Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния

Формула

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350 450oС в течение 3 12 ч.
3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что компоненты металлического слоя используют в следующем соотношении, мас.
Цирконий 23 30
Ниобий 13 16
Молибден 6 12
Титан Остальное

Описание

Изобретение относится к микроэлектронике, а точнее к технологии изготовления тонкоплечночных микросхем.
Цель изобретения повышение временной стабильности резисторов.
Пример осуществления способа. Пленки кермета К-20С с удельным поверхностным сопротивлением 500 Ом/кв с проводниковой группой ванадий-алюминий напыляли на ситалловые СТ-50-1 подложки в вакууме при температуре 350oC на установке УВН-71-ПЗ.
Формирование топологического рисунка резистивных элементов осуществляли путем мокрого травления проводниковой группы алюминий-ванадий и затем ионного травления резистивного слоя на установке УРМ3. 279.029 ТУ.
На сформированные резистивные элементы напыляли резистивный сплав (на основе титана) ТЦ БМ-ВД по 14-1-4122-86 ТУ на установке УВН-75-П1.
После этого резистивные элементы с нанесенным покрытием помещали в термошкаф типа СНОЛ и в воздушной среде проводили термообработку резистивного слоя при температуре 350oC в течение 6 ч.
Аналогичным образом способ может быть реализован для изготовления тонкопленочных резисторов с использованием резистивных материалов на основе хрома и кремния типа РС-3710, К-30С, КП-1, РС-5402 и других в диапазоне удельных поверхностных сопротивлений =(50-1000) Ом/кв.
Зависимость стабильности тонкопленочных резисторов от режимов термообработки приведена в таблице.
После термообработки производили измерение относительного изменения сопротивления резистора во времени при воздействии окружающей температуры 85oC и электрической мощности Р= 2 Вт/см2 в течение 2000 ч.
Для сравнения проводили определение относительного изменения величины сопротивления резисторов из сплава К-20С тех же номиналов и в тех же условиях за 1000 ч, незащищенных, защищенных покрытием Ta2O5 и SiO2. Изменение величины сопротивлений составило соответственно 0,03-0,05% 0,05-0,015% 0,03-0,06%
Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния обеспечивает повышение стабильности номиналов резисторов до уровня 0,002-0,02% и повышение технологичности их изготовления за счет использования более простых по сравнению с прототипом технологических операций и оборудования.
Изобретение относится к микроэлектронике, а точнее к технологии изготовления тонкопленочных микросхем. Цель изобретения - повышение временной стабильности резисторов - достигается тем, что на диэлектрическую подложку последовательно наносят слои резистивного и проводниковых материалов, формируют рисунок резистивных и проводниковых элементов, формируют защитный слой путем нанесения металлического слоя и его оксидирования. В качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия, молибдена. Оксидирование металлического слоя осуществляют при температуре 350-450oC в течение 3-12 ч. Указанные режимы обеспечивают одновременную стабилизацию резистивного слоя. Компоненты металлического слоя используют в следующем количественном отношении, мас. %: цирконий 25-30; ниобий 13-16; молибден 6-12; титан - остальное. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния обеспечивает повышение стабильности номиналов резисторов до уровня 0,002-0,02% и повышение технологичности их изготовления за счет использования более простых по сравнению с прототипом технологических операций и оборудования. 1 табл.

Рисунки

Заявка

4373682/21, 01.02.1988

Осипов Ю. А, Чеботаренко В. Я, Лазарев Ю. П, Мушакова Т. И, Елютин О. П, Мараканов В. В

МПК / Метки

МПК: H01C 7/00

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

Опубликовано: 27.12.1996

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1540578-sposob-izgotovleniya-tonkoplenochnykh-rezistorov-na-osnove-splavov-khroma-i-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния</a>

Похожие патенты