Блок памяти

Союз Советск ихСоциалнстическикРеспублик О П И С А Н И Е (и)963094ИЗОБВЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ф с Д ф(5 )М. Кл,5. 11 С 11/14 с прнсоелинением заявки РЙ Гееударстеенный комитет(23) Приоритет но делам нзобретеннй н аткрытнйОпубликовано 30. 09, 82, Бюллетень36 Дата опубликования описания 30. 09.82(54) БЛОК ПАМЯТИ Изобретение относится к вычисли= тельной технике и может быть использо. вано при построении запоминающих устройств на магнитопленочных элементах.Известен блок памяти, содержащий5 числовые шины и компенсационные входы, причем начала четных числовых шин и концы нечетных соединены с шиной нулевого потенциала, концы четных числовых шин и начала нечетных подключе-,о ны к соответствующим компенсационным входам, В таком блоке в составе запоминающего устройства с устройством компенсации в режиме сцитывания и записи в соответствующую числовую шину 1 поступает числовой импульс тока. При этом по рядом расположенным числовым шинам протекают компенсирующие токи, которые обеспечивают компенсацию разрушающих магнитных полей цис" 20 лового импульса тока. Это приводит к расширению области устойчивой рабо, ты блока памяти и снижает требования к параметрам магнитных пленок 1.1 1. Недостатком этого блока памяти является наличие большого количества элементов и паек (по два элемента и цетыре пайки на каждую числовую шину) в устройстве компенсации.Наиболее близким по технической сущности к данному изобретению является блок памяти, который содержит магнитопленочные элементы памяти и группы числовых шин и элементов выборки 2 .В известном блоке памяти в участках магнитных пленок, находящихся под рядом расположенными числовыми шинами соседних групп, отсутствует компенсация разрушающих магнитных полей числового импульса тока. Эта особенность при реализации блока памяти приводит к усложнению его конструкции и технологии, так как требует создания дополнительных зазоров между вышеуказанными шинами или установки таких пленок, которые обладают в вышеуказанных участках повышенной коэр3 96309цитивной силой. Создание дополнительных зазоров вызывает увеличение габаритов блока памяти, удлинение разрядной линии, уменьшение процента выхода годных пленок. Кроме того, это создает затруднения при авто матизации прошивки шин из-за неравномерности их шага. Установка в блокпамяти магнитных пленок, которые обладают на вышеуказанных участках по" 10вышенной коэрцитивной силой, потребует специальной отбраковки пленок иточной их юстировки в блоке памятипо отношению к числовым шинам, Специальная отбраковка пленок в свою 15 очередь приведет к уменьшению процента выхода годных.Цель изобретения - повышение надежности блока памяти.Поставленная цель достигается 20 тем, что блок памяти содержит ограничители амплитуды тока и компенсирующие индуктивные элементы, каждый из которых последовательно с одним из ог. раничителей амплитуды тока подключен 25 между входами смежных элементов выборки смежных групп, причем концы нечетных и начала четных числовых шин подсоединены к входам соответствующих элементов выборки, начала нечетных и концы четных числовых шин нечетных групп подсоединены к входам блока памяти в порядке возрастания номеров числовых шин, а четных групп - в порядке убывания номеров числовых шин,35 а выходы элементов выборки каждой группы являются выходами блока памяти.Сущность изобретения состоит в компенсации разрушающих магнитных полей рассеивания от соседних числовых шин(магнитное поле помехи) для элементов памяти (магнитных пленок находя щихся под рядом расположенными числовыми шинами смежных групп) путем про 45 пускания по этим шинам импульса тока, создающего магнитное поле, равное по величине и противоположное по знаку магнитному полю помехи, а. также в создании идентичных условий работы для всех элементов памяти блока памяти, включая элементы первой и пос ледней числовых шин, за счет подклю чения параллельно каждой из них шунтирующего элемента. Таким образом создаются одинаковые условия работы для всех элементов памяти в блоке памяти с постоянным адресным шагом, а поэтому становится .возможным использование однородных низкокоэрцитивных пленок, а следовательно появляется возможность упрощения конструкции и технологии изготовления известных блоков памяти на магнитных пленках и повышения их надежности.На чертеже изображена принципиальная схема блока памяти.Блок памяти содержит группы 1-4 числовых шин 5-4 и элементов 15-20 выборки, например, диодов, координатные компенсационные входы 21-24 и координатные выходы 25-28 ограничители 29-31 амплитуды тока, например, резисторы, компенсирующие индуктивные элементы 32-34, например, дроссель, шунтирующие элементы 35 и 36,магнитопленочны элементы 37 памяти, разрядные шины 38На чертеже изображена также часть схемы запоминающего устрой ва - коммутатор 39 числовых шин с блоком 40 компенсации. Каждый из индуктивных элементов 32-34 последовательно с одним из ограничителей 29- 31 амплитуды тока подключен между входами рядом расположенных элементов 15-20 выборки смежных групп 1-4, например, элементов 18 и 19 групп 1 и 2, шунтирующий элемент 35 подключен параллельно первой числовой шине 5, а шунтирующий элемент 36 подключен параллельно последней числовой шине 14. Концы нечетных числовых шин 5,7 .,13 и начала четных числовых шин 6,8,14 подсоединены к входам соответствующих элементов 15-20 выборки, начала нечетных числовых шин 5,7 и концы числовых шин 6,8 нечетных групп 1,3 подсоединены в порядке возрастания номеров числовых шин 5-8 к координатным компенсационным входам 21-24, т,е. шина 5 подсоединена к входу 21, шина 6- к входу 22 и т.д. Начала нечетных числовых шин 10,12 четных групп 2,4 подсоединены в порядке убывания номеров числовых шин 12,1,10, 9 к координатным компенсационным входам 21-24, т,е. шина 12 - к входу 21, шина 11 - к входу 20 и т.д Выходы элементов 15-20 выборки каждой группы 1-4 подключены к одному из координатных выходов 25-28, например, выходы элементов 15-8 подключены к координатному выходу 25.Блок памяти работает следующим образом.Если коммутатором 39 числовых шин выбирается, например, элемент 18 вы96309борки, то по числовой шине 8 протекает числовой импульс тока 38, Магнитное полв импульса тока 38 создает в элементах 37 памяти, расположенных под числовой шиной 9, магнитное поле помехи. Это поле совместно с полем импульса разрядного тока при многократно повторяемом режиме записи в элементы 37 памяти, расположенные под числовой шиной 8, приведет к разру О шению информации в элементах 37 памяти, расположенных под числовой шиной 9. Компенсация этого магнитного поля помехи, т.е. устранение разрушения информации в элемантах 37 па мяти достигается тем, что по числовой шине 9 через чепоцку, состоящую из ограничителя .29 амплитуды тока и индуктивного элемента 32, протекает компенсирующий импульс тока 3,противо положного направления по отношению к току 3 В в числовой шине 8 и составляющей цасть импульса тока выбранной числовой шины 8. Аналогичным образом блок памяти работает при выборке г 5 числовой шины 9 или любых других ря-, дом расположенных числовых шин сосед них групп. Параметры ограничителя 29-31 амплитуды тока и индуктивного элемента 32-34 выбирают исходя из ве- зв личин сопротивления и индуктивности числовой шины, а также с учетом необходимой формы и амплитуды компенсирующего импульса тока. Первая и последняя числовые шины 5 и 14 не имеют рядом расположенных числовых шин соседних групп. Поэтому по указанным шинам будет протекать числовой импульс тока, амплитуда которого больше номинальной на величину компенсирующего тока. Это приведет к необходимости установки в блок памяти специально отобранных магнитных пленок, а именно с большим значением номинальной амплитуды числового тока 45 в участках магнитных. пленок под указанными шинами, Шунтирующие элементы 35 и 36, подключенные параллельно первой и последней числовым шинам 5 и 14, ответвляют цасть тока, равную току компенсации, и этим выравнивают в пер вой и последней числовых шинах 5 и 4 614 числовой импульс тока до номи" нальной величины и устраняют необходимость установки в блок памяти спвциальных пленок.В предлагаемом блоке памяти по сравнению с известным упрощается.конструкция и технология за счет применения равномерного шага адресных шин, уменьшения габаритов блока памяти, увеличения процента выхода годных при производстве магнитных пленок.Упрощение конструкции и техноло- гии блока памяти позволит без увеличения затрат увеличить выпуск блоков памяти в 2-3 раза и повысить их надежность.Формула изобретенияБлок памяти, содержащий магнитопленочные элементы памяти и группы числовых шин и элементов .выборки, о т л и ц а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности, он со. держит ограничители амплитуды тока и компенсирующие индуктивные элементы, каждый из которых последовательно с одним из ограничителей амп литуды тока подключен между входами смежных элементов выборки смежных групп, причем концы нечетных и начала четных цисловых щин подсоединены к входам соответствующих эле - ментов выборки, начала нечетных и концы четных числовых шин нечетных групп подсоединены к входам блока памяти в порядке возрастания номеров числовых шин, а четных групп - в порядке убывания номеров числовых шин, а выходы элементов выборки каждой груп пы являются выходами блока памяти.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР У 424232, кл. 6 11 С 11/14, 1972.2. "Конструирование и производство запоминающих устройств". Л., Ленинградский дом научно-технической пропаганды, 1980 (прототип).963094 ректор Е. Рошк Редакт акарев аказ 7526/77 огоений/5 роектная,Филиал ППП Патент", г, Ужгород ставитель Ю. Розехред И,Гайду Тираж 622 ВНИИПИ Государствен по делам изобре 113035, Москва, ЖПодписноомитета СССРи открытийщская наб