Лидейкис

Номер патента: 1762795

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Брусокас, Лидейкис, Шпокас

МПК: A01F 29/00

Метки: биологического, разрезания, рулонов

...пальчатые транспортеры 3, пальцы которых через прорези входят внутрь шахты. В нижней части шахты по ее центру и перпендикулярно к ней размещен пильный элемент 5 с натяжным устройством и приводом 6, В верхней части шахты на входе в нее рулона установлен механизм для удаления перевясла, выполненный в виде дискового ножа 7 для перерезания шпагата, размещенного с одной стороны шахты, и установленных с противоположной стороны шахты приводного вращающегося крючка 8, двух обрезиненных валиков 9 и бункера 10 для сбора шпагата. Для подачи рулонов в шахту устройства установлен транспортер 11, а для удаления уже разрезанных рулонов 32 установлен транспортер 13.45 50 55 5 10 15 20 25 30 35 40 Устройство для разрезания рулонов работает...

Номер патента: 1576024

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Лидейкис, Прекерис, Шпокас

МПК: A01F 12/30, A01F 12/44

Метки: вороха, зерносоломистого, сепаратор

...растений, и является усовершенствованием изобретения по авт. св. Мо 1367910.Цель изобретения - повышение производительности и качества сепарации.На чертеже изображен сепаратор зерносоломистого вороха. Сепаратор зерносоломистого вороха снабжен корпусом 1, в котором размещены сепарирующие секции 2 с последовательно установленными ворошителями 3, под предыдущим рядом которых расположена сепарирующая секция, вентилятором 4 не показано), прикрепленным к корпусу 1, воздушными каналами 5, соединенными с вентиляторами и размещенными под сепарирующей секцией 2, соплами 6, соединенными по всей длине с воздушным каналом, при этом сопла расположены в начальной части зазора между сепарирующими элементами 7.Сепаратор работает следующим образом,...

Номер патента: 1371605

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Лидейкис, Шпокас

МПК: A01F 12/44

Метки: жалюзных, зерноуборочного, комбайна, механизм, регулировки, решет

...контакты 31 и 32. Контакт 31 блокирует геркон 15. При змыкзнии контактов 32 ток подается в электромагнит 3(1, который передвигает электрогидрсВлический золотник 7 влево. Масло из 6 зкз 9 гилрцнасосом 8 подается в бесштоконук нцл(сть 33(ногНительного гидроцилинл рз 5. Из штокцвцй полости идроцилиндрз 5 (зело цере.(идравлический золотник 7 ностуна(т В 6 зк 9, Шток 4 силового гидро- цилиндра 5 поворачивает регулировочный рычаг 3, кц)црыЙ через планки 2 поворачивает жалюзи решет 1. Угол открытия жалюзи увесичивзется;(О тех нор, пока магнит 26, 1)рикрс пленный к планке 2, приближается к Г(рк(ал 22. Магнит 26 открывает нормально:51)л)кну 1 ыи контакт геркона 22 и прерывает пень питания обмотки реле 27. Открываются контакты 31 и 32,...

Номер патента: 1367910

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Лидейкис, Прекерис, Шпокас

МПК: A01F 12/44

Метки: вороха, зерносоломистого, сепаратор

...сепарато;ра зерносаломистого вороха; на фиг. 102 - то же, вид сверху,Сепаратор зерносоломистого вороха содержит установленные под угломк горизонтали сепарирующие секции,состоящие из набора валиков 1 с че.тырехконечными звездочками 2, Последовательно с сепарирующими секциями установлены вороцигели, состоящие из набора валиков 3 с рыхляющими пластинками 4. При этом под предыду щтм ворошителем расположена следующая сепарруюая секция, Набор валиков 1 сепарирующей секции расположен на расстоянии 185 мм, диаметр звездочек 2 составляет 300 мм; диаметр валиков 1-25 мм, Толщина звездочек 2 и, расстояние в наборе между соседними звездочками 10 мм, Угол между плоскостью сепарирующей секции и горизонтали 1 з . Рабочая ширина сег 30 парируюцей...

Номер патента: 940025

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Валацка, Венгалис, Лидейкис

МПК: G01N 25/02

Метки: превращений, температур, фазовых

...пластинами до образования теплового контакта меж ду образцом и пластинами. К образцу прижимают слой термопары 2. Корпус помещают в печь и, нагревая, либо охлаждая его, измеряют ЭДС между внешними контактами полупроводниковых пластин. При медленном нагревании, либо охлаждении температуры образца и полупроводниковых пластин практически одинаковы и градиент температуры в них отсутствует, вследствие чего ЭДС на выходе равна нулю, В момент фазового превращения в образце выделяется, 30 либо поглощается теплота превращения, которая приводит к появлению разницы температур между внутренними и внешними сторонами полупроводниковых пластин и возникновению в них объемной термо-ЭДС, Поскольку в полупроводниках различного з 5 типа проводимости объемные...

Номер патента: 669999

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Баранов, Бессолов, Лидейкис, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: варизонных, жидкостной, структур, эпитаксии

...на фиг. 2 - тоже, в процессе эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры переменной толщины; на фиг. 3система по окончании эпитаксиального наращивания полупроводниковойструктуры переменной толщины; наФиг, 4 - система перед началом эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины; на Фиг. 5 - система по окончании эпнтаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины,Приняты следующие обозначения:расплав 1 рабочая камера 2, подложк3, пересыщающий расплав 4, полупроводниковая структура 5.П р и м е р . Процесс созданияполупроводниковой СаА 8 БЬ структуры, ширина запретной зоны которойизменяется по поверхности кристалла,проводят следующим образом,Графитовую кассету...

Номер патента: 668506

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Баранов, Бессолов, Лидейкис, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковой, структуры

...расплаве увеличивают от 0,5%до 2,8% в процессе роста слоя, что приводитк возрастанию пересыщения основного распла.ва и уменьшению градиента ширины запретной 25 зоны,Таким образом, данным способоммогутбыть получены полупроводниковые структурыс заданным грациепом ширины запретнойзоны. 30 1. Способ получения полулроводниковойструктуры на основе твердых растворов соединений типа А В, преимущественноба 1 х АРЯЬ, иэотермическим смешиваниемосновного расплава, преимущественно баЯЬнаходящегося в контакте с монокрнсталлической подложкой, преимущественно баЯЬ, срасплавом для пересьпцения, содержащим преимущественно ба, Аг ЯЬ, о т л и ч а ю щ и й.с я тем, по, с целью создания варизонныхструктур с заданным значением градиента шири ны запрещенной...