Способ получения рисунка шаблона

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТ ИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 09) И 1) 6, 1/00(46) 07,03.93 (21) 392808 (22) 11.07 (72) Ю,В.Аг Т.А,Семенов Бюд, МО/2185 нковски ч, М,М.Ив и С.:А.Сул сВф ГбсудлРстРенный кОмитет сссПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ШАБЛОНА(57) Изобретение относитея к.микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов. Цель изобретения - повышение воспро.изводимости размеров при формировани идентичных элементов. для этого идентичные элементы 1 и 2 получают путем Н-кратного экспонирования прямоуголь" ных фрагментов 3, ширина М каждого из,.которых может отличаться на величину погрешности + ВУ, связанную с погрешностью в задании времени экспонирования. Воспроизводимость разме- ров элементов 1 и 2 достигается за счет статического усреднения прямоугольного фрагмента 3. В описании приведено выражение для определения кратности экспонирования Н ъ (3 У/МФ), где 8 - допустимая погрешность от" ношения усредненных ширин идентичных элементов. Пары идентичных резисто- . ров, изготовленных по данному способу, показьвают примерно в 1,5 раза более высокий процент структур с .погрешностью 0,057. Это обеспечивает повышение процента выхода годных БИС (с 10-разрядной точностью) примерно в 1,4 раза. 2 ил.135Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано прн изготовлении шаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных схем,Белью изобретения является повышение воспроизводимости размеров при формировании идентичных элементов за счет иСключения погрешности в задании экспозиции.На фиг. и 2 показана геометрия идентичных элементов рисунка шаблона.Идентичные элементы 1 и 2 получают путем .И-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина И каждого иэ которых может отличаться на величину погрешности +ВЫ, свяванную с погрешностью в задании вре" мени экспониРования (экспозиции). Воспроизводимость размеров элементов 1 и 2 достигается за счет статистического усреднения ширины прямоугольного фрагмента 3.П р и и е р, С помощью шаблона, рисунок которого был получен в соот ветствии с изобретением был изготовлен резистивный делитель большой ин" тегральной схемы (БИС) аналого-цифрового преобразователя (АПП) . Идентичные прямоугольные элементы 12 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и шириной 45 мкм формировались на фотооригинале экспонированием одного н того же прямоугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭИ 559 Б, .О раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции, Кратность экспозиции М определялась, искодя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов (/), из выраженияВ ьИ ъ( в в ) . С изготовленного фотоИ Уоригинала на фотоповторителе иэготавлнвались эталонные фотошаблоны.С полученных описанным способом эта"донных шаблонов изготавливались рабочие шаблоны контактной печатью.Рисунок резистнвного делителя пере 3142 2носился на кристалл БИС АЦП контактной печатью с рабочего шаблона. Резистивные элементы формировались накристалле БИС зпектронно-лучевымнапылением на поверхность слоя двуокиси кремния сплава РС 2310 К с последующей Фотолитографией. Контактык резисторам формировались напыпением слоя алюминия с последующейфотолитографией. Изготовленный согласно изобретению резистивный Делитель сравнивался с резистивными делителями, изготовленными в том же технологическом цикле с использованиемрабочего фотошаблона, изготовленногос фотооригинала по прототипу.Пары идентичных резисторов, изго"товленных согласно изобретению, показывают примерно в 1,5 раза болеевысокий процент структур с погреш- .ностью менее 0,053, что обеспечиваетповышение выхода годных БИС (с 10-разрядной точностью) примерно в 1,4 ра-, 25 за.Ф о р м у л а и з о б р е т е н и яСпособ получения рисунка шаблона,включающий формировалие элементоврисунка путем М-кратного экспонирования прямоугольных Фрагмейтов ипоследующей химобработки, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью35повышения воспроизводимости размеровпри формировании идентичных элемен-тов, И"кратное экспонирование осу.ществляют по длине элемента, приэтом длину прямоугольного фрагментавыбирают в М раз меньше длины элемента риаунка, а.ширину выбирают равнойего ширине, причем кратность экспонйрования М определяют иэ выраженияВЧ 2,( -), где45ВЧ - погрешность воспроизведенияширины элемента на шаблоне, вызванная неточностью задания времени экспониронанняу мкмжд50И - допустимая погрешность от"ношения усредненных ширин идентичныхэлементов;У - ширина элемента, мкм,135342 Сост ель А.Хохло Редактор Техред, Л.Олийнык Корректор,М,Шароши Г.Моамеч Тирам , , ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж Раушская наб. д.4(5 каз 1955 изводственно-полиграфическое предприятие, г,Ужгород, ул,Проектная,