Патенты с меткой «подложек»

Номер патента: 674680

Опубликовано: 15.07.1979

Автор: Тимоти

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектрических, металлизации, подложек

...мощностью 100 Вт на расстоянии 50 см подложку погружают в раствор содержащий 0,1 вес,ч, хлористого палладия, 10 вес.ч, соляной кислоты и 5 1000 вес.ч. воды. По истечении 1 мин пластину вынимают, промывают водой и погружают на 30 мин в раствор для химического никелирования, содержащий вес.ч.: 10Хлористый никель 25Яблочная кислота 65Глюконовая кислота 55Аммиак водный(уд.в, 0,83) До рН 9 15Гипофосфит натрия 35В результате получают металлический рисунок, Электропроводность полученного никелевого покрытия достаточна для осуществления гальванического процесса при наращивании металла до заданной толщины. П р и м е р 2. В качестве подложки используют полиэтилентерефталатнуюпленку. Две пленки покрывают лакомиз алкидной смолы и на их...

Номер патента: 705432

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Стеклов, Харжевский

МПК: G05D 23/19

Метки: микросхем, подложек, стабилизации, температурной

...подключен к средней точке делителя назерморезисторе 7 и резисторе 11.Второй, третий и четвертый входы сум"матора подключены:к блоку оптимизации 12, выполненному на вычитателеЪ 13, ВС-цепочке 14, 15, коьпараторе16 и формирователях импульсов 17, 18представляющих собой ждущие мультивибраторы импульсов положительной иотрицательной полярности. В цепьотрицательной обратной связи компа-,ратора 16 включена схема ограничения,выполненная на стабилитронах 19, 20.Цепь неинвертированного входа компаратора 16 состоит из резисторов 21, 22. Устройство работает следующим образом. При д Тд Ф 0 измерительный мост ., 8 разбалансируется. Напряжение разбаланса поступает на вход усилитеВ зависимости от знака раэбаланса термобатарея поглощает или выделяет...

Номер патента: 732219

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Дроздова, Китаев, Кузина, Левкович, Пырченков

МПК: C03C 15/00

Метки: керамических, металлизацией, подложек

...нат.рева ортофосфорной кислоты цоо260-290 С и выдержки при этой температуре в течение 50-70 мин. При этом происходит образование пирофосфорной, а затем - метафосфорной кислоты,732219 которая является более активной, чем иохоцная ортофосфорная кислота, лен аоо-ЪооС3 4 4 а 1 г Источники информации,принятые по внимание при экспертизе 1. Патент Японии Иц 50-9269,31 кл, 99/5, С 3 опублик, 1975,2 Л.Ма 1 ег Бс 1, 1972, Мо 11,р, 1280-1284, Составитель Е. ХвощеваРедактор И, Гохфельд Техрец Э, Чужик Корректор Т. Синицкая Заказ 1643/15 Тираж 528 Подписное ЦНИИПИ Госуцарственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набц. 4/5филиал ППП Патент, .г. Ужгороц, ул, Проектная, 4 П р и м е р 1. Поцложку из поликора с...

Номер патента: 753498

Опубликовано: 07.08.1980

Автор: Олеськив

МПК: B08B 3/02

Метки: подложек, сушки

...каретке выполнены держатели 4 в виде колодок, охватьувающих торцы трубок Ч -образного колена с проушинами 5, Крепление держателей 4 к трубчатой головке осуществляется винта ми 6.3 753Для распыления воды или пара вЧ -образном колене 2 и двух контурах 1 просверлены отверстия 7. Работает устройство следующим образом. С помощью держателей 4 устройство крепигся к токовым штырям подвижной карстки камеры на чертеже не показано). К штуцеру 3 присоединяется шланг для подвода воды или водяного пара под давлением 2-4 атм, 10Под действием каретки, перемещаемой алектромеханическим приводом, устройство со верша ет возвратно - поступательное движение вдоль фронта подложек, установленных в контейнере. Вода или пар 15 под давлением распыляются через...

Номер патента: 790041

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Курыло, Рагульскис, Шаткус

МПК: H01L 21/77, H05K 3/00

Метки: ориентации, подложек

...выполнено. четыре паза 2, расположенных в форме креста. В пазах 2 упруго, например, прн помощи пружин 3, установлены стержнсобразные пьезокерамические элементы 4. Электроды стержнеобразных пе .;ке790041 каз 9046/52 Тираж 844 Подписно "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ВНИИПИ филиал П рамических элементов расположены на боковых (вертикальных) плоскостях и разделены накрест на четыре зоны 5,6,7 и 8.На концах пьезокерамических элементов 4 жестко закреплены пластины 9. На пластинах 9 помещен с возможностью фрикционного взаимодействия столик 10.Устройство работает следующим образом,При подключении двух напротив- лежащих зон, например 5 и 8, стержне- образных пьезокерамических элементов 4 к источнику высокочастотного напряжения через...

Номер патента: 822081

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Гераскин, Гудков, Слепнев, Федотов

МПК: G01R 27/26

Метки: подложек, сверхвысокочастотное, устройстводля

...8 запускаются триггеры 9 и 10, фиксация.состояния которых осуществляется сигналом с выхода дифференциатора 12, 25 в котором формируются импульсы в момент обратного хода пилообразного напряжения, посредством которых осуществляется также тактирование всех операций, необходимых для циклической 3 работы устройства.Перепады напряжения с выходов триггеров 9 и 10 постугают на входы формирователя 11, длительность импульсов на выходе которого пропорциоб 35 нальна частотному сдвигу между резонаторами 3 и 4.При измерении диэлектрической проницаемости образец предварительно помещается в датчик 14, при этом на выходе преобразователя 15 формируется и запоминается цифровой код, пропорциональный средней толщине измеряемого образца, Посредством блока 13...

Номер патента: 826264

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Берлин, Старосельский

МПК: G03G 5/00

Метки: верхности, известный, носителяоднако, обеспечиваетнеобходвмой, однородности, подложек, спсх, удается, фвзвческой, чистоты, электрофотографического, этом

...брака при пониженных требованиях к механической обработке,Указанная цепь достигается тем, что после механической обработки поверхиос ти заготовок подложек, например по 6- 7 классу, ее обезжиривают любым известным методом, например с помощью органического растворителя, покрывают споем грунтовочного материала толщиной не менее вепичины шероховатости поверхнос ти, например слоем лака МЛтопши ной 10-20 мкм, сушат, а затем метаппизируют в вакууме, например алюминием. При этом по любому краю подложки обеспечивают электрический контакт металпнзационной пленки с подложкой. Достаточная толщина метаплизапионной ппенки 0,05-0,1Предлагаемый способ подготовки под еожек позволяет обеспечить высокую фиИсточники информации,Фпринятые но внимание при...

Номер патента: 835980

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Зелионкайте, Кривенко, Сидаравичюс, Таурайтене

МПК: C03C 23/00

Метки: поверхно-сти, подложек, покрытия, удаления

...крупнопористого силикагеля, Колбу подсоединяют к обратномухолодильнику и кипятят в те чение 25 мин, После чего в этот раствор помещают образец дюралиминиевой подложки электрофотографического . цилиндра (размер образца 2 х 25 х 55 мм) с покрытием триселенида мышьяка тол щиной около 20 мкм и раствор.с образцом кипятят в течение 40 мин.,- т,е. примерно в 4 раза дольше, чем этого требуется для полного растворения покрытия. Поверхность подложки полностью сохранилась, на ней не обнаружено ни малейшего дефекта: ни цветных пленок, ни пятен, ни каких-либо заметных изменений,П р и м е. р 2. К 5 л 70-ного раствора эхилендиамина, в реакторе из нержавеющей стали добавляют 0,05 гранулированного мелкопористого силикагеля и .раствор...

Номер патента: 856061

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Вигант

МПК: H01L 21/77

Метки: выгрузки, кассета, кассету, микросхем, нее, подложек, поштучной, преимущественно, прямоугольных, способа, укладки

...сечения. На каждой стенке 1 с наружнойстороны укреплен кронштейн 3. Кассета содержит две пары пластин 4-образной формы. Пластины могут повора- Щчиваться в кронштейнах 3. В замкнутом положении пластины 4 удерживаются с помощью пружин 5. Для удержаниястопы прямоугольных подложек 6 корпус размещен между полками пластин-образной формы,На фиг. 3 обозначены совмещаемыеповерхности 5 прямоугольных подложек,выступающие за пределы совмещаемыхповерхностей концы О. прямоугольныхподложек, боковые кромки Ь выступающих концов.Кассета работает следующим образом.Укладывают прямоугольные подложкив стопу с разворотом в горизонталь- З 5ной плоскости относительно другдруга на 90 о, как показано на фиг.З.Затем стопу укладывают в кассету,фиксируя от...

Номер патента: 871229

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Александров, Малинова

МПК: H01C 7/112

Метки: керамический, материал, нелинейных, подложек, резисторов

...содержит окись магния при следуюшем соотношении компонентов, весЛ:Окись цинка 10-70Окись магния 30-90Для получения керамического материала для изготовления подложек нелинейных резисторов было приготовлено четыре смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: окиси цинка 10; 40; 6 О;70 и окиси магния 90; 6040; 30.Каждая смесь спекалась отдельно, и из полученного керамического материала были изготовлены пластины и диски, ко торые использовались в качестве подложек для обжига оксидноцинковых резисторов диаметром 60-80 мм и толщиной 10-25 мм.Коэффициент нелинейности оксидноцин ковых резисторов, обожженных на много кратно использованных псдлсокках иэ прей лагаемого керамического материала, ха рактеризуется высокой стабильностью871229ф орм а и...

Номер патента: 871353

Опубликовано: 07.10.1981

Автор: Коледа

МПК: H05K 3/14

Метки: масок, напылительных, подложек, совмещения, установок

...вводом9. Он может также перемещаться повертикали с помощьв вакуумного ввода 10.Держатель З.выполнен в виде подвижной рамки, установленной на неподвижном диске 1 с воэможностьювзаимно перпендикулярного перемеще ния.Штифты 11 и отверстия 12 предназначены для предварительного совмещения дисков 1 и 2,Толкатель 13 снабжен роликом 14,аподвижный диск 2 имеет наклоннуюплоскую пружину 15, предназначеннуюдля перемещения толкателя 13 в радиальном направлении вдоль диска 1при опускании диска 2. Упоры 16 икромки 17 держателя 3 предназначеныдля окончательного точного совмещения маски 4 с подложкой 6.При помощи шариков 18 и пружин19 держатель 3 подвижно связан столкателем 13. В исходном положении толкатели прижаты к штифтам 20плоскими пружинами...

Номер патента: 879681

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Гаврилкин, Лысенков

МПК: H01L 21/00

Метки: базовому, ориентации, подложек, полупроводниковых, срезу

...двух сторон приводного ролика и установленными своэможностью их перемещения перпендикулярно базовому срезу подложки.На фиг. 1 изображен общий видустройства ориентации; на фиг. 2устройство ориентации в момент базирования,Устройство ориентации содержитоснование 1 (фиг. 1, ), на которомориентируется полупроводниковая подложка 2 с базовым срезом 3, в основании выполнены ориентирующие сопла 4, по которым подается воздухдля создания воздушной подушки между основанием, и подложкой, а такжеустановлены упорный ролик 5 , приводной ролик 6 для вращения подложки, вращаемый приводом 7, базирующий упор 8, дополнительные базирующие упоры 9 и 10, фиксаторы 11и 12 базирующих дополнительных упоров.Устройство ориентации работаетследующим образом.Подложка 2...

Номер патента: 881897

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Эрхард

МПК: H01L 21/68

Метки: круглых, ориентирования, подложек

...направляющую 4, в продольном направлении имеются проемы 12 и 13.Устройство работает следующим обраеом.Подлежащие ориентированию подложки 9, имеющйе на кромке лыску 14, 881897укладываются в любом положении наопору 8 у левого конца направляющей 4,так, что кромка помещается на опоре,а лыска - на направляющей 4. Опора 8при помощи приводного механизма 5через ременную передачу 10 и ролик 6линейно движется в направлении, показанном стрелкой С, относительнонаправляющей 4. Силы трения, возникающие в точке соприкосновения междуопорой 8 и кромкой подложки 9, перемещают последнюю в направлении движения опоры 8. А на поверхности прилегания подложки 9 к направляющей 4при движении создаются относительнопоследней моменты трения, противоположного...

Номер патента: 883849

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Кириенко, Лазарев, Овсяник, Шевченко

МПК: G03C 5/00

Метки: загрязнений, кинофотоматериалов, поверхности, подложек, удаления

...Воздух, проходячерез выходную щель головки 3, смешивается с ПАВ из камеры,б, такимобразом, на выходе головки 3 получается струя аэрозоля ПАВ. Частицы аэро. золя бомбардируют и открывают загрязнения с подложки 2. Избыток аэрозоляотсасывают из камеры 8 насосом 10.ПАВ из отсасываемого аэрозоля отделяютво влагоотделителе 11 и снова подаютв бак 13. Сжатый воздух от насоса 10поступает также в камеру 7 воздухонагнетающей головки 4. Струя воздуха,выходя из щели головки 4, обдуваетповерхность подложки 2 и удаляет снее оставшееся ПАВ. Образующийся при этом туман отсасывают из камеры 9насосом 10.П р и м е р. На подложку кинсфотоматериала наносят частицы мелкорис 5 персной сажи. Длина участка загрязняемой подложки составляет 200 мм. Спомощью...

Номер патента: 891588

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Ботвинкин, Плетнев, Плетнева, Столбова

МПК: C03C 17/06

Метки: диэлектрических, подложек, раствор, серебрения, химического

...2, слегкаперемешивают и вливают в кювету,куда уже помещены подготовленные детали,заранее залитые водой, Воду спускают 55 и вместо нее немедленно вливают объединенный серебрильный раствор 1 и 2.Серебрение проводят при покачиваниикювет, при этом количество раствора,Азотнокислое сереброГидроокись калия илинатрия 25 -ная гидроокись аммония Глюкоза 1,1 - 3,5 0,41 - 0,640,1 - 1,07 5 89 влитого в кювету должно быть таким, чтобы на 0,5 см закрывать сверху все детали. Покачивания кюветы производят до визуального определения полноговосстановления серебра, т.е. до зна"чительного появления шлама в течение8-15 мин. Если необходимо получитьтолщину слоя серебра от 0,5 до 1 мкм, то сереберение второго слоя продляют до 23 мин. Образовавшийся шлам...

Номер патента: 891800

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Бай, Малинина, Панов, Педос, Прокопук, Шагина, Шевакин

МПК: C23C 13/00

Метки: гибких, охлаждения, подложек

...подвода и отвода охладителя 7, выполненных 35в виде труббк с отогнутыми концами8 и 9, резервуар 10 с теплопроводящей жидкостью 11, обеспечивающий компенсацию потерь жидкости в процессеработы, направляющий ролик 12, приемный гаспель 13 и гибкая подложка 14Механизм 2 содержит две бесконечные ленты 15, установленные по краямбарабана 5, сепаратор 16, два транс-портных ролика 17, два прижимных ролика 18 на пружинной подвеске 19, системы 20 охлаждения и механическойочистки ленты 21.1Устройство работает следующим образом.Гибкая подложка 4 транспортируется с размоточного гаспеля 3 на приемный гаспель 13 через направляющиеролики 4, 12 и барабан 5, который может нагреваться до любой необходимой температуры, Проходя над тиглем1, гибкая подложка...

Номер патента: 902111

Опубликовано: 30.01.1982

Автор: Фатюнин

МПК: H01L 21/77

Метки: кассета, микросхем, подложек, преимущественно, химической

...продольное сечение,902111 тельные движения, обеспечивающие интенсивное перемешиваиие и взаимодействие реактива с их плоскостями, а слецова тельно, равномерную обработку этих плоскостей.Предлагаемоя кассета позволяет производить химическую обработку подложек различных размеров и формы равномерно по всей площади их плоскостей, а также качественную обработку в одном цикле как однотипных по форме и размерам, так и разнотипных подложек. Кассета для химической обработкипреимущественно подложек микросхем,содержащая корпус с гнездами, выполненными в виде фигурных пазов, и установленные между ними перегородки, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения качества обработки и расширения функциональных возможностей кассеты, расстояние между...

Номер патента: 911439

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Йакш

МПК: G03B 27/32

Метки: масок, микросхемы, подложек, совмещения

...подложки при ступенчато-шаговом способе.Известно. устройство для изготовления масок из фотолака, содержащее чувствительно перемещаемый столик, несущий изготавливаемую маску, механически соединенный с крестовым столиком, С помощью крестового столика маска грубо позиционируется. Точное позиционирование в направлениях координат Х и У вызывает бесприводный механизм точной установки, действующий между обоими столиками, работающий преимущественно на физическом эффекте (тепловое расширение, электроили магнитострикция) . Если для точного позиционирования маска должна быть повернута в плоскости ХУ вокруг определенной точки, то необходим дополнительный поворотный столик,оазмещенный на чувствительно перемещаемом столике и приводимый в движение...

Номер патента: 917365

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Ершов, Жукас, Рагульскис

МПК: H05K 3/00

Метки: ориентации, подложек

...пьезоэлектрический вибратор жестко закреплен одним концом на основании с обра 4 ованием зазора между своим торцом и координатным столом, выполнен в виде набора пьезокерамических секций и снабжен концентратором колебаний, установленным на свободном конце пьезоэлектрического35вибратора.На фиг. 1 изображено,.устройство, общий вид; на фиг.2 - то же, вид сверху; на фиг.3 - конструкция пьезоэлектрического вибратора. Устройство содержит основание 1 и координатный стол 2, установленный на основании 1 посредством упругих цилиндрических опорных элементов 3, один конец которых жестко закрепленна основании 1, а другой - на координатном столе 2, Для ориентации последнего устройство снабжено пьезокерамическими вибраторами 4"7, которые установлены...

Номер патента: 927863

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Макарова, Николаев, Парамонов, Яремчук

МПК: C30B 33/00

Метки: галлий-гадолиниевого, граната, подложек, полировки, химической

...приповерхностной вязкой пленке за счет постоянного подвода свежей порции раствора, обеспечить тем самым лучшие условия диффузии продуктов травления и обеспечить воспроизводимость результатов.Применение для быстрого охлаждения орто.или пирофосфорной кислот при 70 - 100 С позволяет облегчить отмывку подложек от продуктов травления при одновременной ликвидации термоудара; применение температуры ниоЗО же 70 С не всегда компенсирует термоудар - подложки имеют тенденцию к растрескиванию, при температуре выше 100 С может наблюдаться растравливание дефектов.Использование частоты вибратора в пределах 20-200 Гц обусловлено тем, что при более низких пределах вязкая пленка не разрушается, а более высокие пределы не оказывают влияния на...

Номер патента: 954916

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Волков, Прохоцкий, Ушомирский

МПК: G03C 5/00

Метки: подложек

...пленки и светочувствительного слоя. П р и м е р 1. Высокоразрешающиегалогенидосеребряные желатиновыеэмульсионные Фотопластины типа "Кода 1НВР" из партии, прошедшей срок хране- З 5ния 3 года (гарантийный срок хранения1 год) и забракованной из-за повышенной загрязненности поверхности фотопластин, выдерживают в 2-ном раство 40ре уксусной кислоты в течение 15 минпри комнатной температуре, споласкивают в этиловом спирте и покрываютпленкой стандартного лака ХСЛ, Гост 1313-55, вес.3:Перхлорвиниловая смола 2045Смесь растворителей бутилацетат (12):ацетон(26):толуол (62) До 100Высушенную (не менее 1 ч при комнатной температуре) пленку лака удаляютпутем отрывания с одного края при смачивании границы раздела пленка эмульсионный слой этиловым...

Номер патента: 957321

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Белоусов, Бурмистров

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, подложек, полупроводниковых

...и снабжены размещенными в них графитовыми стержнями 6 с диэлектрическими вкладышами 7, а в каждом графитовом стержне 6 выполнены пазы 8, совмещенные с пазами 3 и 4 каждого диэлектрического стержня, при этом диэлектрические вкладыши 7. одного графитового стержня размещены в каждом четном его пазу, а другого графитового стержня - и ка.кдом нечетном его пазу. Вкладыши 7 фик ируются в диэлектрическом стержне спомощью отверстия 9. В торцах графитовых стержней 6 предусмотрены резьбовые отвсрсгия (нс показаны) для крепления .оковедущих шин от внешнего источника 1 итания.Таки м образом, четные подложки 5, размсщенные в кассете, будут иметь:-лектричсский контакт с одним графитовым стержнем, а нечетные подложки - с другим. Набор гюдложек 5 в...

Номер патента: 957322

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Ершов, Рагульскис, Улозас

МПК: H01L 21/68

Метки: ориентации, подложек

...основании 2 на упругих элементах 4 и снаб 1 О жеп толкателями, выполненными в виде пьезокерамического элемента 5 и набора 6 пьезоэлементов, Пьезокерамический элемент выполнен из нескольких блоков 7. Набор 6 содержит пьезоэлементы 8, которые охвачены П-образной скобой 9. К последней приклеивается пьезокерамический элемент 5. Пьезоэлемент 8 набора 6 приклеивается к пластине 10 через держатели 11. Сама пластина 10 установлена на основании 2 посредством шарнира 12, В данной конструкции взяты два набора пьезоэлементов. В зависимости от перемещения их можно набирать блоком. Пьезокерамический элемент 5 закреплен на выступе 3 плиты шарнирно.Устройство работает следующим образом.При подключении постоянного электрического напряжения...

Номер патента: 974616

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Блюменталь, Карливан, Мужиц, Элексис

МПК: H05K 1/03

Метки: печатных, плат, подложек, прессматериала

...при. сутствии стабилизатора при следующем содержании ингредиентов, вес.%:20Перекись водорода 83Щелочь 6Стабилизатор 11Указанная смесь добавляется в количестве 30% от веса абсолютно сухих древесных опи лок. Длительность обработки 15 мин, После этого обработанные древесные опилки отмывают водой и рН древесной массы доводят до 8,0. Затем производится фильтрование древесной массы для отвода излишнего количества свободной воды. Полученную древесную массу пропитывают 35%.ной смесью бензиловых спиртов. Сушат древесный пресс - материал при 338 К. Продолжительность прессования 1,2 мин на 1 мм толщины изделия.35П р и м е р 2. Древесные опилки в количестве 0,1 кг (размер частиц 0,6 103,7 10 м и влажность 10%) обрабатывают горячей водой при...

Номер патента: 988786

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Ежовский, Елисеев, Иванова, Кольцов

МПК: C03C 17/245

Метки: поверхности, подложек, силикатных

...реагентов на поверхности недостаточно для образования сплошного слоя. Аналогичным образом определяется и диапазон используемых давлений. 9887 Обработку повторяют до 30 раз до полу- ЗО чения слоя двуокиси олова необходимой толщины (до 10 нм), обеспечивающей достаточно защитные свойства,Тип подложки Потери веса10 з гсм Толщинслояф 10 з Способ,010,0132,01с -- 2,0 10 ф Па в 4 ф а н и е, Обработка по прототипу проводится при Т = 350 1 ри На подготовленную предлагаемым способомповерхность напыляют в: вакууме слой ЗпОи далее проводят процесс фотолитографии,86 4П р и м е р 1, Подложки иэ ситаллаСТ.1 тщательно отмытые и обезжиренныев парах пропилового спирта помещают в вакуумную камеру и при давлении остаточныхпаров 510Па прогревают 15 мин при200...

Номер патента: 989397

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Палий, Рогачев

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионных, вакуумном, используемых, качестве, металлических, напылении, оценки, подложек, покрытий, полимеров, свойств

...результаты приведены в табл. 1.Иэ табл.1 видно,что при температуре пленки 50 фС адгеэиониая прочность соединений наиболее высокая. Этому режиму обработки соответствует и более высокий коэффициент конденсации. Краевой угол смачинания для такой обработки нельзя использовать н качестве критерия оценки ев качества: при всех режимах он практически не и. ечегся.Коэффициент конденсации, определен. ный прн толщине покрытия 0,5 и 10 нм, не зависит от режимов активационной обработки.П р и м е р 2. Проводят контроль качества обработки пленок полиэтилена перед нх механизацией свинцом, Обработку пленок осуществляют в тлеющем разряде при различных .режимах. Технологические режимы металлизацин и регистрации коэФфициента конденсации 10 такие же; как...

Номер патента: 1033467

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Абалдуев, Белолипцева, Попов, Севостьянов, Филипченко, Финкельштейн, Шофман

МПК: C03C 23/00

Метки: подложек, стеклянных

...нанесенной 67 2пленкой в процессе последующих технологических операций происходит резкое возрастание давления в микропорах, они раз,рываются, газообразные продукты выходят наружу, при этом в пленочном покрытии образуются дефекты в виде вспучивания, разрывов, проколов и т. д, Это приводит к снижению качества приборов, ихэксплуатационной надежности или к эабракованию вообще.Следствием неполного удаления продуктов гидролиза стекла может быть так,же ускоренное старение пленочного покрытия (бьгстрое изменение со временеммеханических, электрических, оптическихи других свойстВ пленок), что также приводит к росту производственного брака.Бель изобретения - повьпцение качества очистки,ФБель достигается тем, что согласноспособу очистки стеклянных...

Номер патента: 1039908

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Бальчюнас, Балюлис, Мельман, Сидаравичюс, Шелкова

МПК: C03C 23/00

Метки: поверхности, подложек, покрытий, стекла, удаления, халькогенидного

...55йайОЦили в расплаве солей, включающем,вес,3.55йаИО, ЦПри температурах ниже 250 С такжепроисходит снятие покрйтия, но скорость его удаления очень низка - менее 1 мкм/мин. При температуре расплава, превышающей 380 С, происходитнекоторое повреждение поверхностидюралюминиевой подложки и для ее повторного использования необходймадополнительная переполировка.Приудалении покрытий халькогенидных стекол с поверхности подложек ихрастворение не происходит, Это подтверждает химический анализ удаленных покрытий после извлечения их израсплавов солей механическим способом,промывки водой и сушки, Во всех.слу.чаях состав удаленного покрытия в пределах точности анализа соответствовалсоставу исходного материала. Кромеэтого, использование удаленных...

Номер патента: 1061196

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Данилов, Королев, Первушин, Синицын

МПК: H01L 21/68

Метки: держатель, подложек

...вакуумного отсоса, и опорную поверхность из эластичного материала с углублениями 2 3.Однако в известном держателе под- .25 ложек фиксация подложек недостаточно надежна, так как отсутствуют средства регулировки усилия прижима и средства, предотвращающие попадание загрязняющих элементов в канал ваку" умной системы.Цель изобретения ; повышение надежности фиксации подложек.Цель достигается тем, что держатель для подложек, содержащий стол с полостью, соединенной с каналом вакуумного отсоса, и опорную поверхность из эластичного материала с углублениями, снабжен размещенной над полостью стола эластичной пленкой с элементами регулировки ее натяжения 40 а углубления на опорной поверхности выполнены в виде концентрических кольцевых канавок,.в...

Номер патента: 1154301

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Бейдер, Иванов, Красовский, Сташкевич

МПК: C09D 3/28, C09D 3/40

Метки: лака, подложек, резиновых, черного

...перегревами реакционной смеси, получаемый в конечном счете оксидат для изготовления из него лака не пригоден совсем. 42. Стадия варки лаковой основы включа.ет операции эагруэки оксилата стадии 1, ии.дудина, выхода на исходнь 1 й температурныйрежим 115-120 С при перемепгивании (этиоперации совме 1 цены во времени 1, ввод се.ры порциями по 2 - 5% от загрузки черезкаждые 0,5 - 1,5 мин, фактизацию лаковойосновы при 120.-145 С, самопроизвольноменяющейся от нижнего предела к верхнемув результате теплового эффекта реакции, иразбавление уайт-спиритом до промежуточныхили конечных параметров лака, Длительностьстадии 4 - 5 ч.На стадии варки лаковой основы нежелаотелен подъем температуры выше 140 - 145 С,так как понижается растворимость основы...