Архив за 1982 год

Номер патента: 963091

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Балашов, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...хранимой в ЗУ информации 1 О при этом не происходит вследствие того, что НМД, поступивший в позиции 2, продвигаясь по каналу 2, 3, заполняет дополнительную динамическую ловушку компрессора (в случае хранения "1" постоянной информации) либо, распространяясь по каналу 2, 3, 4, 5, 6, 7, поступает в первую дополнительную динамическую ловушку ячейки памяти.При считывании постоянной информации,20 хранимой по выбранному адресу, в соответствующую адресную шину Х( подается импульсный сигнал, полярность которогопротивоположна сигналу считывания оперативной информации При этом срабаты вают дополнительные переключатели ХЧ( вывода информации, в результате чего ЦМД из позиции 8 независимо от состояния частей ячейки памяти, хранящих постоянную...

Номер патента: 963092

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...нафиг. 4 - эпюры управляющих токов.Запоминающее устройство содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которойрасположены регистры 2 хранения информации из Т- и С-образных ферромагнитных 535аппликаций 3 и 4, Ч-образные ферромагнитные аппликации 5, расположенные между Т-образными аппликациями 3 смежныхрегистров 2, каналы 6 продвижения ЦМДи токопроводящую шину 7. Вектор 8 уп 40равляюшего поля вращается по часовойстрелке.ЗУ работает следующим образом,А. Режим переключения ЦМД из регистров 2 в каналы 6 продвижения 11 МД, 45На фиг. 2 показано расположение доменов в регистре 2 и канале продвиженияБМД 6. При положении вектора управляющего поля Н, показанном на фиг, 2 ,в шину 7 подается импульс тока длительностью, равной половине периода...

Номер патента: 963093

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: двухвходовых, доменах, и-запрет, логических, магнитных, цилиндрических, элементов

...в результате действия дестабилизирующих факторов, приводящих как к увеличению диа 40метра взаимодействуюих ЦМД (например при снижении величины поля смещения), так и к его уменьшению (например, при увеличении величины полясмещения),45В первом случае возможны следующие отказы в работе логического элемента:1 а. Поступивший в логический эле"мент ЦМД самопроизвольно отклоняется 50в отводной канал движения,1, б, Из двух поступивших ЦМД пеРвый только отклоняется в отводной канал, второй же продолжает движениепо предпочтительному каналу. 55Во втором случае могут возникнутьследующие нарушения работы логического элемента: 42 а. Поступившие входные ЦМД непокидают соответствующих предпочтительных каналов движения.2 б. Из двух поступивших ЦМД...

Номер патента: 963094

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Авинов, Галактионов, Карый, Севериновский, Чубаров

МПК: G11C 11/14

Метки: блок, памяти

...29-31 амплитуды тока, например, резисторы, компенсирующие индуктивные элементы 32-34, например, дроссель, шунтирующие элементы 35 и 36,магнитопленочны элементы 37 памяти, разрядные шины 38На чертеже изображена также часть схемы запоминающего устрой ва - коммутатор 39 числовых шин с блоком 40 компенсации. Каждый из индуктивных элементов 32-34 последовательно с одним из ограничителей 29- 31 амплитуды тока подключен между входами рядом расположенных элементов 15-20 выборки смежных групп 1-4, например, элементов 18 и 19 групп 1 и 2, шунтирующий элемент 35 подключен параллельно первой числовой шине 5, а шунтирующий элемент 36 подключен параллельно последней числовой шине 14. Концы нечетных числовых шин 5,7 .,13 и начала четных...

Номер патента: 963095

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Гомзина, Гришечкин, Зиборов, Игнатенко, Пучкова

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...для ЗУ на ЦМД содержит магнитоодноосную пленку,на которой расположены регистры 1 хранения информации, магнитосвязанные через обменные переключатели 2 с регистром 3 ввода-вывода информации, генератор 4 ЦМД, соединенный с началом регистра 3 ввода-вывода информации, конец которого соединен с детектором 5 ЦМД через элемент продвижения репликатора 6 ЦМД, и дополнительный регистр 7 ввода-вывода информации, начало которого соединено с началом регистра 3 ввода-вывода инФормации, а конец магнитосвязан с концом регистра 3 ввода-вывода через элемент связи репликатора 6 ЦМД. Накопитель работает следующим образом.,Запись информации в регистры хранения осуществляется от генератора 4 ЦМД через обменные переключатели 2. Информация, выведенная...

Номер патента: 963096

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Бегагоина, Диженков, Матросов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...в на" тяжении технологических струн, вплетении в них обмоток, заливке обмоток компаундом, сушке и извлечении технологических струн, на технологические струны при вплетении в них963096 4дотвращая тем самым нарушение изоляции обмоток матрицы и застревание те нологических струн в ее каналах. В отличие от жидкой смазки сухая смазка позволяет в дальнейшем при сборке матриц в пакет применять клеевые соединения без ухудшения качества клеевых швов. Составитель В. ВакарТехРед М.КоштУРа КоРРектоР Е. Рошко Редактор 8, Пилипенк аказ 7526/77 Тираж 622 ВНИИПИ Государственн по делам изобрет 113035, Москва, Ж, Подписноего комитета СССРний и открытийРаушская наб., д 4/ илиал ППП "Патент", г. Ужгор Проектна 3обмоток наносят сухую смазку, напри мер...

Номер патента: 963097

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Зельдин, Новожилова

МПК: G11C 11/14

Метки: аннигилятор, доменов, магнитных, цилиндрических

...этой аппликации - клинообразный выступ.Щель в ферромагнитной аппликации может быть выполнена в форме клина.3 96309На фиг. 1 и 2 дана конструктивная схема предлагаемого аннигилятора ЦМД.Аннигилятор ЦМД,содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположена ферромагнитная аппликация 2, магнитосвязанная с аппликацией 3 канала продвижения ЦМД, Буквами а-в обозначены положения доменных ловушек в различные моменты времени : а - .положение доменной ловушки, занимае мой вторым ЦМД в момент поступления первого. ЦМД; б- положение доменной ловушки, занимаемой первым ЦМД в момент его поступления; в - положение доменной ловушки в момент слияния 15 первого и второго ЦМД.Достигаемый в предлагаемом устройве эффект определяется разделением во...

Номер патента: 963098

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Голик, Елинсон, Орликовский, Пашинцев, Перов, Топешкин, Шмелев

МПК: G11C 11/42

Метки: оптоэлектронный, памяти, элемент

...первого ивторого полевых транзисторов,На чертеже показана принципиальнаяэлектрическая схема оптоэлектроннойячейки памяти (где Т и Т -первый ивторой полевые транзисторы; Т 3 и Т 4 первый и второй двузатворные полевыетранзисторы; О, Р и Э 3 - первый, второй и третий фотодиоды; Э, и 1) - первыйи второй светодиоды (диоды Ганна), Я,Й и Р - первый, второй и третий нагрузочные резисторы),функционирование оптоэлектронногоэлемента памяти в режимах записи, хранения и считывания информации происходит следующим образом,При записи "1" ("0) световой импульс подается на фотодиод 0 (Р), чтоприводит к погяжению потенциала ячейкизаписи и установлению триггера в устойчивоесостояние,соответствующее 1"( 0"). "1После снятия светового импульса сфотодиода Р.,...

Номер патента: 963099

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Балашов, Жернак, Победнов, Спиридонов

МПК: G11C 15/00

Метки: запоминающее, логическое

...в состоянии Х.В результате выполнения этого тактав регистре 43 записано слово Ч:Х.Х 2В числовой линейке 2 накопителя 1, кодадреса которой устайовлен на регистре 27,записано слово Ч 2-Х. Х 2.Четырнадцатый такт.Анализ слова ЧДля этого производится анализ сигналана выходе 52. Единичный сигнал на вы-.,ходе 52 появляется только при наличии вкоде слова Ч, установленного на региотре 43, более одного единичного разряда.Дальнейшее выполнение первого шагазависит от результата, полученного в данном такте,В этом спучае, если на выходе 52 появляется единичный сигнал, выполняетсязапись слова Ч в стек, для чего сщнал подается на вход 1 7, в результате,в числовой линейке 2, код адреса кото-рой установлен на регистре 31, записывается слово Ч,и ,...

Номер патента: 963100

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Ильин, Фет

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...массивааргумента, считываются с выходов запоминающих ячеек блока 2 памяти и поступают параллельно на первые входы соответствуюших схем 4 - 41 п сравнения.Одновременно соответствующие разряды 1-го1 п. -го признаков опроса поступают с выходов регистров 31 - 31 п на вторые входы всех схем 4 - 4 щ сравнения. Следовательно в схемах 4 сравнения в каждом такте происходит сравнение дан ного разряда всех ассоциативных признаков массива-аргумента с соответствуюшим 10 разрядом первого признака опроса, Одновременно в схемах 41 сравнения происходит сравнение данного разряда с соответствующим разрядом второго признака опросаит,д, 35цикл поиска по множеству признаков состоит в-последовательной выборке всехразрядных срезов поля ассоциативных...

Номер патента: 963101

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Сокол, Широков, Щетинин

МПК: G11C 17/00

Метки: записи, запоминающее, информации, однократно, постоянное, программируемое

...Корректор Е. Рошко Редактор 6. Середа Заказ 7526/77 Тираж 622 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, 3-35, Раушская наб., д. 1/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,3ряжения на адресные и информационные шины, увеличении напряжения нашине питания до значения, обеспечивающего режим записи,. и в подаче,импульса напряжения разрушающего тока на шину записи, прекращениидействия импульса напряжения разрушающего тока. на интервал времени,достаточный для охлаждения устройства, измерение напряжения на соот Оветствующей информационной шине исравнении его с заданным значением,по результату которого изменяют постоянное напряжение на адресных и инФормационных шинах, после подачи...

Номер патента: 963102

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Артеменко, Аствацатуров, Жученко

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее

...сдвиговых регистров а предлагаемом запоминающем устройстве, т.е. число необходимых каналов для записи и хранения инФормации, может быть любым (циФрами а скобках показаны номера каналов от 1. до и), а длина сдвиговых регистров может быть также любой и выбирается исходя из необходимого объема хранимой инФормации (циФрами в скобках показаны номера ячеек сдвиговых регистров от 1 до и). Все сдвиговые регистры имеют обратную связь с выхода на вход, т.е. замкнуты в кольцо.Устройство работает следующим образом.При подаче сигнала "Запись-считывание" на вход 21 (логическая "1") устанавливается логическая",1" на входе элементов 1 и 20 блока 15 управления. Логическая "1" с выхода элемента 20 разрешает прохождение оигнала с выхода...

Номер патента: 963103

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Осинский, Пилипенко, Слепов

МПК: G11C 11/401, G11C 19/28

Метки: двухтактный, динамический, регистр, сдвига

...наносекунд.После разряда запоминающего кон- зО денсатора 2 и заряда запоминающегоконденсатора 1 импульс управления отисточника 15 импульсов управлениячерез диод 17 поступает на затвор полевого транзистора 8, повышает положительный потенциал и закрывает его,При поступлении тактирующего импульса от источника 13 тактового питания происходит процесс заряда запоминающего конденсатора 2. Процессзаряда запоминающего конденсатора 2 40.такой же, как и конденсатор 1. 8 этомслучае на нагрузке 20 выделяется сигнал, который является входным для регистра сдвига последующего разряда.В предлагаемой схеме быстродействие регистра сдвига зависит от переходных процессов при заряде и разряде запоминающих конденсаторов иот скорости переключения...

Номер патента: 963104

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Афанасьев, Гаврилов, Запорожский, Лешонок, Соколов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...и конденсатор накопительногоустройства 4 заряжен, до амплитудногозначения предудыщего входного сигнала. Очередной входной сигнал усиливается усилителем 1 и дифференцируется дифференцирующим элементом 5, выходное напряжение которого имеетформу разнополярного импульса с перегибом в точке, соответствующей моменту достижения входным сигналомсвоего максимального значения. Напряжение с выхода элемента 5 поступает на второй вход компаратора 8, на первый вход которого подается поро" говое напряжение от источника 7 порогового напряжения. При достижении равенства напряжений на первом и втором входах, компаратор 8 переходит из одного устойчивого состояния в другое, при этом на его выхо" де формируется прямоугольный импульс, задний фронт...

Номер патента: 963105

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Крюков

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...вход первого ключа является входом устройства,вход второго ключа соединен с выходам второго операционного усилителя,выход которого является выходам уст"райства, введены дифференцирующийэлемент, сумматор, четвертый и пятый35ключи входы которых соединены соотве.тственна, с выходами второго операционного усилителя и сумматора, входчетвертого ключа соединен с входомдифференцирующего элемента и с псрвым в:.одом сумматора, второй вход которого соединен с выходом дифференцирующего элемента, выход пятого ключа подключен к другой обкладке конденсатора,45На чертеже дана Функциональнаяэлектрическая схема предлагаемогоустройства.Устройство содержит ключи 1-5,операционные усилители б и 7,пассивные элементынапример резисторы5 О8 и 9,...

Номер патента: 963106

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Жуганарь, Клисторин, Савин

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...информациив таком АЗУ обусловлена утечкой зарядас конденсатора через входное сопротивление буферного повторителя напряжения,сопротивление замкнутого ключа и сопротивление утечки самого конденсатора.Время хранения запоминаемой величины вэтом АЗУ редко превышает несколько секунд,Бель изобретения - повышение точности хранения устройства,Поставленная дель достигается тем,что в аналоговое запоминающее устройство, содержащее компаратор, первый входкоторого является входом устройства,ключ, первый вход которого соединен свыходом компаратора, накопительный элемент, например конденсатор, одна из обкладок которого соединена с шиной нулевого потенциала, а другая обкладка конденсатора соединена с выходом ключа ис входом повторителя...

Номер патента: 963107

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Бессмертный, Минаев

МПК: G11C 29/00

Метки: блока, памяти

...входного регистра, другие входы которого соединены с шинами вводаинформации, выход схемы сравнения подклочен ко второму входу четвертого элемента И, выход которого соединен со вторымвходом второго элемента ИЛИ, другойвыход дешифратэра адреса подключен ксчетному входу второго триггера, нулевой и единичный выходы которого соединены соответственно с третьим входомпервого и вторым входом пятого элемента И, выход пятого элемента И подклю107 6 5 963 другие входы которого соединены с шинами 15 вводя информации. Выходы схемы 14 сравнения подключены ко второму входу четвертого элемента И 4, выход которого соединен со вторым входом вто 5 рого элемента ИЛИ 7, Другой выход дешифратора 13 адреса подключен к счетному входу второго триггера 9,...

Номер патента: 963108

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Голунова, Кибалов, Мхатришвили, Филимонов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, коррекцией, программы

...первый элемент ИЛИ 1 О, блок 11 селекции адреса, регистр 12 кода неисправных адресов, триггер 13, управляющий вход 14, генератор 15 одиночных импульсов, пятый элемент И 16, генератор 17 импульсов, шестой элемент И 18, блок 19 постоянной памяти, блок 20 полупостоянной памяти, . схему 21 сравнения, адресный регистр 22, числовой регистр 23, регистр 24 кода исходного состояния, дополнительный адресный регистр 25, шифратор 26, блок 27 селекции числа, вто9 б 310 5рой элемент И 28, третий элементИ 29, четвертый элемент И 30, второйэлемент ИЛИ 31.Устройство работает следующим образом, 5Работа устройства осуществляетсяв двух режимах; рабочий режим автоматической коррекции программы припервоначальной отладке системы илипереналадке системы на новые...

Номер патента: 963109

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Горбенко, Николаев

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...3 поступает на блок 19 свертки по модулю два, где формируется значение контрольного разряда адреса основной ячейки, имеющей отказавшие разряды. Затем это значе ние заносится в один из двух разрядов регистра 12, специально отведенных для этой цели.Кроме того, с блока 14 контроля в счетчик 17 записывается код, соответ п ствующий количеству отказавших разрядов основной ячейки. Из блока 8 управ-, ления в блок 7 местного управления по- ф ступает сигнал, по которому в маркерный разряд основной ячейки через ре 35 гистр 10 записывается "1". Аналогично производится запись в следующую основную ячейку, имеющую отказавшие разряды; только соответствующие отказавшим разрядам ячейки, разряды регистра 9 заносятся в следующие свободные разряды регистра...

Номер патента: 963110

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Ясенцев

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающей, матрицы, параметров, сердечников, ферритовых

...контроля во входном регистре 6,Величина коррекции порогов такжевыбирается и устанавливается заранее,заданием длительности корректирующего импульса третьим формирователем 10.Перед запуском программы операторпроизводит начальную установку всехблоков устройства. При этом управляющий триггер 13 устанавливается в состояние, при котором второй коммутатор 12 открывает цепь подачи в блок1 синхронизации в качестве сигналаокончания проверки одного ферритового сердечника сигнал об окончании3-го цикла проверки с выходной логики счетчика 2 циклов проверки 2.Тем же состоянием триггера 13 напервом входе третьего формирователя10 устанавливается сигнал, разрешающий подачу кода коррекции на вход сумматора-вычислителя 9, а на первом входе первого...

Номер патента: 963113

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Геннадьев, Кузнецов, Мойбенко, Соломенников

МПК: H01C 17/00

Метки: тензорезисторов, тонкопленочных

...что согласно способу изготовления тонкопленочных тензорезисторов, включающему нанесение на металлическую пластину сЬоя диэлектрика и резистивного слоя с последующей термообработкой их в среде кислорода, термообработку осуществляют при 600-750 оС и давлении 10 - 1 Па в течение 2-10 мин.Способ осуществляют следующим об" разом.На пластину из стали 36 НХТ толщиной 0,25 мм, диаметром 18 мм наносят слой диэлектрика и резистивный слой титана толщиной 1000 мкм, Затем пластину с нанесенными на нее слоями нагревают с помощью инфракрасного излу" чателя до 700 оС в течение 2 мин при давлении кислорода 10 Да. Тензорезистор имеет удельное поверхностное сопротивление 4 кОмо и коэффициент тензочувствительности 40. Изготовленный13 формула изобретения...

Номер патента: 963114

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Ведерников, Машуков

МПК: H01F 41/04

Метки: катушек, неподвижных, проволоки, размотки

...на упругом гибком элементе, увлекаемый проволокой, скользит по поверхности намотки, Кроме вращения вокруг вертикальной оси ка тушки, наконечник совершает возвратно-поступательное движение вдоль этой же оси катушки.Таким оЬразом, сферический наконечник все время находится в месте схода (отрыва) проволоки от поверхности намотки, Ьлагодаря чему натяжеиие проволоки практически не меня 4ется в зависимости от места сходапроволоки.Благодаря гибкому элементу и сферическому наконечнику становится возможным разматывание даже отожженнойслипшейся проволоки из мягких метал,лов, так как сферический наконечникв этом случае выполняет роль клинаи отдирает проволоку от намотки, зна-,чительно уменьшая обрнвность проволо ки,На фиг. 1 изображено...

Номер патента: 963115

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Исаев, Коротких

МПК: H01G 9/022

Метки: алюминиевых, конденсаторов, оксидных, электролит

...вост ь в течение 1 ч при -ОоС,При мер 3.Диметилформамид 35,5Зтиленгликоль 35,5Аммоний малеат 18,1Диэтиламин 10,6=130 Омсм,р у=3500 Ом.см, рН=7+0,5,Конденсаторы, изготовленные с использованием данного состава испытываются под электрической нагрузкойе- при 85 оС в течение 5000 ч и на холодоустойчивость при -40 оС.Параметры конденсаторов приведены в табл. 7.В табл. 8 приведены параметры конденсаторов после испытаний в течение 5000 ч при 85 С,В табл. 9 приведены испытания0 на холодоустойчивость в течение 1 чпри -0 3 96ниевых конденсаторов, включающий малеат аммония и амид муравьиной кислоты, дополнительно содержит этилен"гликоль и диэтилаФн, а в качествеамида муравьиной кислоты использовандеметилформамид при следующем соотношении...

Номер патента: 963116

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Андриянов, Баздырев, Дубовой, Крючков, Маевский

МПК: H01J 1/20

Метки: катодный, узел

...режим стационарной эмиссии необходимо предварительно его прогреть для удаления с поверхности адсорбированных атомов и молекуп остаточного газа, Для этого включается нагрев термокатода 3, затем между термокатодом 3 и плоской пластиной 2 прикладывается разность потенциалов для формирования электронного пучка, Электронный45 пучок фокусируется электродом 4 в небольшое пятно на поверхности плоской пластины в месте крепления авто- катода 1. Плоская пластина 2 выпол.нена в виде фольги из тугоплавкого материала обладающего сравнительно50 невысокой теплопроводностью, Из-за малой толщины пластины и невысокой теплопроводности отток тепла по пластине затруднен, поэтому практически вся энергия, выделяемая электронным пучком в пятне на пластине,...

Номер патента: 963117

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Глебов, Егоров, Иофис, Сорокоумов

МПК: H01J 7/18

Метки: прибора, электровакуумного

...наблюдали, напримерпри осаждении щелочноземельных металлов в вакууме на матированноестекло). В момент образования зародышевого подслоя концентрация диспергирующего газа должна быть достаточно велика (давления порядка 1001000 Па), но коль скоро его структура оформилась, азот, адсорбция и окклюзия которого протекали бы парал-лельно с испарением бария, уже неулучшает, а ухудшает поглотительныесвойства пленки .Скорость взаимодействия азота с литием в 50-100 раз выше, нежели с барием, что единственно и дает возможность удалить диспергирующий газсразу же после образования зародышейкристаллизации и до того, как сконденсируется основная масса бария, которая таким образом не загрязняетсяазотом.Момент начала напыления лития"через 2-3 с после...

Номер патента: 963118

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Двинских, Мурзин

МПК: H01J 19/14

Метки: высоковольтный, прибор, электровакуумный

...со спиралью нагрева катода, магнитопровод выполнен в виде двух разомкнутых частей, одна из которых с установленной на ней первичной обмоткой помещена вне кор пуса прибора, а другая с установленной на ней вторичной обмоткой - внутри корпуса прибора.На чертеже изображена схема предлагаемого прибора. 1Он содержит первичную обмотку 1, внешнюю часть 2 магнитопровода, внутреннюю часть 3 магнитопровода, вторичную обмотку 4, спираль 5 нагрева, катод 6, диэлектрическую оболочку 7 ю прибора, вывод 8 катода, конденса" тор 9.Устройство работает следующим образом.Напряжение промышленной частоты 2 з подается на первичную обмотку 1, по" нижающего трансформатора, параллельно которой включается конденсатор 9. За счет протекания тока в первичной...

Номер патента: 963119

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Абрамян, Налбандян

МПК: H01J 61/36

Метки: кварцевую, колбу, лампы, токоввод

...Патент", г:УиГород, ул, Проектная,Указанное вещество Введено Б голость вкладыша.Данное вещество введено внутрь,ампулы установленной В пазу, выполненном внутри вывода со стороны ФогьГИюНа чертеже представлен токовнод,в котором вкладыш выполнен н нидестержня.В кварцевую ножку 1 колбы зава ивается молибденовьЙ цилиндр 2 изФольги, обернутой вокруг кварцевого.стержня 3, Одним концом цили ндр приварен к выводу 1, в пазу которогопомещена ампула 5 с водородом иливодородсодержащим Веществом 6, ,имеющим темпеоатуру начального разя вНИя ранНую ИЛИ НИж 8 рабоч 8 Й Теипвиратуры ввода 300-00 С).Другой конец молибденово-О ц-д- .:,ра приварен.к электрону 7. В слгчаеполоГО Вкладьшга посл 8 дниЙ сам напОх"няется водородом давлением 150200 мм рт.ст,....

Номер патента: 963120

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Зайцев, Зенкович, Иванушко, Токарев

МПК: H01L 21/00

Метки: кассета-спутник

...на втулке со стороны, противоположной размещению обоймы.На Фиг. 1 изображена предлагаемая кассета -спутник; на фиг. 2 - втул 45 ка в замкнутом состоянии; на Фиг,3- то же, в разомкнутом состоянии.Кассета-спутник содержит основание 1 с цилиндрическим выступом 2, размещенную на нем эластичную плен ку 3, с разделенной на кристаллы полупроводниковой пластиной 4, закрепленную в зажимных кольцах 5 и 6, установленных концентрицно цилиндВтулка 8 установлена на цилиндрическом выступе 2 основания 1 с возможностью перемещения вдоль его оси и на ее внутренней стороне втулки выполнеена Фигурная проточка 10 с плоской поверхностью 11 и конусной поверх" ностью 12, В фигурной протоцке 10 расположено кольцо 13 с гнездами в которьх размещены тела 15...

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...

Номер патента: 963122

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Гавриков, Кононов, Махаев, Миненков

МПК: H01L 21/70, H05K 13/02

Метки: поштучной, радиоэлементов, спутники, укладки

...относительнорадиоэлемента загоуженного з гнездо подвижного лотка, и принудительную подачурадиоэлемента в спутник. Ф о,р м у л а и з с б р е т е н и яУстройство для поштучной укладки ра диоэлементов в спутники, преимущественно интегральных схем, содержащее соединенные с приводами механизм подачи радиоэлементоз, ,механизм подачи гпутников с направляющей и механизм поштучной укладки радиоэлементов в спути- ки, снабженный подвижным лотком с подавателем, о т л и ч е ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности ра:боты устройстве путем о 5 еспечения точ ности совмещения радиодеталей со спутником, подаватель механизма укладки радиоэлэментов в спутник выполнен в виде подпружиненного относительно подвижного лотка штока, а подвижной...