Запоминающее устройство

(54) ЗАПОМИНАЮШЕЕ У СТВО которой расположены регистры хранения информации и каналы продвижения БМД из С- и Т-образнвх ферромагнитных аппликаций, и токопроводяшую шину, выполненную в одном слое с ферромагнитными аппликациями и гальванически связанную с Т-образными аппликациями регистров хранения информации2Недостатком известного устройства является малая область устойчивой рабо ты в момент переключения 11 МД из входного канала в выходной канал продвижения БМД, Переключение БМД возможно только при низких полях смешения Н , При высоких полях Нсдля переключения ШЯД требуется подавать импульс тока в управляющую шину высокой амплитуды, так как наводимый внешним полем притя гиваюший домен полюс на С-образной аппликации недостаточен, чтобы захватить 13 МД и растянуть его с Т-образной аппликации. В результате этого даже при выборе оптимального расстояния между СИзобретение относится к вычислитель. ной технике и автоматике и может быть использ.вано в запоминающих устройствах (ЗУ), в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (Е 1 МД).5Известно ЗУ, содержащее магнитоосную пленку, на которой расположены два канала продвижения ЦМД, образованные шевронными аппликациями из ферромагнитного материала, и шина управления., выполненная из того же материала в одном уровне с каналами продвижения БМД, которая соединяет вершины шевронов одноименных позиций расположения ЦМД в 1,обоих каналах. Управляюшая шина осушествляет две функции: растяжение ЦМД в по- лосовой домен вдоль шины и репликацию полосового домена 1.Недостаток данного устройства - ма лая область устойчивой работы.Наиболее близким является ЗУ, которое содержит магнитоодноосную пленку, на9630и Т-образными аппликациями, при повышенном поле Н 0 и соответственно повыщенной амплитуде тока БМД не переключается, а коллапсирует в зоне переключения. Этот недостаток является существенным при работе устройства совместнос генератором и датчиком ЦМД, так какобщая область устойчивой работы резкоснижается (почти на 50%). Подаваемыев управляющую шину импульсы тока высокой амплитуды, чтобы создать требуемое магнитное поле для переключения,растяжения и реплицирования ЦМД, ограничивают реальные размеры управляющейшины и являются энергетически невыгодными,Пель изобретения - повышение надежности ЗУ,Поставленная цель достигается тем,что запоминающее устройство содержитна магнитоодноосной пленке У-образныеферромагнитные аппликации, расположенныемежду Т-образными ферромагнитными аппликациями смежных регистров храненияинформации и гальванически связанные стокопроводящей шиной,На фиг. 1 изображена принципиальнаясхема предлагаемого ЗУ; на фиг. 2 и 3 расположение доменов в регистрах хране9ния информации и каналах продвиженияПМД во время работы устройства; нафиг. 4 - эпюры управляющих токов.Запоминающее устройство содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которойрасположены регистры 2 хранения информации из Т- и С-образных ферромагнитных 535аппликаций 3 и 4, Ч-образные ферромагнитные аппликации 5, расположенные между Т-образными аппликациями 3 смежныхрегистров 2, каналы 6 продвижения ЦМДи токопроводящую шину 7. Вектор 8 уп 40равляюшего поля вращается по часовойстрелке.ЗУ работает следующим образом,А. Режим переключения ЦМД из регистров 2 в каналы 6 продвижения 11 МД, 45На фиг. 2 показано расположение доменов в регистре 2 и канале продвиженияБМД 6. При положении вектора управляющего поля Н, показанном на фиг, 2 ,в шину 7 подается импульс тока длительностью, равной половине периода вращениявектора управляющего поля (фиг, 4) иполярностью, при которой домен растягивается по верхней границе шины, При положении вектора Нпоказанном нв 55фиг, 2, домен не йереходит с предыдущей поэициии на правую сторону Т-об-.разной аппликации 3, а захватывается 92 4притягивающими полюсами Т- и С-образной аппликацией каналов .6 продвиженияБМД. При дальнейшем вращении вектораНпр (фиг. 2) домен полностью переходйт на Т- и С-образные аппликации, таккак по нижней границе шины 7 создаетсяот импульса тока магнитное поле, препятствующее прохождению домена к притягивающему полюсу Т-образных аппликаций, т. е, поле коллапса,Б. Режим переключения и реплицирования БМД.На фиг. 3 показано расположение доменов в регистре 2 и канале 6 продвижения 11 МД. При положении вектора Нопоказанном на фиг. 38, в управляющуюшину подается короткий (0,3 - 0,5 мкс)импульс тока высокой амплитуды (120 -130 мА) и полярностью, при которой домен растягивается вдоль верхней границышины 7 и захватывается притягивающимиполюсами Т- и С-образными аппликациями каналов продвижения БМД. При дальнейшем повороте вектора Н р, показанном на фиг 33, в шину 7 йодается короткий (0,5 мкс) импульс тока амплитудой 120 - 130 мА и обратной полярности,при которой растянутый домен между притягивающими полюсами С-, и Т-образныхаппликаций реплицируется., в результатеобразуется два домена, один из которыхидет в канал 6, а другой - в регистр 2хранения (фиг, ЗЪ ),На фиг. 4 су и 6 показаны импульсытока, подаваемые в шину 7 при различных режимах работы устройства.Введение ( -образных ферромагнитных аппликаций расширяет область устойчивой работы устройства, уменьшает амплитуды управляющих токов и повышает надежность устройства в целом,Формула изобретенияЗапоминающее устройство содержащее магнитоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения информации и каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из С и Т -образных ферромагнитных аппликаций и токопроводящую шину, выполненную в одном слое с ферромагнитными аппликациями и гальванически связанную сТ -образными аппликациями регистров хранения информации, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, оно содер6Источники информации,инятые в о внимание при зкспертизе1.РЪИР ТЕсЬ.КЕЧЧ З 6,16,76, р. 149.2. ЕЕЕ Тгои Мцд.Ч, % 5,78, р. 218, (прототип). 5963092 жит на магнитоодноосной пленке ч-образ-ные ферромагнитные аппликации, располо- пр женные между. Г -образными ферромагнитными аппликациями смежных регистров, 19 хранения информации и гальванически 5 связанные с токопроводяшей шиной. 1.9963092 оставитель Ю Розенталь хред А. Ач Кор ор О, Билак Л, Пчелинская филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная Тираж 622ударствеиного комите изобретений и откры ва, Ж, Раушская 828/76 ВНИИПИ Гос по делам 113035,Моск