выбирают обеспечивающим скорость Т травления материала подложки...

Номер патента: 1105022

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Кутилов, Покрышкин, Сигалов

МПК: G01N 21/47, G01N 21/88

Метки: качества, поверхности, подложек, полупроводниковых

Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек, содержащее смонтированный на станине предметный столик, расположенные на одной оптической оси лазер, коллиматор и полупрозрачное зеркало, видикон и видеоконтрольное устройство, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения качества контроля, оно дополнительно снабжено механизмом разделения потоков, состоящим из штыревых фиксаторов, пневматического сопла и светочувствительных датчиков положения полупроводниковой подложки, блоком импульсов запуска, генератором развертки, ключом, видеоусилителем, первым компаратором, задатчиком уровня срабатывания первого компаратора, первым счетным...