Подложкодержатель для газовой эпитаксии

О П И С А Н И Е с 111 476022ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ СОюз Советских Социалистических Республик(51) М. Государственныи комнте Совета Министров СССР ло делам изобретенийн открытий(088.8) 72) Авторы изобретения А. А, Басовский, О. В. Богородский и А. С. Дерма 71) Заявитель 54) ПОДЛО РЖАТЕЛЬ ДЛЯ ГАЗОВ ИТАКСИ Изобретение относится к устройствам дляэспитаксиального наращивания полупроводниковых материалов из газовой фазы,В известном устройстве для газовой эпитаксии полупроводников подложкодержатель 5выполцен в виде вертикальной трубы, на боковой поверхности которой расположеныподложки, а внутри установлен нагревательсопротивления. Подложки расположены в углублениях с плоским дном. Таккак подложки 10опираются на плоскую поверхность, а внутренняя поверхность подложкодержателя -вогнутая, стенка последнего имеет различную толщину на краю и в центре расположения подложки. В результате разнотолщинности стенки перепад температуры по поверхности подложки, например при диаметре60 мм, составляет 10 - 12 С. Это приводитк неоднородности свойств получаемых эпитаксиальных слоев. 20Цель изобретения - обеспечение болееравномерного нагрева подложек.Для этого в местах расположения подложек ца боковой поверхности предлагаемого,подлсгккодеркателя выполнены окна, в которце вставлены ди 1 ски с толщиной в центре,равной 100 - 130% от нх толщины на периферии, причем наружная поверхность дисковпараллельна к образующей поверхности подложкодержателя или наклонена к цей под 30углом це более 8. На фцг. 1 схематически изображен подложкодержатель, продольный разрез (прц наклонном расположении дисков); на фиг.2 - то же, поперечное сечение (при параллельном расположении дисков).Подложкодержатель расположен внутри герметичной камеры 1, установленной на поддоне 2. Подложкодержатель изготовлен из стойкого к газовой среде материала, например графита, покрытого слоем поликристаллического кремния. В боковой поверхности подложкодержателя выполнены окна 3, в которые вставлены диски 4, На дисках размещены подложки 5. Для их установки в нижней части дисков имеется уступ 6. Подложки могут быть также установлены на штырьках 7, вставленных в диски. Поверхность дисков, обращенная к подложкам, - плоская, а внутреццяя поверхность слегка выпуклая. Внутри подложкодержателя установлен цагреватель сопротивления из графита.Подлоккодержатель работает следующим образом.Устававливают подложки 5, камеру 1 опускают ца поддон 2 ц цз нее продувкой инертцым газом удаляют воздух. Инертный газ вытесняют водородом, в атмосфере которого ведут разогрев путем подачи на нагреватель сопротивления 8 напряжения. При нагреве тепловоц 1 поток через стенку дисков 4 поступает к подложкам 5. После достижениятемпературы процесса, например для кремниевых слоев 1230 С, в камеру подают парогазовую смесь: водород и тетрахлорид кремния. На поверхности подложек идет рост эпитаксиальных слоев кремния.Устройство позволяет получать весьма равномерную температуру на поверхность подложек, например,при их диаметре 60 мм, в пределах 1 - 3 С.Подл ожкодерж атель может быть использованн для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов методом водородного восстановления и термического разложения.Предмет изобретения1, Подложкодержатель для газовой эпитаксии, выполненный в виде вертикальной трубы, на боковой поверхности которой расположены подложки, а внутри установлен нагреватель сопротивления, о т л и ч а ю щ и йся тсм, что, с целью обеспечения более равномерного нагрева подложек, в местах их расположения на боковой поверхности выполнены окна, в которые вставлены диски, толщина которых в центре равна 100 - 130 О 1 о от их толщины на периферии.1 О2. Подложкодержатель по п, 1, отличаю щ и й с я тем, что наружная поверхность дисков параллельна к его образующей боковой поверхности.15 3. Подложкодержатель по п. 1, о тл и ч аю щ и й с я тем, что наружная поверхность дисков наклонена к его образующей боковой поверхности под углом не более 8,476022 ь т о Составитель .В. БезбородовРедактор В. Другова Текред 3, Тараненко Подпис Ме 893твенного комитетаелам изобретений иа, Ж, Раушская Тираж 782Совета Министроткрытийао д 45 аказ 2737/8ЦН ипография, пр. Сапчова, 2 Государ ио Моск