Геннадьев

Номер патента: 1786155

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Геннадьев, Закурдаев, Золотухин, Музлов, Трунин

МПК: C22B 58/00, C22B 9/00

Метки: металлов

...на галлии; кривая 3 - индия на галхности значительно больше йхконцейтра лии.ции вобъеме. Так, например", объемная: Изфиг.1 видно;чтоконцентрациясвинконцентрация примесей и, Зп, РЬ в Об со цаи".индия на Оа при нагревании выше .; с вл ет; 10 мас.ф, а концентрация при-пературы плавления: на 100 ОС снижаетсямесей на поверхности - -25 мас.; болеечем в 2 раза,аконцентрация серы аонцентрация 3 наповерхности жидкого.: индии прй нагревании последнего на 30 Спревышает объемнуюконцентрацию в 10.: выше температуры плавления снижа35 ниже порога чувствительности Оже-спектНаблюдается также - значительное ув;, рометра"личение концентрации А на поверхности" .: КонцентрацияА наповерхностисп авар сплава А-Сц, :.-.":;: . .".: А 1-Сц(на фиг.1 не...

Номер патента: 963113

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Геннадьев, Кузнецов, Мойбенко, Соломенников

МПК: H01C 17/00

Метки: тензорезисторов, тонкопленочных

...что согласно способу изготовления тонкопленочных тензорезисторов, включающему нанесение на металлическую пластину сЬоя диэлектрика и резистивного слоя с последующей термообработкой их в среде кислорода, термообработку осуществляют при 600-750 оС и давлении 10 - 1 Па в течение 2-10 мин.Способ осуществляют следующим об" разом.На пластину из стали 36 НХТ толщиной 0,25 мм, диаметром 18 мм наносят слой диэлектрика и резистивный слой титана толщиной 1000 мкм, Затем пластину с нанесенными на нее слоями нагревают с помощью инфракрасного излу" чателя до 700 оС в течение 2 мин при давлении кислорода 10 Да. Тензорезистор имеет удельное поверхностное сопротивление 4 кОмо и коэффициент тензочувствительности 40. Изготовленный13 формула изобретения...