Патенты с меткой «эпитаксии»

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Скаковский, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: жидкостной, полупроводниковых, эпитаксии

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Номер патента: 824694

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью осевого перемещения, имеющая в дне щель со скосом в одном направлении и выступы с наружной стороны, обеспечивающие зазор между дном и подложкой.

Номер патента: 531430

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Сидоров

МПК: H01L 21/20

Метки: арсенида, газотранспортной, галлия, источник, эпитаксии

1. Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия, представляющий собой кварцевую лодочку закрытого типа, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и уменьшения времени насыщения источника, в отверстие источника опущен капилляр, имеющий на другом конце развитую поверхность контакта с газовой фазой.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован близкорасположенными пластинами из материала, смачиваемого галлием, например вольфрама, имеющего отверстия в верхнем конце пластины.3. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован спиралью, намотанной на пластину.

Номер патента: 774293

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Литвин, Марончук

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, кассета, полупроводников, эпитаксии

Кассета для жидкостной эпитаксии полупроводников, выполненная в виде этажерки с установленными горизонтально и параллельно друг другу подложками, разделенными прокладками, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения условий заливки и удаления раствора-расплава из зазора между подложками, кассета выполнена в виде каркаса с горизонтальным сечением в форме правильного шестиугольника, в центре и в вершинах которого установлены вертикальные стержни, и вписанного в окружность радиусом, равным диаметру подложки плюс радиус центрального стержня, а в качестве прокладок использованы шайбы, размещенные на стержнях.

Номер патента: 938642

Опубликовано: 20.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом сдвига, включающее подвижной контейнер с емкостью для раствора цилиндрической или прямоугольной формы, установленной на подложкодержателе, имеющем ячейку для подложки, отличающееся тем, что, с целью улучшения однородности толщины получаемых слоев, в нижней части емкости выполнен вырез, имеющий в сечении форму сегмента.

Номер патента: 1461319

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Кирменский, Матвеев

МПК: C30B 19/00, H01L 21/68

Метки: держатель, жидкофазной, подложки, полупроводниковых, преимущественно, проведения, эпитаксии

Держатель подложки, преимущественно для проведения жидкофазной эпитаксии полупроводниковых материалов, содержащий втулку, опорный диск и стержни с установленными на них фиксаторами подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, он снабжен проволочной обвязкой, втулка закреплен на опорном диске, стержни выполнены в виде консольно закрепленных на опорном диске упругих пластин, а фиксаторы подложки размещены в геометрической плоскости, наклонной к геометрической оси втулки и опорного диска, причем на концах упругих пластин выполнены загибы в форме крючка с возможностью размещения на них проволочной обвязки.

Номер патента: 1137784

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Лозовский, Майстренко

МПК: C30B 19/04, C30B 19/06

Метки: жидкостной, полупроводниковых, селективной, структур, эпитаксии

1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно перед контактом подложки с расплавом путем конденсации ее паров из источника, температура которого выше температуры подложки.2. Устройство для селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающее контейнер, имеющий емкость для расплава с отверстием в дне, емкость для источника...