Архив за 1993 год

Номер патента: 1383979

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Макогон, Сердюков

МПК: G01J 3/12

Метки: внутрирезонаторный, лазерный, спектрометр

...20Спектрометр работает следующим образом,11 ячяльняя рабочая точка модулятора 3 установлена так, что между интецсинцостью излучения лазера и добротцостью резонатора до цепи фотопртеттник 7 - усилитель 8 - модулятор3 осуществляется отрицательная обратняя связь. После включения лазера вмомент возникновения генерации форми- ЗОровтель импульса 9 вырабатынает имиугтьс поступающий н линию задержки10. В процессе генерации ия частотахсоответствующих частотам поглощенияисследуемого вещества, возникают про- Звялы н спектре излучения лазера, которые углубляются в соответствии сзкспонеттцияльтьщ законом Бугера, Мощность излучения лазера на этом этапевследствие отрицательной обратнойсвязи неэ, ячительна, и спектральныйприбор 1 не регистрирует спектр...

Номер патента: 1616263

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Новаковский

МПК: F21S 8/10

Метки: однорежимная, средства, транспортного, фара

...тела накала 3, сформированного отражателем 1 во втором фокусе 5. Форма выходной стороны 8 волоконнооптического преобразователя 6 для фары ближнего света (см.фиг.3) имеет конфигурацию, зеркально соответствующую форме светотеневой границы светораспределения а "ближний свет" для противотуманной фары О - форму прямоугольника (см,фиг,4), для фары дальнего света (см.фиг.5) - форму и угловые размеры, соответствующую характеру светораспределения этого режима освещения.0Работает однорежимная фара транс- Од портного средства следующим образом,При включении источника 4 света излучение от тела накала 3 попадает на эллипсоидный отражатель 1, отражаясь от него, фокусируется во втором фокусе 5 и попадает таким образом на входную сторону 7...

Номер патента: 1144570

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01C 17/26, H01L 21/82, H01L 27/01 ...

Метки: поликремниевый, резистор

...в соответствии с законом Ома ведет к уменьшению величины подстроечного напряжения, что существенно упрощает реализацию источника подстроечного тока, упрощает процесс подстройки и ускоряет ега за счет снижения рассеиваемой на резисторе в процессе подстройки мощности,Горизонтальный градиент распределения примеси, направленный от нелегированного (внутреннего) участка поликремния к торцевым поверхностям резистора, через которые проводилась диффузия примеси, ведет к некоторому снижению температурного коэфФициента сопротивления такого резистора по сравнению с однороднолегированным. Кроме того, возможно ввести дополнительную термообработку (разгонку примеси) при температуре 900 - 1100 С после легиравания резистора, что приведет к...

Номер патента: 1387693

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Шишлов

МПК: G01W 1/00

Метки: атмосферы, зондирования, оптического

...характеристик атмосферыПа чертеже представлена блок-схема устройства, реализунспсего предложессньсй способ.устройство содержит блок 1 управления, источник 2 излучения оптическую приемную систему 3, оптическийпреобразователь 4, Фотоприемники 5,6, блок 7 вычисления разностй, измерительньсе преобразователи 8, 9, блок10.регистрации и обработки. В качестве преобразователя сс может использоваться электронно-оптический преобразователь или ссластина иэ фотохромна-,га стекла марки ФХС, ФХС,Способ реализуется следующим образом,По сигналу запуска блока 1 управления посылается в исследуемую обатмосферы импульс от источника 2. Однц из пучков принятого излу. -чения подвергается нелинейному преобразованию, обеспечивающему более высокое аслабхсецие...

Номер патента: 1389603

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

...вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6...

Номер патента: 1003695

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Мухин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, резисторов, схем

...резистивные элементы шириной 32 мкм и длиной 180 мкм, Далее формируют фоторезистивную маску с использованием фоторезиста Ф П(с шириной окна 12 мкм, длиной 120 мкм), защищающую участки слоя поликристаллического кремния, прилегающие к боковым границам прямоугольных резистивных.элементов, и через фоторезистивную маску проводят ионную имплантацию богоа с энергией 40 кэВ и дозой 200 мкКул/см,Термообработку проводят при 1000 С в среде сухого кислорода в течение 30 мин и при 950 С в среде сухого и влажного кислорода в течение ЗО мин для отжига слоя поликристаллического кремния, активации примеси и формирования на поликремниевых элементах слоя защитной термической 30 г,В слое 50 г путем фотолитографии и травления вскрывают контактные...

Номер патента: 1098456

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...областях, легированных имплантацией сквозь нитридную маску за счет того, что бор с энергией 30-40 кэВ практически не проходит через маску 0,23-0,35 мкм (средний про 40 45 5 О 55 бег 0,1 - 0,14 мкм), а бор с энергией 100 - 150 кэ В (средний пробег 0,32 - 0,45 мкм) почти не задерживается этим маскирующим слоем.Имплантация через сквозные окна в первой и вто 2 оой масках бором с дозой 300- 600 мкКл/см позволяет полУчить области с уровнем легирования более 5.10 1/см, причем повышение дозы более 600 мкКл/см нерационально в связи с резким повышением времени легирования и повышением дефектности имплантированных слоев, Имплантация бора через окна второй маски сквозь первую маску с дозой 100 - 200 мкКл/см позволяет получить оптимальные для...

Номер патента: 1099791

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 29/78

Метки: n-канальный, интегральный, моп-транзистор

...эффекты, если и- канальный транзистор используется в КМОП структуре, а также более эффективно, т,е. с уменьшением потерь, передавать потенциал подложки между транзисторами в интегральных схемах.При этом, поскольку зона с повышенной концентрацией акцепторной примеси удалена от областей стоков, повышение концентрации в ней не приводит к ухудшению таких параметров, как токи утечки и пробивные напряжения, а также емкостей стоковых переходов, а это ведет к снижению потребляемой мощности, повышению надежности и быстродействия интегральных схем, использующих и-канальные транзисторы с заявляемой конструкцией.В соответствии с изобретением была изготовлена К-МОП ИС, включающая выполненные в кремниевой подложке КЭЭ 4,5 с ориентацией поверхности...

Номер патента: 1512289

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Новаковский, Резник

МПК: G01M 11/06

Метки: диагностики, состояния, средств, транспортных, фар

...6 экрана 5 или перпендикулярно оптической оси объектива 4 встречнойоптической системы 3.Осуществляется способ при работе устройства следующим образом.Устройство устанавливают объективом 4 напротив диагностируемой фары транспортноГо средства,диск 9 пово- ротом вокруг оси 8 устанавливают в положение, при котором его отверстие11 с закрепленным входным концом 14 световода 15 окажется напротив отверстия 7. Затем включают диагностируемую фару в режим "Дальный свет", световой пучок от которой фокусируется объективом 4 в области Фокуса, проходит через отверстие 7 и попадает на входной конец 14 световода 15; Пройдя по световоду 15, световой пучок фары дальнего света сформируетна выходном его конце 16 щелевой световой индекс системы...

Номер патента: 1570550

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Клыков, Красин

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрике, кремний, структур

...укрупнения зерен и анизотропии скорости1 их окисления, По мере увеличения толщины окисла скорость нарастания шероховатости падает. Поэтому в ряд 6конкретных случаев проводят двойнуютермообработку вместо одинарной, причем выросший после лервой термообра,ботки окисел удаляют.Другое отличие состоит в удалении 30слоя поликремния с нерабочей стороныподложки, что увеличивает эффективность .нагрева подложки и уменьшаетвероятность ее проплавления.П р и м е р, На пластине кремния . 35КЭФ 4,5 (100) в среде влажного кислорода при.температуре 1000 С выращива- .ют слой изолирующего окисла кремниятолщиной 1,5 мкм, поверх которого"вреакторе пониженного давления пиролиозом моносилана при температуре 620 .Снаращивают слой поликристаллическогокремния...

Номер патента: 1217037

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Зинин, Кириенко, Новаковский, Рыженков, Степанов

МПК: F21S 8/00

Метки: автомобильная, противотуманная, фара

...фара в разрезе; на фиг.2 - вертикальное сечение фары.Автомобильная противотуманная фара содержит рассеиватель 1, отражатель 2, выполненный в виде сопряженных с параболоцилиндром 3 элементов 4 параболоидов, фокусы которых расположены на фокальной линии 5 параболоцилиндра 3, и источник 6 света со светящим телом 7, установленным на фокальной линии 5 параболоцилиндра 3, а также зеркальный эллипсоидный контроотражатель 8, при этом фокусы 9 зллипсоида 8 находятся на фокальной линии 5 параболоцилиндра 3, оси 10 элементов 4 параболоидов параллельны оптической оси 11 фары и расположены по обе стороны от нее, а светящее тело источника света 6 расположено в одном изфокусов 9 эллипсоида 8,Фокусы элементов параболоидов могут быть совмещены...

Номер патента: 1400138

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Проценко

МПК: C23C 14/46

Метки: коэффициента, распыления

...н может найти применение для определения коэффициентов распыления различных ма 5 териалов.Целью изобретения является повыше ние точности и упрощение измерения коэффициента распыления материалов,П р и м е р. На стандартную уста новку, включающую ионную пушку и масс-спектрометр, устанавливают исОюедуемый,образец (поликристаллическая медная фольга) так, чтобы распыляющий ионный пучок бып направлен 15 по нормали к поверхности. Сфокусир 9- ванным пучком ионов ксенона с энергией 5 кэВ, током 9, 1 10А, диаметром ионного пучка 0,83 1 О см, с гауссовым распределением плотности тока 20 создают кратер глубиной, равной диаметру, и одновременно с помощью массспектрометра регистрируют выход вторичных ионов меди. Определяют время, при котором...

Номер патента: 1519308

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Новаковский, Степанов

МПК: F21S 8/10

Метки: ближнего, света, фара

...нее так, что все световые лучипересекают оптическую ось 4 и идут расходящимся пучком во внешнее пространство,При этом отраженные лучи от части 2 будутформировать области вдоль светотеневойграницы и прилегающей к ней снизу областей.Световой поток от тела 11 накала, попадающий на нижнюю часть 3 отражателя 1,отражается от этих поверхностей так, чтосветовые лучи не пересекают оптическуюось 4 и так же идут расходящимся пучком вовнешнее пространство, На контрольном экране отраженное частью 3 излучение будетформировать световое пятно в правой и левой областях, прилегающих снизу к горизочтальной линии светорэспределения иобластей точек 75 В, 751, 50 й и 50 Е, а такжезоны 11 и Ч светораспределения.Для достижения контрастной светотеневой границы и...

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1338674

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Калошин, Кашаев, Коротков, Кутелев, Михеев, Солдаткин, Татур, Фадеев

МПК: G08B 5/38

Метки: оптический, проблесковый, сигнализатор

...нулевогоуглового полокения;2.в угловая скорость вращениялуча от лазерного источника3 излучения,,1 уч от лазерного источника 4 иэлу" чения будет зарегистрирован в момент времени С , причемлгде с - угловая скорость вращенияэтого луча,Время с между регистрацией лучейизмеряется приемным рехистрирухщимугтрпц тном 2, как величина Фл с 2 с."Угпоное местоположение движущегося Объекта н этом случае определяется) = 2Углоная скоростьзадана при конупргнанцц с болсвой степенью стабг 1,1, Уц и Является постоянной велинсцой ПО то, уг оное местоположение )1 ж,се г.;. 1 Об,Ркта прогОрционально ,тМЕНИ , КОТРОЕ ЦЭМРРЯЕтСЯ ПРИЕМ 1 м Г .ги.трируюп 1 цм устройством 2.:1 цаЧЕИСЕ ИЗМЕРЕННОЙ ВЕЛИЧИНЫ УГЛа с ныво)1 стся ца ципц:атор прямого реги ГгтрукШР 1...

Номер патента: 1575849

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...маски из нитрида кремния с окнами на резистивных участках резисторов, Удаляют маску иэ фотореэиста в смеси Каро (смесь серной кислоты и перекиси водорода, Вновь формируют маску из фоторезиста ФПТ.Для экспонирования используют темнопольный шаблон со светлым окном, содержащим темные фигуры поликремниевых резисторов, торцы которых выходят за пределы окон в нитриде кремния, вскрытых на предыдущей операции фотолитографии, Проводят плазмохимическое травление нитрида кремния и поликремния в плазме СГ 4, формируя области резисторов, оставляя нитрид кремния на контактных участках резисторов (фиг,2), Удаляют маску из фоторезиста и формируют фоторезистивную маску для проведения имплантации ионов фосфора в резистивные области...

Номер патента: 1575850

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Сульжиц

МПК: H01L 27/04

Метки: дифференциальный, интегральный, к-моп, усилитель

...входных синфазных сигналов, зисторов и режима работы ДУ, при этом использование изобретения позволяет 0 и 0 д - напряжения положительного повысить коэффициент усиления ДУ за сси отрицательного питания; С- ем счет повьппенной концентрации примеси кость затворного диэлектрика МОП- , в подложке входных транзисторов, и транзисторов, Б- пороговое напря- следовательно, повышение дифферен" жение нагрузочных МОП-транзисторов; циального сопротивления сток-исток 1 - постоянный ток генератора тока входных транзисторов, особенно еслио 23дифференциального усилителя; К , Кп, они имеют короткие каналы. В отличие К - удельная крутизна МОП-транзисто- от известных ДУ при таком повьппенниЙров генератора тока, входных и нагру- концентрации примеси в...

Номер патента: 1520962

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Декаленков, Евстигнеев, Зинин, Карпушкин, Новаковский, Рыженков, Степанов

МПК: F21S 8/10

Метки: ближнего, света, фара

...размещенным между Фокальными точками Г,1 ц и г ,Г с зазором и поднятым вверх относительно оитичес кой оси 4 фары на величину, равнуюполовине диаметра (Й/2) тела 12 накала.Рассеиватель 13 расположен за отражателем 1 по ходу лучей и содержит иреломляющие и рассеивающие элементы.Формирование светораспределения"ближний свет" происходит следующимобразом.(фиг, 1,2 и 3).Световой поток, излучаемый телом2 накала, попадающий на верхнюючасть 2 отражателя и дополнительныйпараболоидцый элемент 8, отражаетсяот нее так, что все световые лучипересекают оптическую ось 4 и идутрасходящимся пучком во внешнее пространство. При этом отраженные лучиот части 2 будут формировать областисветорасиределения вдоль границы иприлегающих к ней снизу областей, алучи,...

Номер патента: 1461102

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Декаленков, Карпушкин, Моторжин, Новаковский, Рыженков, Степанов

МПК: F21S 8/10

Метки: средства, транспортного, фара

...8, должен падать на1рабочую поверхность отражателя 1,т.е, при проектировании контротражателя 7 и его установке в оптическомэлементе должно обеспечиваться соот-,ношение. Р(1 - соир):К4 Е:(к+Я);Максимальный диаметр контротра"жателя 7 и преломляющего элемента 4рассеивателя 2 не превьппает диаметраслепого отверстия (Р) отражателя 1под источник света 5,Фара транспортного средства ра"ботает следующим образом.Часть излученйя от тела накала 10.источника света .5 попадает на отражатель 1 в пределах его угла охвата(Р), отражаясь от. которого, в соответствии с законами геометрическойоптики, попадает на рассеиватель 2и. формируется преломляющими элементами 3 последнего в соответствующийтребуемому светораспределению световой пучок. Другая часть...

Номер патента: 1462965

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Гектин, Ульянов, Ширан

МПК: G01J 5/18

Метки: излучения, мощности, оптического, относительного, плотности, распределения

...в пучке измеряют по степени локального просветления кристаллической пластины.Низкие потери мощности излучения в кристаллической пластине (менее 10 М от падающей мощности) позволяют пользоваться предлагаемам детекторъм и непосредственно в ходе технологи" ческих операций с использованием мощ" ных ИК-лазеров, Наличие совершенной 15 спайности и отсутствие требований к дополнительной обработке кристалла сокращает до мйнимума времяприготов.,ления пластин, а термическое раэру" шение центров окраски в ходе изотер мического отжига при температурах, гораздо меньших температуры плавления, позволяет использовать один и тот же детектор многократно, Использование пластин с низким значением 25 Способ измерения относительногораспределения плотности...

Номер патента: 1349543

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Загоруйко, Комар, Кривошеин, Росторгуева

МПК: C03C 23/00, G02B 1/12

Метки: оптических, просветления, селенида, цинка, элементов

...на ноздухе до комнатной температуры,После охлаждения измеряют спектр пропускания оптического элемента, Максимальное зцачение пропускания получается ца длине волны 5,5 мкм и составляет 98,87 Коэффициент поглощения элеиента на длине волны ИК-излучения 10,6 икм после отжига состанляет 0,02 см П р и и е р 2, Оптический элемент,окак в примере 1, отжигают при 500 Св течение 30 мин при одновременномоблучении оптической поверхности элемента УФ-излучением с длиной волны0,2537 мкм и плотностью на поверхности образца 0,4 Вт/си, после чегооптический элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры.После охлаждения измеряют спектрпропускания оптического элемента,Максимальное пропускание получаетсяна длине волны 2,5 мкм и...

Номер патента: 1412533

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/82

Метки: делителей, интегральных, резистивных, резисторов

...в реакторе пониженного давления при 620 С осаждался слой поликремния толщинами 0,18 мкм; 0,23 мкм 0,3 мкм (три варианта), Поверх поли- кремния осаждался слой нитрида кремния толщиной 0,1 мкм. Методом фотогравировки и плазмохимического травления нитрид кремния удалялся с резистивных участков поликремния, причем нитрид оставался на будущих контактных участках. Методом фотогравировки, плазмохимического травления нитрида кремния и поликремния формировались резисторы делителя; формировалась фоторезистивная маска, защищающая краевые области резистивных участков поликремния и проводилось ионное легирование центральной незащищенной части резистивных участков фосфором энергией 100 кэВ и дозами 250 - 4 400 кмКл/см . После удаления...

Номер патента: 1289229

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Матвеев, Штефан

МПК: G01V 1/137

Метки: источник, пневматический, сейсмических, сигналов

...а именно к области техники возбуждения упругого сигнала в воде, и может быть использовано при сейсмо" исследованиях на акваториях. 5Целью изобретение является увеличение акустического ЕЛД путем повьппения рабочего давления газа в расходной камере.На чертеже показан источник сейс О мических сигналов в разрезеОн содержит полый шток 1 с поршнем 2, 3 и 4, подвижный относительно по" лого штока цилиндра 5, уплотнители 6, 7, 8, 9 и 101 электропневмоклапан, 15 11 с выходным каналом 12, Полый шток 1 с поршнями 2, 3 и 4 и штоком цилиндра 5 образуют тормозной объем 13 и расходную камеру 14, которая с помощью канала 15 соединена с дополни тельным объемом 16, В полом штоке 1 расположен импульсный электрический двигатель 17...

Номер патента: 1353142

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Семенова, Сульжиц

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26

Метки: рисунка, шаблона

...получен в соот ветствии с изобретением был изготовлен резистивный делитель большой ин" тегральной схемы (БИС) аналого-цифрового преобразователя (АПП) . Идентичные прямоугольные элементы 12 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и шириной 45 мкм формировались на фотооригинале экспонированием одного н того же прямоугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭИ 559 Б, .О раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции, Кратность экспозиции М определялась, искодя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов (/), из выраженияВ ьИ ъ( в в ) . С изготовленного фотоИ Уоригинала на...

Номер патента: 1415846

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Декаленков, Карпушкин, Мандельбаум, Новаковский, Рыженков, Степанов

МПК: F21S 8/10

Метки: противотуманная, фара

...фара создает тре"буемое светораслределенне следующимобразом,Излучение от тела накала 3 источника света 2 попадает на эллипсоиднуюповерхность контроотражателя 4, отражаясь от которой в соответствии сзаконами геометрической оптики, формирует изображение 17 тела накала 3на большой оси 13 эллипсоидногоконтроотражателя 4, Так как положение тела накала 3 таково, что фокальные точки 12 отражателя 1 и один изфокусов 15 или 16 контроотразателя 4,например фокус 15, находятся в пределах габаритов тела накала 3, то изображение 17 тела накала 3 практическиявляется продолжением собственно тела накала 3 и образует совместно сним светящееся тело совокупной длины (1), симметричное относительно оптической оси фары. При этом излучение от тела...

Номер патента: 1415847

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Веневцев, Декаленков, Новаковский, Пука, Степанов, Черепанов

МПК: F21S 8/10

Метки: средства, транспортного, фара

...тем самам светораспределение, характерное для противотуманной фары, т.е. большой уголрассеяния светового пучка в горизонтальной плоскости за счет отраженияот кругового профиля отражателя в этойплоскости и узкий в вертикальной плоскости эа счет параболического профиляотражателя в вертикальной плоскости.Пругая часть излучения от тела накала 4 попадает на оба элемента эллипсоидных поверхностей 7 и 8 контроотражателя Ь, при отражении от которыхвокруг фокальных точек 11 и 12 формируется иэображение тела накала 4, атак как другие фокальные точки 9и 10 эллипсоидных поверхностей 7 и 8совмещены друг с другом, а также с по"ложением центра тела накала 4, тособственно тело накала 4 и его изображение, сформированное контроотражателем...

Номер патента: 1595277

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Ивановский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, создания, схем

...напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава....

Номер патента: 1075852

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Куценко, Мухин, Таланцев

МПК: H01C 17/26

Метки: делитель, интегральных, резистивный, схем

...резистивных элементов. ние относится к электроннойет быть использовано в техн ления прецизионных поли- резисторов, в частности, делителей для интегральных кристаллического кремний с я тем, что, с цельювоспроизведения отнолений резисторов .в делития диапазонаивления в низкоомной он расположенными на изке под резистивными элех боковых сторон дополнми поликристаллическоге сопротивление которыпорядок, больше удельния резистивных элементо На чертеже схематично показан резистивный делитель для интегральных схем,вид сверху.Резистивный делитель содержит изолирующую подложку 1, покрытую слоем двуокиси кремния (не показана), на которойрасположен слой 2 поликристаллическогокремния толщиной 0,5 мкм, резистивныеэлементы 3, контактные элементы 4,...

Номер патента: 1029649

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Карпов, Любинский, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...величины пк, па, пг, Ьк, ЛТ 1, ЬТ 2 и зная величины Ч 1 и Чг, рассчитывают значенияи Чз. В. ростовую печь, в которой перегрев камеры плавления равен величине Н 41, помещают ампулу с расплавом таким образом, чтобы ее дно находилось на расстоянии йх от диафрагмы, Устанавливают скорость перемещения Ч 1. Включают механизм перемещения и в течение времени т опускают ампулу со скоростью Ч 1, Так как расплав в ампуле перегрет незначительно, кристаллизация его начинается в момент пересечения конусным дном ампулы изотермы кристаллизации, Фронт кристаллизации осуществляется выше верхнего среза охлаждаемойдиафрагмы при отводе тепла от фронта крибильное положение фронта кристаллизации в процессе последующего роста кристалла из...

Номер патента: 1484120

Опубликовано: 15.03.1993

Автор: Сковородников

МПК: G01V 5/04

Метки: вод, направления, ненапорных, подземных, потока

...чернэлльньэм порошком, марган"цевокислым калием или другими водно"растворимыми красителями. Вместо сеточки краситель может быть также помещен в растворимую капсулу. В качестве слоя материла-сорбента в простейшем случае может быть-использованафильтровальная или промокательиаябумага.Устройство работает следующим образом,На верхней игле 5 закрепляэотзаправленный красящим веществом источник 2. Диск 3 с сорбеитом и магнитной стрелкой 4 устанавливают между твердосплавными иглами 5 и, изменяя положение в резьбе верхнейтвердосплавной иглы , добиваютсясвободного вращения диска 3 с маг-,нитной стрелкой 4 между иглами 5,К верхнему карабинчику 6 корпусаприкрепляют нижний конец капроновогоканатика, намотанного на лебедку, киинему - небольшой...